【正文】 常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院 學(xué)生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）報(bào)告 系 別： 專 業(yè)： 班 號(hào)： 學(xué) 生 姓 名： 學(xué) 生 學(xué) 號(hào)： 設(shè)計(jì)（論文）題目： 二氧化硅薄膜的制備與應(yīng)用分析 指 導(dǎo) 教 師： 設(shè) 計(jì) 地 點(diǎn)： 起 迄 日 期： 常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院電子與電氣工程學(xué)院 畢業(yè)設(shè)計(jì)論文 畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）任務(wù)書 專業(yè) 班級(jí) 姓名 一、課題名稱： 二氧化硅薄膜的制備與應(yīng)用分析 二、主要 研究?jī)?nèi)容： 對(duì)二氧化硅的物理、化學(xué)性質(zhì)進(jìn)行分析和闡述。 分析二氧化硅薄膜的的制備方法，研究物理氣相沉積，化學(xué)氣相淀積，熱氧化法，溶膠凝膠 法的制備流程。 根據(jù)不同的需要，研究采用相對(duì)應(yīng)的二氧化硅薄膜的不同測(cè)量方法。 針對(duì)不同的用途和要求，分析相應(yīng)的性質(zhì)及發(fā)展前景。 三 、主要工作內(nèi)容： 首先查閱相關(guān)參考文獻(xiàn)資料對(duì)二氧化硅薄膜的物理化學(xué)性質(zhì)有所認(rèn)識(shí)，然后根據(jù)二氧化硅在不同領(lǐng)域的應(yīng)用，其次研究相應(yīng)二氧化硅的參數(shù)及制備方法過程，最后對(duì)二氧化硅薄膜的應(yīng)用發(fā)展前景做一定的總結(jié)。 四、主要參考文獻(xiàn)： [1] 張淵 . 半導(dǎo)體制造工藝 — 北京：機(jī)械工業(yè)出版社 ,. [2] 許生 ,侯曉 波 ,范垂禎 ,等 .硅靶中頻反應(yīng)磁控濺射二氧化硅薄膜的特性研究 [J]2020. [3] 張紅梅 ,尹云華 .太陽(yáng)能電池的研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì) [J].水電能源科學(xué)， 2020， 26(6)： 193197. [4] 王學(xué)華 ,薛亦渝 ,趙力 ,等新型光學(xué)薄膜研究及發(fā)展現(xiàn)狀 [J]2020. 學(xué) 生（簽名） 年 月 日 指 導(dǎo) 教師（簽名） 年 月 日 教研室主任（簽名） 年 月 日 系 主 任（簽名） 年 月 日 常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院電子與電氣工程學(xué)院 畢業(yè)設(shè)計(jì)論文 畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）開題報(bào)告 設(shè)計(jì)（論文）題目 二氧化硅薄膜的制備與應(yīng)用分析 一、 選題的背景和意義： 在微電子工藝中，二氧化 硅薄膜因其優(yōu)越的電絕緣性和工藝的可行性而被廣泛采用。在半導(dǎo)體器件中，利用二氧化硅禁帶寬可變的特性，可作為非晶硅太陽(yáng)電池的薄膜光吸收層，以提高光吸收效率；還可以作為金屬 氧化物 半導(dǎo)體（ MNSO）存儲(chǔ)器件中的電荷存儲(chǔ)層，集成電路中 CMOS 器件和 SiGeMOS器件及薄膜晶體管（ TFT）中的柵介質(zhì)層等。 20 世紀(jì) 80 年代末期，隨著光通信及集成光學(xué)研究的飛速發(fā)展，玻璃薄膜光波導(dǎo)被廣泛應(yīng)用于光無(wú)源器件及集成光路中。制備性能良好的用作光波導(dǎo)的薄膜顯得至關(guān)重要。損耗器件方面有應(yīng)用前景，在光學(xué)集成和光電集成器件方面 有應(yīng)用前景，可作為波導(dǎo)膜、減反膜和增透膜。 二、 課題研究的主要內(nèi)容： 分析二氧化硅的結(jié)構(gòu)、物理性質(zhì)、化學(xué)性質(zhì)，闡述二氧化硅薄膜的制備方法。 闡述二氧化硅薄膜的用途。 二氧化硅薄膜的測(cè)量方法的對(duì)比。 二氧化硅薄膜的用途。 二氧化硅薄膜在不同領(lǐng)域的應(yīng)用及發(fā)展前景。 三、 主要研究（設(shè)計(jì)）方法論述： 本文主要采用了文獻(xiàn)研究法、信息研究法以及描述性研究法。充分利用豐富的網(wǎng)絡(luò)資源以及書籍資料查找關(guān)于刻蝕技術(shù)的資料，認(rèn)真閱讀資料內(nèi)容，篩選對(duì)自己有用的知識(shí)，然后對(duì)有用的資料進(jìn)行整理歸納，將自己的理解 隨時(shí)記錄，寫論文時(shí)將搜集整理的資料與自己的理解相結(jié)合，認(rèn)真的完成本篇論文。 常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院電子與電氣工程學(xué)院 畢業(yè)設(shè)計(jì)論文 四、設(shè)計(jì)（論文）進(jìn)度安排： 時(shí)間（迄止日期） 工 作 內(nèi) 容 2020 年 10 月 25 日 前 根據(jù)本專業(yè)確定相關(guān)論文題目 2020 年 11 月 1 日 根據(jù)老師下達(dá)的任務(wù)書，談些開題報(bào)告 2020 年 11 月 10 日 參考論文模板擬定提綱 2020 年 11 月 15 日 通過網(wǎng)絡(luò)和書籍手機(jī)相關(guān)資料，按照設(shè)想的方案初步擬定目錄。 2020 年 11 月 18 日 根據(jù)目錄初步完善選擇的相關(guān)資料 2020 年 11 月 20 日 完成初 稿，仔細(xì)檢查論文的完整性，內(nèi)容正式，嚴(yán)謹(jǐn) 2020 年 11 月 25 日 對(duì)論文進(jìn)行修改糾正。 2020 年 5 月 30 日 對(duì)論文進(jìn)行裝訂。 2020 年 6 月 5 日 畢業(yè)設(shè)計(jì)材料整理、歸檔、保存、畢業(yè)設(shè)計(jì)工作總結(jié)，完成論文。 五、指導(dǎo)教師意見： 指導(dǎo)教師簽名： 年 月 日 六、系部意見： 系主任簽名： 年 月 日 常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院電子與電氣工程學(xué)院 畢業(yè)設(shè)計(jì)論文 二氧 化硅薄膜的制備與應(yīng)用分析 目錄 摘要 Abstract 第 1 章 前言 ...................................................................................................................1 第 2 章 二氧化硅的簡(jiǎn)介 ...............................................................................................2 二氧化硅薄膜的性質(zhì) .......................................................................................2 二氧化硅的物理性質(zhì) ..................................................................................................2 二氧化硅的化學(xué)性質(zhì) ..................................................................................................3 第 3 章 二氧化硅薄膜的主要制備方法 .......................................................................4 熱氧化法 ..........................................................................................................4 干氧氧化 ...................................................................................................4 水汽氧化 ...........................................................................................................................4 濕氧氧化 ...........................................................................................................................4 化學(xué)氣相淀積法 ...............................................................................................................5 物理氣相淀積法（ PVD） ...........................................................................................7 多腔集成 CVD 設(shè)備 .......................................................................................................8 第 4 章 二氧化硅薄膜厚度的測(cè)量方法 .......................................................................9 比色法 ...............................................................................................................9 雙光干涉法 ...................................................................................................