【正文】 cX3， a、 b 和 c 均小于零。 （ 5） 運(yùn)算電路可實(shí)現(xiàn) Au＞ 1 的放大器。 三、填空： （ 1）為了避免 50Hz 電網(wǎng)電壓的干擾進(jìn)入放大器， 應(yīng)選用 濾波電路。 （ 3）欲將正弦波電壓疊加上一個(gè)直流量，應(yīng)選用 。 （ ） （ 4）各種濾波電路的通帶放大倍數(shù)的數(shù)值均大于 1。試問： （ 1）在不失真的情況下，輸入電壓最大有效值 Uimax為多少伏？ （ 2）若 Ui＝ 10mv(有效值 )，則 Uo＝？若此時(shí) R3 開路，則 Uo=？若 R3 短路，則 Uo=？ 33 第 五 章 集成運(yùn)算放大器及應(yīng)用 自 測(cè) 題 一、判斷下列說法是否正確，用“√”或“”表示判斷結(jié)果。設(shè) T1與 T3 的低頻跨導(dǎo) gm均為 2mA/V， T2 和 T4 的電流放大系數(shù)β 均為 80。設(shè) T1和 T2 的電流放大系數(shù)分別為 β 1 和 β 2， be間動(dòng)態(tài)電阻分別為 rbe1 和 rbe2。試計(jì)算 RW 滑動(dòng)端在中點(diǎn)時(shí) T1 管和 T2 管的發(fā)射極靜態(tài)電流 IEQ，以及動(dòng)態(tài)參數(shù) Aud 和 Ri。 圖 設(shè)圖 （ a）（ b）所示電路的靜態(tài)工作點(diǎn)均合適，分別畫出它們的交流等效電路，并寫出 Au、Ri 和 Ro 的表達(dá)式。 A. 差 B. 和 C. 平均值 （ 5）用恒流源取代長(zhǎng)尾式差分放大電路中的發(fā)射極電阻 Re，將使電路的 。 （ 1）直接耦合放大電路存在零點(diǎn)漂移的原因是 。 估算圖 （ d）～（ h）所示各電路在深度負(fù)反饋條件 下電壓放大倍數(shù)。 A．電壓 B．電流 C．串聯(lián) D．并聯(lián) （ 1）為了穩(wěn)定放大電路的輸出電壓，應(yīng)引入 負(fù)反饋； （ 2）為了穩(wěn)定放大電路的輸出電流，應(yīng)引入 負(fù)反饋； （ 3）為了增大放大電路的輸入電阻，應(yīng)引入 負(fù)反饋； （ 4）為了減小放大電路的輸入電阻，應(yīng)引入 負(fù)反饋； （ 5）為了增大放大電路的輸出電阻，應(yīng)引入 負(fù)反饋； （ 6）為了減小放大電路的輸出電阻，應(yīng)引入 負(fù)反饋。 A．輸入電阻增大 B．輸出量增大 C．凈輸入量增大 D．凈輸入量減小 （ 3）直流負(fù)反饋是指 。 三 、 選擇合適的答案填入空內(nèi)。（ ） （ 7）反饋量?jī)H僅決定于輸出量。（ ） （ 3）若放大電路引入 負(fù)反饋，則負(fù)載電阻變化時(shí)，輸出電壓基本不變。 圖 （ 1）為了使得最大不失真輸出電壓幅值最大，靜態(tài)時(shí) T2和 T4 管的發(fā)射極電 位應(yīng)為多少？若不合適，則一般應(yīng)調(diào)節(jié)哪個(gè)元件參數(shù)？ （ 2）若 T2和 T4 管的飽和管壓降│ UCES│＝ 3V，輸入電壓足夠大，則電路的最大輸出功率 Pom和效率 η 各為多少？ 24 （ 3） T2 和 T4 管的 ICM、 U（ BR） CEO 和 PCM應(yīng)如何選擇？ 已知圖 所示電路中 T1 和 T2 管的飽和管壓降│ UCES│＝ 2V，導(dǎo)通時(shí)的│ UBE│＝ ，輸入電壓足夠大。 在圖 所示電路中，已知 VCC＝ 15V， T1 和 T2 管的飽和管壓降│ UCES│＝ 2V，輸入電壓足夠大。 在圖 所示電路中，已知二極管的導(dǎo)通電壓 UD＝ ，晶體管導(dǎo)通時(shí)的│ UBE│＝ ，T2 和 T4 管發(fā)射極靜態(tài)電位 UEQ＝ 0V。 已知某電路的波特圖如圖 所示，試寫出 ?uA 的表達(dá)式。 圖 電路如圖 （ a）（ b）所示，晶體管的 β 均為 50， rbe均為 ， Q 點(diǎn)合適。 圖 設(shè)圖 所示各電路的靜態(tài)工作點(diǎn)均合適，分別畫出它們的交流等效電路 ，并寫出 Au、 Ri和 Ro 的表達(dá)式。 