模擬電子技術-全文預覽
【正文】 (2 ? 3) ID可選： 2CZ55C(IF = 1 A， URM = 100 V)或 1 A、 100 V 整流橋2. 選濾波電容可選 ： 1 000 ?F，耐壓 50 V 的電解電容。深度負反饋：模 擬 電 子 技 術放大電路引入負反饋的一般原則一、欲穩(wěn)定某個量，則引該量的負反饋穩(wěn)定直流， 引直流反饋； 穩(wěn)定交流， 引交流反饋；穩(wěn)定輸出電壓， 引電壓反饋； 穩(wěn)定輸出電流，引電流反饋。iid = ii ? if特點： 信號源內(nèi)阻越大， 反饋效果越明顯。判別法： 使 io = 0(RL 開路 )， 若反饋消失則為電流反饋。既有直流反饋，又有交流反饋。交流反饋 — 交流信號的反饋。 解： 先計算 Q點 UB≈﹝ (+) ﹞ 12 = 3(V) ICQ≈(3－ )/1 = (mA) IBQ≈ (mA) UCEQ = 12－ (2+1) = (V)再計算 Au rbe = 300+(1+30)26/ = 650(Ω) RL′= RC∥ RL = 1(kΩ) Au =－ βRL′ / rbe = － 301/ = － 模 擬 電 子 技 術 負反饋放大電路的組成和基本類型 負反饋放大電路的組成和基本類型 負反饋對放大電路應用中的幾個問題負反饋對放大電路應用中的幾個問題 負反饋對放大電路性能的影響 負反饋對放大電路性能的影響反 饋 模 擬 電 子 技 術1. 反饋 — 將電路的輸出量 (電壓或電流 )的部分或全2. 部，通過一定的元件，以一定的方式回送到輸入回3. 路并影響輸入量 (電壓或電流 )和 輸出量的過程。 共射放大電路工作點的穩(wěn)定總之 T ICT UBE IB ICT ?、 ICEO IC模 擬 電 子 技 術 條件 ：若 I2IB， 則 UB穩(wěn)定 采用分壓式偏置電路穩(wěn)定工作點。這種由于動態(tài)工作點進入飽和區(qū)而引起的失真，稱為 “飽和失真 ”。但是，當靜態(tài)工作點設置不當時，輸出波形將出現(xiàn)嚴重的非線性失真。L （ R39。模 擬 電 子 技 術 ③ 輸出電阻 RO 對于負載而言，放大器的輸出電阻 Ro越小，負載電阻 RL的變化對輸出電壓的影響就越小，表明放大器帶負載能力越強，因此總希望 Ro越小越好 。如果電路的輸出端開路，即 RL=∞，則有 Au =－ βRC / rbe （ 212） 負載電阻越大，放大倍數(shù)越大。? 放大電路有信號輸入時，三極管各極的電流和電壓瞬時值既有 直流分量 ，又有 交流分量 。 負載電阻 RC、 RL將變化的集電極電流轉換為電壓輸出。這種小能量對大能量的控制作用，就是放大電路的放大作用。iCICMU(BR)CEO uCEPCMOICEO安全 工 作 區(qū)模 擬 電 子 技 術? 半導體三極管的主要用途之一是利用其電流放大作用組成各種放大電路。 Q二、 極間反向飽和電流 極間反向電流是由少數(shù)載流子形成的，其大小表征了管子的溫度特性 (越小越好 )。A30 181。A20 181。A10 181。AIB = 0O 2 4 6 8 43212. 放大區(qū)：放大區(qū)截止區(qū)條件： 發(fā)射結正偏 集電結反偏特點： 水平、等間隔ICEO模 擬 電 子 技 術iC / mAuCE /V50 181。A40 181。A30 181。(擊穿電壓 6 V，正 溫度系數(shù) )擊穿電壓在 6 V 左右時，溫度系數(shù)趨近零。模 擬 電 子 技 術 半導體二極管半導體二極管 半導體二極管的結構和類型 二極管的伏安特性 二極管的主要參數(shù)模 擬 電 子 技 術 半導體二極管的結構和類型構成： PN 結 + 引線 + 管殼 = 二極管 (Diode)符號： A (anode) C (cathode)分類：按材料分 硅二極管鍺二極管按結構分點接觸型面接觸型平面型模 擬 電 子 技 術點接觸型正極引線觸絲N 型鍺片外殼負極引線負極引線 面接觸型N型鍺PN 結 正極引線鋁合金小球底座金銻合金正極引線負極引線集成電路中平面型PNP 型支持襯底模 擬 電 子 技 術模 擬 電 子 技 術反向擊穿類型：電擊穿熱擊穿反向擊穿原因 ： 齊納擊穿 ：(Zener)反向電場太強，將電子強行拉出共價鍵。如硅、鍺單晶體。本征 半導體 — 純凈的半導體。模 擬 電 子 技 術兩種載流子電子 (自由電子 )空穴兩種載流子的運動自由電子 (在共價鍵以外
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