【正文】 S就有一個(gè)確定的 iD 。第四版童詩(shī)白97(4) UDS 對(duì)導(dǎo)電溝道的影響 (UGS UT)導(dǎo)電溝道呈現(xiàn)一個(gè)楔形。VGG? ? ?? ? ?(3) UDS = 0， UGS ≥ UGS(th)　 　 由于吸引了足夠多 P型襯底的電子， 會(huì)在耗盡層和 SiO2 之間形成可移動(dòng)的表面電荷層 ——? ? ?N 型溝道 反型層、 N 型導(dǎo)電溝道。第四版童詩(shī)白94一、 N 溝道增強(qiáng)型 MOS 場(chǎng)效應(yīng)管 結(jié)構(gòu)P 型襯底N+ N+BGS DSiO2源極 S 漏極 D襯底引線 B柵極 G圖 　 N 溝道增強(qiáng)型 MOS 場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖SGDB第四版童詩(shī)白951. 工作原理 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管利用 UGS 來(lái)控制 “ 感應(yīng)電荷 ” 的多少，改變由這些 “ 感應(yīng)電荷 ” 形成的導(dǎo)電溝道的狀況，以控制漏極電流 ID。第四版童詩(shī)白93　絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFETMetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor 由金屬、氧化物和半導(dǎo)體制成。此時(shí)， 可以把 iD近似看成 uGS控制的電流源。場(chǎng)效應(yīng)管為電壓控制元件 (VCCS)。GDSP+ NiSiDP+ P+ VDDVGG uGS 0， uGD UGS（ Off) ， iD 更小。第四版童詩(shī)白821. 當(dāng) UDS = 0 時(shí) ， uGS 對(duì)導(dǎo)電溝道的控制作用ID = 0GDSN型溝道P+ P+ (a) UGS = 0UGS = 0 時(shí)，耗盡層比較窄，導(dǎo)電溝比較寬第四版童詩(shī)白831. 當(dāng) UDS = 0 時(shí) ， uGS 對(duì)導(dǎo)電溝道的控制作用UGS 由零逐漸減小，耗盡層逐漸加寬，導(dǎo)電溝相應(yīng)變窄。第四版童詩(shī)白80P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管　 P 溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)圖N+ N+P型溝道GSD P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管是在 P 型硅棒的兩側(cè)做成高摻雜的 N 型區(qū) (N+)， 導(dǎo)電溝道為 P 型 ，多數(shù)載流子為空穴。解：解：第四版童詩(shī)白75　光電三極管一、等效電路、符號(hào)二、光電三極管的輸出特性曲線ceceiCuCEO圖 E1E2E3E4E＝ 0第四版童詩(shī)白76復(fù)習(xí) 電流關(guān)系 ？IE =IC+IB、輸出特性曲線？uCE = 0V uCE ? 1VuBE /V？第四版童詩(shī)白77　場(chǎng)效應(yīng)三極管場(chǎng)效應(yīng)管： 一種載流子參與導(dǎo)電，利用輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的三極管，又稱 單極型三極管。　?。ā　。?1）） U1 b、 U2 e、 U3 c NPN 硅硅 （（ 2）） U1 b、 U2 e、 U3 c NPN 鍺鍺 （（ 3）） U1 c、 U2 b、 U3 e PNP 硅硅 （（ 4）） U1 c、 U2 b、 U3 e PNP 鍺鍺原則：先求 UBE，若等于 ，為硅管；若等于 ，為鍺管。管型為 NPN管。 IA＝ 2mA,IB＝ ,IC＝ +,試判斷管腳、管型。 輸出特性曲線上的過(guò)損耗區(qū)和擊穿區(qū) PCM= iCuCE U (BR) CEO UCE/V第四版童詩(shī)白71　溫度對(duì)晶體管特性及參數(shù)的影響一、溫度對(duì) ICBO的影響溫度每升高 100C ， ICBO增加約一倍。第四版童詩(shī)白67三極管的參數(shù)分為三大類 : 直流參數(shù)、交流參數(shù)、極限參數(shù)一、直流參數(shù)=（ IC－ ICEO） /IB≈IC / IB ? vCE=const 的主要參數(shù) ICBO集電極發(fā)射極間的反向飽和電流 ICEOICEO=（ 1+ ） ICBO第四版童詩(shī)白68二、交流參數(shù) ? ? =?iC/?iB?UCE=const2. 共基極交流電流放大系數(shù) α α =?iC/?iE? UCB=const fT?值下降到 1的信號(hào)頻率第四版童詩(shī)白69 PCM PCM= iCuCE 三、 極限參數(shù) ICM3. 