圖 電路如圖 所示，已知場(chǎng)效應(yīng)管的低頻跨導(dǎo)為 gm，試寫出 Au、 Ri 和 Ro 的表達(dá)式。 圖 已知圖 (a)所示電路中場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性分別如圖（ b） (c)所示。（ 1）求出 Q 點(diǎn)； （ 2）分別求出 RL＝∞和 RL＝ 3kΩ時(shí)電路的 Au 和 Ri； （ 3）求出 Ro。 18 試 求出圖 （ c）所示電路 Q 點(diǎn)、 Au、 Ri和 Ro 的表達(dá)式。 參數(shù)變化 IBQ UCEQ uA Ri Ro Rb 增大 Rc增大 RL 增大 電路如圖 所示，晶體管的β＝ 100， Rbb’=100Ω。 圖 圖 在圖 所示電路中，由于電路參數(shù)不同，在信號(hào)源電壓為正弦波時(shí)，測(cè)得輸出波形如圖 （ a）、（ b）、（ c）所示，試說明電路分別產(chǎn)生了什么失真，如何消除。判斷下列結(jié)論是否正確，凡對(duì)的在括號(hào)內(nèi)打“ ”，否則打“”。設(shè)所有電容對(duì)交流信號(hào)均可視為短路。 A．可能因功耗過大燒壞 B．始終飽和 C．始終截止 14 習(xí) 題 按要求填寫下表。 A．飽和失真 B．截止失真 C．交越失真 2. 靜態(tài)時(shí)，晶體管發(fā)射極電位 UEQ 。（ ） 2..功率放大 電路與電壓放大電路的區(qū)別是 （ 1）前者比后者電源電壓高；（ ） （ 2）前者比后者電壓放大倍數(shù)數(shù)值大；（ ） （ 3）前者比后者效率高；（ ） （ 4）在電源電壓相同的情況下，前者比后者的最大不失真輸出電壓大；（ ） 3..功率放大電路與電流放大電路的區(qū)別是 （ 1）前者比后者電流放大倍數(shù)大；（ ） （ 2）前者比后者效率高；（ ） （ 3）在電源電壓相同的情況下，前者比后者的輸出功率大。 A． 1W B． C． （ 8）在選擇功放電路中的晶體管時(shí)，應(yīng)當(dāng)特別注意的參數(shù)有 。 A.＋ 45? B.－ 90? C.－ 135? 當(dāng) f ＝ fH 時(shí)， uo 與 ui 的相位關(guān)系是 。 ，改變頻率 ，改變幅值 11 （ 2）放大電路在高頻信號(hào)作用時(shí)放大倍數(shù)數(shù)值下降的原因是 ，而低頻信號(hào)作用時(shí)放大倍數(shù)數(shù)值下降的原因是 。 （ 4）要求電壓放大倍數(shù)的數(shù)值大于 10，輸入電阻大于 10MΩ，輸出電阻小于 100Ω，第一級(jí)應(yīng)采用 ，第二級(jí)應(yīng)采用 。根據(jù)要求選擇合適電路組成兩級(jí)放大電路。 ( ) （ 6）在功率放大電路中，輸出功率愈大，功放管的功耗愈大。 ( ) （ 2）阻容耦合多級(jí)放大電路各級(jí)的 Q 點(diǎn)相互獨(dú)立， ( )它只能放大交流信號(hào)。 9 圖 圖 電路如圖 所示， T 的輸出特性如圖 所示，分析當(dāng) uI＝ 4V、 8V、 12V 三種情況下場(chǎng)效應(yīng)管分別工作在什么區(qū)域。 圖 已知某結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的 IDSS＝ 2mA， UGS（ off） ＝－ 4V，試畫出它的轉(zhuǎn)移。 圖 電路如圖 所示，晶 體管導(dǎo)通時(shí) UBE＝ ，β =50。你認(rèn)為應(yīng)選用哪只管子？為什么？ 已知兩只晶體管的電流放大系數(shù)β分別為 50 和 100，現(xiàn)測(cè)得放大電路中這兩只管子兩個(gè)電極的電流如圖 所示。 （ 1）分別計(jì)算 UI為 10V、 15V、 35V 三種情況下輸出電壓 UO 的值； （ 2）若 UI＝ 35V 時(shí)負(fù)載開路，則會(huì)出現(xiàn)什么現(xiàn)象 ?為 什么？ 圖 在圖 所示電路中，發(fā)光二極管導(dǎo)通電壓 UD＝ ，正向電流在 5～ 15mA 時(shí)才能正常工作。試問二極管中流過的交流電流有效值為多少？ 圖 現(xiàn)有兩只穩(wěn)壓管，它們的穩(wěn)定電壓分別為 6V 和 8V，正向?qū)妷簽?。