led生產(chǎn)線設計-全文預覽
【正文】 10]。這種芯片的烘干溫度是100～ 150℃，時間一般是 60～ 90min。 是未來半導體照明的核心器件，同時也是 LED 引領 21 世紀照明領域新潮流的希望所在。 表面貼片封裝一般有兩種結(jié)構：一種為金屬支架片式 LED，另一種為 PCB片式 LED。除 PLCC2 和 PLCC4 外，還有 060080 120 5050、 3528 等形式。 PLCC 通常采用的是塑料材料作為LED 的外殼，將 LED 芯片放在頂部凹槽處，底部封以金屬片狀引腳，其特點是結(jié)構緊湊 ，可以進行波峰焊或者回流焊，適合規(guī)?；a(chǎn)的要求。該技術封裝出的二極管 具有體積小、散射角大、 發(fā)光均勻性好、可靠性高等優(yōu)點。透鏡頭可以做成是橢圓頭、矩形頭、斜面頭、三角形和階梯形等，以實現(xiàn)不同的配光要求。而新 的研究表明以納米 MgO 為填料，添加環(huán)氧樹脂 AB 膠固化體系中，可以增強固化物的導熱性能，同時少量的 MgO還影響固化物的透光性 [7]。 ② 均勻性好，合格率高，黑燈率控制在 3/10000。 這種技術就是將 LED芯片黏結(jié)在引線架上。雖然 LED 的封裝與晶體三極管這類半導體分立器件的封裝一樣，都具有保護芯片不受外界環(huán)境影響和提高 器件導熱能力等功能，但是 LED 的封裝卻覺有很大的特殊性，它還有一個更重要的作用是提高出光效率，并實現(xiàn)特定的光學分布，輸出可見光。因此，為了提高芯 片的發(fā)光效率，必須控制溫度和提高出光效率。）、電極和電流擴展技術。 ，并且可以 在較大范圍內(nèi)調(diào)整外延生長速度。是生長 IIIV族、 IIVI 族化合物及合金薄膜單晶的主要方法。 ④ 發(fā)光符合概率大。因此對外延材料的要求也相當?shù)膰栏瘢ǔＰ枰獫M足以下幾點： ① 要求有合適的帶隙寬度 Eg。 在 GaN外延生長的溫度和氣氛中容易發(fā)生分解和被腐蝕。 其實現(xiàn)商品化受限制。 硅（ Si） 晶體質(zhì)量高，尺寸大，成本低，易加工，有良好的導電性、導熱性和熱穩(wěn)定性。 名稱 優(yōu)點 缺點 藍寶石（ Al2O3） 化學穩(wěn)定性好，不吸收可見光，透光性好，制備技術比較成熟，價格適中。無論是選擇何種技術路線和實現(xiàn)方法，都會包含材料制備、芯片制造和封裝這三個基本環(huán)節(jié)，如圖 1 所示 ?，F(xiàn)階段，從事該產(chǎn)業(yè)的人數(shù)達數(shù)萬人，研究機構數(shù)十個，企業(yè) 4000 多家，而年產(chǎn)值在 300 萬以上的有 150 余家，其中年產(chǎn)值上千萬的有 20 余家 [4]。 美國 Lumileds 公司 GaN 基藍、率 LED 外延、芯片及白光封裝技術， AlGaInP 功率 LED。近年來，隨著人們對半導體發(fā)光材料研究的不斷深入， LED 制造工藝的不斷進步和新材料（氮化物晶體和熒光粉）的開發(fā)和應用，各種顏色的超高亮度 LED 取得了突破性進展，其發(fā)光效率提高了近 1000倍，色度方面已實現(xiàn)了可見光波段的所有顏色，其中最重要的是超高亮度白光LED 的出現(xiàn)，使 LED 應用領域跨越至高效率照明光源市場成為可能。而在 20 世紀 90 年代初，隨著 LED 的亮度有較大提高， LED 的發(fā)展應用才進入“信號和顯示階段” [1]。它具有壽命長、光效高、光色純、穩(wěn)定性高、安全性好、無輻射、低功耗、抗震、耐擊打等一家族優(yōu)點， 極有可能成為取代白熾燈和熒光燈的第四代光源， 被譽為 21 世紀新固體光源時代的革命性技術。 指導教師的評語： 指導教師（簽字） 年 月 日 LED 生產(chǎn)工藝現(xiàn)狀 摘要： 本文主要介紹了 LED 目前較為成熟的生產(chǎn)工藝流程。 ， 內(nèi)容必須與課題或?qū)I(yè)方向緊密相關 ，理工類不得少于 10 篇，其它不少于 12 篇。其
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