模擬電子技術(shù)-全文預(yù)覽
【正文】 (2 ? 3) ID可選： 2CZ55C(IF = 1 A， URM = 100 V)或 1 A、 100 V 整流橋2. 選濾波電容可選 ： 1 000 ?F，耐壓 50 V 的電解電容。深度負(fù)反饋：模 擬 電 子 技 術(shù)放大電路引入負(fù)反饋的一般原則一、欲穩(wěn)定某個(gè)量，則引該量的負(fù)反饋穩(wěn)定直流， 引直流反饋； 穩(wěn)定交流， 引交流反饋；穩(wěn)定輸出電壓， 引電壓反饋； 穩(wěn)定輸出電流，引電流反饋。iid = ii ? if特點(diǎn)： 信號(hào)源內(nèi)阻越大， 反饋效果越明顯。判別法： 使 io = 0(RL 開(kāi)路 )， 若反饋消失則為電流反饋。既有直流反饋，又有交流反饋。交流反饋 — 交流信號(hào)的反饋。 解： 先計(jì)算 Q點(diǎn) UB≈﹝ (+) ﹞ 12 = 3(V) ICQ≈(3－ )/1 = (mA) IBQ≈ (mA) UCEQ = 12－ (2+1) = (V)再計(jì)算 Au rbe = 300+(1+30)26/ = 650(Ω) RL′= RC∥ RL = 1(kΩ) Au =－ βRL′ / rbe = － 301/ = － 模 擬 電 子 技 術(shù) 負(fù)反饋放大電路的組成和基本類型 負(fù)反饋放大電路的組成和基本類型 負(fù)反饋對(duì)放大電路應(yīng)用中的幾個(gè)問(wèn)題負(fù)反饋對(duì)放大電路應(yīng)用中的幾個(gè)問(wèn)題 負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響 負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響反 饋 模 擬 電 子 技 術(shù)1. 反饋 — 將電路的輸出量 (電壓或電流 )的部分或全2. 部，通過(guò)一定的元件，以一定的方式回送到輸入回3. 路并影響輸入量 (電壓或電流 )和 輸出量的過(guò)程。 共射放大電路工作點(diǎn)的穩(wěn)定總之 T ICT UBE IB ICT ?、 ICEO IC模 擬 電 子 技 術(shù) 條件 ：若 I2IB， 則 UB穩(wěn)定 采用分壓式偏置電路穩(wěn)定工作點(diǎn)。這種由于動(dòng)態(tài)工作點(diǎn)進(jìn)入飽和區(qū)而引起的失真，稱為 “飽和失真 ”。但是，當(dāng)靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不當(dāng)時(shí)，輸出波形將出現(xiàn)嚴(yán)重的非線性失真。L （ R39。模 擬 電 子 技 術(shù) ③ 輸出電阻 RO 對(duì)于負(fù)載而言，放大器的輸出電阻 Ro越小，負(fù)載電阻 RL的變化對(duì)輸出電壓的影響就越小，表明放大器帶負(fù)載能力越強(qiáng)，因此總希望 Ro越小越好 。如果電路的輸出端開(kāi)路，即 RL=∞，則有 Au =－ βRC / rbe （ 212） 負(fù)載電阻越大，放大倍數(shù)越大。? 放大電路有信號(hào)輸入時(shí)，三極管各極的電流和電壓瞬時(shí)值既有 直流分量 ，又有 交流分量 。 負(fù)載電阻 RC、 RL將變化的集電極電流轉(zhuǎn)換為電壓輸出。這種小能量對(duì)大能量的控制作用，就是放大電路的放大作用。iCICMU(BR)CEO uCEPCMOICEO安全 工 作 區(qū)模 擬 電 子 技 術(shù)? 半導(dǎo)體三極管的主要用途之一是利用其電流放大作用組成各種放大電路。 Q二、 極間反向飽和電流 極間反向電流是由少數(shù)載流子形成的，其大小表征了管子的溫度特性 (越小越好 )。A30 181。A20 181。A10 181。AIB = 0O 2 4 6 8 43212. 放大區(qū)：放大區(qū)截止區(qū)條件： 發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏特點(diǎn)： 水平、等間隔ICEO模 擬 電 子 技 術(shù)iC / mAuCE /V50 181。A40 181。A30 181。(擊穿電壓 6 V，正 溫度系數(shù) )擊穿電壓在 6 V 左右時(shí)，溫度系數(shù)趨近零。模 擬 電 子 技 術(shù) 半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)和類型 二極管的伏安特性 二極管的主要參數(shù)模 擬 電 子 技 術(shù) 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)和類型構(gòu)成： PN 結(jié) + 引線 + 管殼 = 二極管 (Diode)符號(hào)： A (anode) C (cathode)分類：按材料分 硅二極管鍺二極管按結(jié)構(gòu)分點(diǎn)接觸型面接觸型平面型模 擬 電 子 技 術(shù)點(diǎn)接觸型正極引線觸絲N 型鍺片外殼負(fù)極引線負(fù)極引線 面接觸型N型鍺PN 結(jié) 正極引線鋁合金小球底座金銻合金正極引線負(fù)極引線集成電路中平面型PNP 型支持襯底模 擬 電 子 技 術(shù)模 擬 電 子 技 術(shù)反向擊穿類型：電擊穿熱擊穿反向擊穿原因 ： 齊納擊穿 ：(Zener)反向電場(chǎng)太強(qiáng)，將電子強(qiáng)行拉出共價(jià)鍵。如硅、鍺單晶體。本征 半導(dǎo)體 — 純凈的半導(dǎo)體。模 擬 電 子 技 術(shù)兩種載流子電子 (自由電子 )空穴兩種載流子的運(yùn)動(dòng)自由電子 (在共價(jià)鍵以外
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