試畫出 ui 與 uO 的波形，并標(biāo)出幅值。試分析各管的工作狀態(tài) (截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū) )，并填入表內(nèi)。求圖 所示電路中 UO1和 UO2各為多少伏。 A. 增大 B. 不變 C. 減小 （ 7）工作在放大區(qū)的某三極管，如果當(dāng) IB從 12μ A 增大到 22μ A 時(shí)， IC從 1mA 變?yōu)?2mA，那么它的β約為 。 A. 正向?qū)? （ 3）當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為 。（ ） （ 6）若耗盡型 N 溝道 MOS 管的 UGS大于零，則其輸入電阻會(huì)明顯變小。（ ） （ 2）因?yàn)?N 型半導(dǎo)體的多子是自由電子，所以它帶負(fù)電。 （ 1）在 N 型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素，可將其改型為 P 型半導(dǎo)體。（ ） （ 5）結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管外加的柵 源電壓應(yīng)使柵 源間的耗盡層承受反向電壓，才能保證其 RGS 大 的特點(diǎn)。 A. 變窄 B. 基本不變 C. 變寬 （ 2）穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在 。 A. 五價(jià) B. 四價(jià) C. 三價(jià) （ 6）當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管的反向飽和電流將 。 3 圖 四、已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值 UZ＝ 6V，穩(wěn)定電流的最小值 IZmin＝ 5mA。試問： （ 1） Rb＝ 50kΩ時(shí)， uO＝？ （ 2）若 T 臨界飽和，則 Rb≈？ 4 圖 七．測(cè)得某放大電路中三個(gè) MOS 管的三個(gè)電極的電位如表 所示，它們的開啟電壓也在表中。 圖 圖 電路如圖 所示，已知 ui＝ 5sinω t (V)，二極管導(dǎo)通電壓 UD＝ 。 圖 電路如圖 所示，二極管導(dǎo)通電壓 UD＝ ，常溫下 UT≈ 26mV，電容 C 對(duì)交流信號(hào)可視為短路； ui 為正弦波，有效值為 10mV。 圖 已知圖 所示電路中穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓 UZ＝ 6V，最小穩(wěn)定電流 IZmin＝ 5mA，最大穩(wěn)定電流IZmax＝ 25mA。 在溫度 20℃時(shí)某晶體管的 ICBO＝ 2μ A，試問溫度是 60℃時(shí) ICBO≈？ 有兩只晶體管，一只的β＝ 200， ICEO＝ 200μ A；另一只的β＝ 100， ICEO＝ 10μ A，其它參數(shù) 7 大致相同。在圓圈中畫出管子，并分別說明它們是硅管還是鍺管。試問：當(dāng) uI＝ 0V 時(shí) uO＝？當(dāng) uI＝－ 5V 時(shí) uO＝？ 8 圖 分別判斷圖 所示各電路中晶體管是否有可能工作在放大狀態(tài)。 已知場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線如圖 所示，畫出它在恒流區(qū)的轉(zhuǎn)移特性曲線。 （ 1）現(xiàn)測(cè)得兩個(gè)共射放大電路空載時(shí)的電壓放大倍數(shù)均為－ 100，將它們連成兩級(jí)放大電路，其電壓放大倍數(shù)應(yīng)為 10000。 ( ) （ 5）互補(bǔ)輸出級(jí)應(yīng)采用共集或共漏接法。 ( ) 二、現(xiàn)有基本放大電路： 。 （ 3）要求輸入電阻為 100kΩ～ 200kΩ，電壓放大倍數(shù)數(shù)值大于 100，第一級(jí)應(yīng)采用 ，第二級(jí)應(yīng)采用 。 （ 1）測(cè)試放大電路輸出電壓幅值與相位的變化，可以得到它的頻率響應(yīng)，條件是 。