反向擊穿電壓 ? UCBO—— 發(fā)射極開路時(shí)的集電結(jié)反 　　　　　向擊穿電壓。iC=f(uCE)? IB=const二、輸出特性曲線輸出特性曲線的三個(gè)區(qū)域 :截止區(qū)： iC接近零的區(qū)域，相當(dāng) iB=0的曲線的下方。5. ?與 ?的關(guān)系　ICIE +C2+C1VEEReVCCRc共基極接法第四版童詩(shī)白65 晶體管的共射特性曲線uCE = 0VuBE /V iB=f(uBE)? UCE=const(2) 當(dāng) uCE≥1V時(shí)， uCB= uCE uBE0，集電結(jié)已進(jìn)入反偏狀態(tài)，開始收 集電子，基區(qū)復(fù)合減少，在同樣的 uBE下 IB減小，特性曲線右移。晶體管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)第四版童詩(shī)白61becI EI BRcRb，漂移運(yùn)動(dòng)形成集電極電流 Ic 　集電結(jié)反偏，有利于收集基區(qū)擴(kuò)散過(guò)來(lái)的電子而形成集電極電流 I。3. 集電結(jié)面積大?！?不具備放大作用第四版童詩(shī)白59三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)要求：NNPebc　　 1. 發(fā)射區(qū)高摻雜。圖 　三極管的外形X：低頻小功率管D：低頻大功率管G：高頻小功率管A：高頻大功率管第四版童詩(shī)白55　晶體管的結(jié)構(gòu)及類型常用的三極管的結(jié)構(gòu)有硅平面管和鍺合金管兩種類型。第四版童詩(shī)白54　雙極型晶體管 (BJT)　又稱半導(dǎo)體三極管、晶體三極管，或簡(jiǎn)稱晶體管。DZ第四版童詩(shī)白46(1) 穩(wěn)定電壓 UZ(2) 動(dòng)態(tài)電阻 rZ 在規(guī)定的穩(wěn)壓管反向工作電流 IZ下，所對(duì)應(yīng)的反向工作電壓。– 50I / mAU / – 2551015––0溫度增加第四版童詩(shī)白39 二極管的參數(shù)(1) 最大整流電流 IF(2) 反向擊穿電壓 U（ BR） 和最高反向工作電壓 URM(3) 反向電流 IR(4) 最高工作頻率 fM(5) 極間電容 Cj在實(shí)際應(yīng)用中，應(yīng)根據(jù)管子所用的場(chǎng)合，按其所承受的最高反向電壓、最大正向平均電流、工作頻率、環(huán)境溫度等條件，選擇滿足要求的二極管。 PN 結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開關(guān)電路中。一般來(lái)說(shuō)，當(dāng)二極管正向偏置時(shí)，擴(kuò)散電容起主要作用，即可以認(rèn)為 Cj ? Cd；在信號(hào)頻率較高時(shí)，須考慮結(jié)電容的作用?！?　 正向電壓變化時(shí)，變化載流子積累電荷量發(fā)生變化，相當(dāng)于電容器充電和放電的過(guò)程 —— 擴(kuò)散電容效應(yīng)。O uCb圖 （b)第四版童詩(shī)白322. 擴(kuò)散電容 Cd?Q是由多數(shù)載流子在擴(kuò)散過(guò)程中積累而引起的。(a) PN 結(jié)加正向電壓 （ b) PN 結(jié)加反向電壓?N空間電荷區(qū)PV RI + UN空間電荷區(qū)PRI+? UV第四版童詩(shī)白31　 　 空間電荷區(qū)的正負(fù)離子數(shù)目發(fā)生變化，如同電容的放電和充電過(guò)程?！　? （動(dòng)畫 14） （動(dòng)畫 15）綜上所述：可見， PN 結(jié)具有 單向?qū)щ娦?。2. PN 結(jié)結(jié) 外加反向電壓時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài) (反偏 )　 　 反向接法時(shí)，外電場(chǎng)與內(nèi)電場(chǎng)的方向一致，增強(qiáng)了內(nèi)電場(chǎng)的作用；外電場(chǎng)使空間電荷區(qū)變寬；　 　 不利于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，有利于漂移運(yùn)動(dòng)，漂移電流大于擴(kuò)散電流，電路中產(chǎn)生反向電流 I ；由于少數(shù)載流子濃度很低，反向電流數(shù)值非常小。對(duì)稱結(jié)　即 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)與漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡?！?PN 結(jié)，耗盡層。 4. 雜質(zhì)半導(dǎo)體的表示方法如下圖所示。 空穴為多數(shù)載流子 ，電子為少數(shù)載流子?！　