多晶硅中能硅業(yè)探索畢業(yè)論文(已修改)
2025-07-09 15:45 本頁(yè)面
【正文】 設(shè)計(jì)題目 中能硅業(yè)探索 目 錄摘要 ……………………………………………………………………………… 4英文摘要 ………………………………………………………………………… 4第一章 概述 …………………………………………………………………… 5……………………………………………………………… 52. 國(guó)內(nèi)多晶硅產(chǎn)業(yè)概況及未來(lái)發(fā)展……………………………………………. 5第二章 多晶硅的生產(chǎn)工藝 …………………………………………………… 7…………………………………………………………… 7………………………………………… 7 …………………………………………………… 9 三氯氫硅的性質(zhì)…………………………………………………… 9 氫氣的性質(zhì)………………………………………………………… 11…………………………………………… 12第三章 SiHCI3氫還原反應(yīng)……………………………………… 12 多晶硅反應(yīng)原理 ……………………………………………………… 123．2 SiHCI3氫還原反應(yīng)的影響因素 ……………………………………… 13 3．2．1氫還原反應(yīng)沉積溫度…………………………………………………… 133．2．2 混合氣配比………………………………………………………………… 143．2．3 反應(yīng)氣體流量……………………………………………………………… 153．2．4 還原反應(yīng)時(shí)間………………………………………………………………163．2．5硅表面積…………………………………………………………………… 163．2．6硅棒電流電壓的關(guān)系…………………………………………………… 17 還原爐結(jié)構(gòu)示意圖……………………………………………………………… 17……………………………………………………… 18…………………………………………………… 18………………………………………………………… 19…………………………………………………… 19第四章 多晶硅的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn) …………………………………………………… 19 4．1硅棒質(zhì)量問(wèn)題及原因……………………………………………………… 19 多晶硅的用途 ……………………………………………………… 20第五章 致謝 …………………………………………………………………… 21 參考文獻(xiàn) ………………………………………………………………………… 22 摘 要多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。通過(guò)化學(xué)或者物理方法使硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來(lái)，就結(jié)晶成多晶硅。還原是將經(jīng)提純和凈化的三氯氫硅與氫氣混合通入還原爐中，在1080℃～1150℃下將還原出來(lái)的多晶硅沉積的發(fā)熱體的硅芯上。從而得到純度很高的單質(zhì)硅。而在生產(chǎn)多晶硅的過(guò)程中涉及很多的變量因素，都能影響到多晶硅產(chǎn)品的質(zhì)量和純度問(wèn)題，本篇論文主講在多晶硅的還原生產(chǎn)過(guò)程中，如何控制溫度，及為獲得一定的收率，如何控制流量配比等主要的影響因素，從而能夠在生產(chǎn)過(guò)程中更好的提高產(chǎn)品的純度。關(guān)鍵詞： 多晶硅，三氯氫硅，氫氣，還原爐AbstractPolycrystalline silicon is a new shape. Through chemical or physical method makes silicon atom to diamond arranged into many nuclei lattice form, such as these grow nuclei of different grain, orb orientation is the grain bine, is crystallization into polycrystalline silicon. Reduction is the purification and purification by silicon and trichloramine mixed ventilation with reduction furnace, in 1080 ℃ ~ 1,150 ℃ next will restore out of the deposition on silicone core. Thus the elemental silicon the process of production of polysilicon involves many variables, can affect the quality of the product and purity polysilicon, this paper speaker of reduction in polysilicon production process, yield, factors affecting the ratio of, so it can be in the process of production of improving the product purity is better. Keywords: polysilicon, trimethoxysilane, , silicone reduction furnace第一章 概述多晶硅是元素的硅的單質(zhì)，是一種半導(dǎo)體，具有金剛石的結(jié)構(gòu)，呈銀灰色金屬光澤，性脆易碎。硅不已提純因?yàn)樗娜埸c(diǎn)很高，而在熔點(diǎn)的附近有很高的活性，所以雜質(zhì)難以除去，雜質(zhì)的存在導(dǎo)致電阻率大大降低，在個(gè)硅原子中大約一個(gè)雜質(zhì)原子的硅稱(chēng)為本質(zhì)硅，其常溫下本征電阻率約為2300歐姆米的積。而雜質(zhì)含量為1X％的硅電阻率約3歐姆米的積。硅在地球中的含量很大，但大多數(shù)以化合物的形式
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