多晶硅中能硅業(yè)探索畢業(yè)論文-全文預(yù)覽
【正文】 吸器，穿防毒服。滅火劑：干粉、干砂。與氧化劑發(fā)生反應(yīng)，有燃燒危險(xiǎn)。食入：用水漱口，給飲牛奶或蛋清。保持呼吸道通暢。就醫(yī)。并伴有頭昏，頭痛，乏力，惡心，嘔吐，心慌等癥狀。中文名：三氯硅烷，硅仿 英文名：Trichlorosilane,Silicochloroform分子式：SiHCl13分子量：主要成分：純品外觀與性狀：無(wú)色液體，極易揮發(fā)。分離出來(lái)的氯化物氣體返回SiHCI3合成系統(tǒng)中，用來(lái)合成原料SiHCI3。副產(chǎn)物氣體與未反應(yīng)萬(wàn)的H2和SiHCI3氣體從還原爐尾氣管道排出，沿著管路進(jìn)入尾氣回收系統(tǒng)。蒸發(fā)器的壓力通過(guò)調(diào)節(jié)進(jìn)入蒸發(fā)器的氫氣流量控制，蒸發(fā)器的SiHCI蒸發(fā)溫度通過(guò)調(diào)節(jié)熱水的流量控制，蒸發(fā)器的液位通過(guò)調(diào)節(jié)進(jìn)入的SiHCI3流量控制。經(jīng)尾氣回收系統(tǒng)收下來(lái)的氫氣與來(lái)自電解制氫系統(tǒng)的補(bǔ)充氫氣在氫氣總管中匯合后也進(jìn)入蒸發(fā)器中，氫氣總管的壓力通過(guò)調(diào)節(jié)補(bǔ)充電解氫的流量和氫氣放空的流量控制，以實(shí)現(xiàn)進(jìn)入蒸發(fā)氣的氫氣壓力恒定。 目前，國(guó)內(nèi)外現(xiàn)有的多晶硅廠絕大部分采用此法生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅與電子級(jí)多晶硅。改良西門子法包括5個(gè)主要生產(chǎn)環(huán)節(jié)：SiHCl 3合成、SiHCl3 精餾提純、SiHCl3 的氫還原、尾氣的回收以及SiCl4的氫化分離。我國(guó)在2001—2010年內(nèi)的硅市場(chǎng)需求增長(zhǎng)很快，但是我國(guó)硅工業(yè)所面臨的形勢(shì)是相當(dāng)嚴(yán)重的，主要是： A、國(guó)際上的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，現(xiàn)有6家跨國(guó)公司占領(lǐng)著市場(chǎng)的近85%，他們?cè)谫Y金、技術(shù)上均有強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì)； B、在我國(guó)周邊國(guó)家和地區(qū)內(nèi)，如韓國(guó)、臺(tái)灣地區(qū)、馬來(lái)西亞均設(shè)有硅材料生產(chǎn)基地，年生產(chǎn)能力總計(jì)已達(dá)5億平方英寸； C、我國(guó)硅材料生產(chǎn)所需的設(shè)備，特別是先進(jìn)的大直徑設(shè)備幾乎全部靠進(jìn)口；市場(chǎng)預(yù)測(cè) : 根據(jù)國(guó)內(nèi)單晶硅生產(chǎn)的需求，以1996年實(shí)際需要出發(fā)，預(yù)計(jì)2000年和2010年多晶硅的需求如表所示。 質(zhì)量與成本 我國(guó)多晶硅的質(zhì)量能滿足集成電路用單晶的要求，但不能完全滿足高阻區(qū)熔硅的要求。顧名思義，多晶硅就是多晶體的硅。目前百分之九十以上的半導(dǎo)體是用多晶硅材料制成的，在電子行業(yè)總少不了硅特別是少不了多晶硅，它被視為“微電子大廈的基石”因此一些高科技國(guó)家都把自己的高科技基地稱為“硅谷”。硅不已提純因?yàn)樗娜埸c(diǎn)很高，而在熔點(diǎn)的附近有很高的活性，所以雜質(zhì)難以除去，雜質(zhì)的存在導(dǎo)致電阻率大大降低，在個(gè)硅原子中大約一個(gè)雜質(zhì)原子的硅稱為本質(zhì)硅，其常溫下本征電阻率約為2300歐姆米的積。還原是將經(jīng)提純和凈化的三氯氫硅與氫氣混合通入還原爐中，在1080℃～1150℃下將還原出來(lái)的多晶硅沉積的發(fā)熱體的硅芯上。通過(guò)化學(xué)或者物理方法使硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來(lái)，就結(jié)晶成多晶硅。關(guān)鍵詞： 多晶硅，三氯氫硅，氫氣，還原爐AbstractPolycrystalline silicon is a new shape. Through chemical or physical method makes silicon atom to diamond arranged into many nuclei lattice form, such as these grow nuclei of different grain, orb orientation is the grain bine, is crystallization into polycrystalline silicon. Reduction is the purification and purification by silicon and trichloramine mixed ventilation with reduction furnace, in 1080 ℃ ~ 1,150 ℃ next will restore out of the deposition on silicone core. Thus the elemental silicon the process of production of polysilicon involves many variables, can affect the quality of the product and purity polysilicon, this paper speaker of reduction in polysilicon production process, yield, factors affecting the ratio of, so it can be in the process of production of improving the product purity is better. Keywords: polysilicon, trimethoxysilane, , silicone reduction furnace第一章 概述多晶硅是元素的硅的單質(zhì)，是一種半導(dǎo)體，具有金剛石的結(jié)構(gòu)，呈銀灰色金屬光澤，性脆易碎。它可以直接做成太陽(yáng)能電池板，也可以作為原料生產(chǎn)單晶硅。因此總的來(lái)說(shuō)這樣的晶體稱為多晶，只有那些晶粒也按照一定規(guī)律排列的晶體稱為單晶。據(jù)1983年統(tǒng)計(jì)為18家，生產(chǎn)能力為150噸；由于經(jīng)濟(jì)效益的關(guān)系，到1987年剩下7家，生產(chǎn)能力為112噸；到1998年只有兩家，四川峨眉半導(dǎo)體廠和洛陽(yáng)單晶硅廠，其生產(chǎn)能力為80噸，產(chǎn)量約60噸；2000年峨眉廠又立項(xiàng)“年產(chǎn)1000噸多晶硅高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程”項(xiàng)目要靠進(jìn)口。 生產(chǎn)方面的差距 我國(guó)多晶硅在工業(yè)生產(chǎn)方面與國(guó)際先進(jìn)水平的差距主要表現(xiàn)在四個(gè)方面：(1)工藝設(shè)備落后，致使物質(zhì)與電力消耗過(guò)大，三廢問(wèn)題多； (2)生產(chǎn)規(guī)模小,現(xiàn)在公認(rèn)臨界經(jīng)濟(jì)規(guī)模為1000噸年,而我國(guó)反為30—50噸年；(3)超高純產(chǎn)品（B）難以獲取，而新硅烷法可批量供應(yīng)；(4)成本沒(méi)有競(jìng)爭(zhēng)力。
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