?電子稱為多數(shù)載流子 (簡(jiǎn)稱多子 )，　　 空穴稱為少數(shù)載流子 (簡(jiǎn)稱少子 )。常用的 5 價(jià)雜質(zhì)元素有磷、銻、砷等?！?　 4. 由于物質(zhì)的運(yùn)動(dòng)，自由電子和空穴不斷的產(chǎn)生又　 　 　不斷的復(fù)合?！?　 空穴可看成帶正電的載流子。光敏器件二極管第四版童詩(shī)白10+4+4+4+4 +4+4+4+4+4 完全純凈的、不含其他雜質(zhì)且具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo) 體 稱為本征半導(dǎo)體 將硅或鍺材料提純便形成單晶體，它的原子結(jié)構(gòu)為共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。半 導(dǎo) 體： 另有一 類 物 質(zhì) 的 導(dǎo)電 特性 處 于 導(dǎo) 體和 絕緣體之 間 ，稱 為 半 導(dǎo) 體 ，如 鍺 、硅、砷化 鎵和一些硫化物、氧化物等。 數(shù)字電子技術(shù)主要研究處理數(shù)字信號(hào)的電子電路。目前電子技術(shù)主要由 模擬電子技術(shù) 和 數(shù)字電子技術(shù) 兩部分組成?！　?dǎo) 言第四版童詩(shī)白25. 學(xué)習(xí)方法 重點(diǎn)掌握基本概念；基本電路的結(jié)構(gòu)、性能特點(diǎn)；基本分析估算方法。4. 教學(xué)目標(biāo) 能夠?qū)σ话阈缘?、常用的模擬電子電路進(jìn)行分析，同時(shí)對(duì)較簡(jiǎn)單的單元電路進(jìn)行設(shè)計(jì)。 電子技術(shù)就是研究 電子器件 及 電路系統(tǒng) 設(shè)計(jì)、分析及制造的工程實(shí)用技術(shù)。 模擬信號(hào)就是幅度連續(xù)的信號(hào)，如溫度、壓力、流量等。絕緣 體： 有的物 質(zhì) 幾乎不 導(dǎo)電 ，稱 為 絕緣 體 ，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。往 純凈 的半 導(dǎo) 體中 摻 入某些 雜質(zhì)，會(huì)使它的 導(dǎo)電 能力明 顯 改 變 。T ? 自由電子 和 空穴 使 本征半導(dǎo)體具有導(dǎo)電能力，但很微弱?！　?3. 本征半導(dǎo)體中 自由電子 和 空穴 的濃度 用 ni 和 pi 　　　　　　 表示，顯然 ni = pi 。小結(jié)：　第四版童詩(shī)白14　雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體有兩種N 型半導(dǎo)體P 型半導(dǎo)體一、 N 型半導(dǎo)體 (Negative)　 　 在硅或鍺的晶體中摻入少量的 5 價(jià) 雜質(zhì)元素，如　 　磷、銻、砷等，即構(gòu)成 N 型半導(dǎo)體 (或稱電子型　 　半導(dǎo)體 )。 自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴的濃度，即 n p ?！?　 空穴濃度多于電子濃度，即 p n。3. 雜質(zhì)半導(dǎo)體總體上保持電中性。 P NPN結(jié)圖 　 PN 結(jié)的形成一、 PN 結(jié)的形成　 PN結(jié)第四版童詩(shī)白21 PN 結(jié)中載流子的運(yùn)動(dòng)耗盡層空間電荷區(qū)P N1. 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)　 　 2. 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成空間電荷區(qū)　 　 電子和空穴濃度差形成多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。 少子的運(yùn)動(dòng)與多子運(yùn)動(dòng)方向相反 阻擋層第四版童詩(shī)白235. 擴(kuò)散與漂移的動(dòng)態(tài)平衡擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)使空間電荷區(qū)增大，擴(kuò)散電流逐漸減??；隨著內(nèi)電場(chǎng)的增強(qiáng)，漂移運(yùn)動(dòng)逐漸增加；當(dāng)擴(kuò)散電流與漂移電流相等時(shí)， PN 結(jié)總的電流等于零，空間電荷區(qū)的寬度達(dá)到穩(wěn)定。圖 P N什么是 PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕坑惺裁醋饔?？第四版童?shī)白25　　在 PN 結(jié)加上一個(gè)很小的正向電壓，即可得到較大的正向電流，為防止電流過(guò)大，可接入電阻 R。P N外電場(chǎng)方向內(nèi)電