【正文】 四、主要參考文獻(xiàn)： [1] 張淵 . 半導(dǎo)體制造工藝 — 北京：機(jī)械工業(yè)出版社 ,. [2] 許生 ,侯曉 波 ,范垂禎 ,等 .硅靶中頻反應(yīng)磁控濺射二氧化硅薄膜的特性研究 [J]2020. [3] 張紅梅 ,尹云華 .太陽(yáng)能電池的研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì) [J].水電能源科學(xué)， 2020， 26(6)： 193197. [4] 王學(xué)華 ,薛亦渝 ,趙力 ,等新型光學(xué)薄膜研究及發(fā)展現(xiàn)狀 [J]2020. 學(xué) 生（簽名） 年 月 日 指 導(dǎo) 教師（簽名） 年 月 日 教研室主任（簽名） 年 月 日 系 主 任（簽名） 年 月 日 常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院電子與電氣工程學(xué)院 畢業(yè)設(shè)計(jì)論文 畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）開(kāi)題報(bào)告 設(shè)計(jì)（論文）題目 二氧化硅薄膜的制備與應(yīng)用分析 一、 選題的背景和意義： 在微電子工藝中，二氧化 硅薄膜因其優(yōu)越的電絕緣性和工藝的可行性而被廣泛采用。損耗器件方面有應(yīng)用前景，在光學(xué)集成和光電集成器件方面 有應(yīng)用前景，可作為波導(dǎo)膜、減反膜和增透膜。 二氧化硅薄膜的用途。 常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院電子與電氣工程學(xué)院 畢業(yè)設(shè)計(jì)論文 四、設(shè)計(jì)（論文）進(jìn)度安排： 時(shí)間（迄止日期） 工 作 內(nèi) 容 2020 年 10 月 25 日 前 根據(jù)本專業(yè)確定相關(guān)論文題目 2020 年 11 月 1 日 根據(jù)老師下達(dá)的任務(wù)書(shū)，談些開(kāi)題報(bào)告 2020 年 11 月 10 日 參考論文模板擬定提綱 2020 年 11 月 15 日 通過(guò)網(wǎng)絡(luò)和書(shū)籍手機(jī)相關(guān)資料，按照設(shè)想的方案初步擬定目錄。 五、指導(dǎo)教師意見(jiàn)： 指導(dǎo)教師簽名： 年 月 日 六、系部意見(jiàn)： 系主任簽名： 年 月 日 常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院電子與電氣工程學(xué)院 畢業(yè)設(shè)計(jì)論文 二氧 化硅薄膜的制備與應(yīng)用分析 目錄 摘要 Abstract 第 1 章 前言 ...................................................................................................................1 第 2 章 二氧化硅的簡(jiǎn)介 ...............................................................................................2 二氧化硅薄膜的性質(zhì) .......................................................................................2 二氧化硅的物理性質(zhì) ..................................................................................................2 二氧化硅的化學(xué)性質(zhì) ..................................................................................................3 第 3 章 二氧化硅薄膜的主要制備方法 .......................................................................4 熱氧化法 ..........................................................................................................4 干氧氧化 ...................................................................................................4 水汽氧化 ...........................................................................................................................4 濕氧氧化 ...........................................................................................................................4 化學(xué)氣相淀積法 ...............................................................................................................5 物理氣相淀積法（ PVD） ...........................................................................................7 多腔集成 CVD 設(shè)備 .......................................................................................................8 第 4 章 二氧化硅薄膜厚度的測(cè)量方法 .......................................................................9 比色法 ...............................................................................................................9 雙光干涉法 .......................................................................................................9 橢圓偏振光法 ................................................................................................. 11 第 5 章 二氧化硅薄膜的用途 .....................................................................................12 二氧化硅的掩蔽作用 .....................................................................................12 二氧化硅薄膜的保護(hù)和鈍化作用 .................................................................12 二氧化硅薄膜的隔離作用 .............................................................................12 二氧化硅在某些器件中的重要作用 .............................................................12 用于電極引線和硅器件之間的絕緣 .............................................................12 第 6 章 二氧化硅薄膜在不同領(lǐng)域的應(yīng)用 .................................................................13 微電子學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用 .....................................................................................13 在光學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用 .........................................................................................13 二氧化硅薄膜在單晶硅太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用 .............................................14 在其他領(lǐng)域的應(yīng)用 .........................................................................................14 第 7 章 結(jié)束語(yǔ) .............................................................................................................15 參考文獻(xiàn) 答謝辭 常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院電子與電氣工程學(xué)院 畢業(yè)設(shè)計(jì)論文 摘 要 隨著微電子技術(shù)的不斷發(fā)展，近年來(lái)，二氧化硅薄膜在其領(lǐng)域也是起著越來(lái)越至關(guān)重要的作用，二氧化硅薄膜具有良好的硬度、光學(xué)、介電性質(zhì)及耐磨、抗蝕等特性，在光學(xué)、微電子學(xué)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景，目前是國(guó)際上廣泛關(guān)注的功能材料，通過(guò)不同的試驗(yàn)方法制備出各種參數(shù)的薄膜，然后應(yīng)用在不同的領(lǐng)域。 關(guān)鍵詞： 二氧化硅薄膜；薄膜厚度；廣泛應(yīng)用 常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院電子與電氣工程學(xué)院 畢業(yè)設(shè)計(jì)論文 Abstract With thecontinuous development of microelectronics technology, in recent years, silicon dioxide thin film in the field is also playing a mo