模擬電子技術(shù)試題-全文預(yù)覽
【正文】 電路中 RF1 和 RF2 引入的是何種反饋類(lèi)型？（ 6 分） 2． 判斷下面電路能否發(fā)生自激振蕩？如能振蕩，寫(xiě)出振蕩頻率。 14．抑制溫漂（零漂）最常用的方法是采用（ ）電路。 C:限流電阻與穩(wěn)壓二極管串聯(lián)后，負(fù)載電阻再與穩(wěn)壓二極管并聯(lián) 12．共模抑制比 KCMR是（ ）之比。 a： 9V b： 10v c： 12V d： IO e： IO/2 f： IO/4 g： U2 h： 22U L： 2U2。 a:電壓 b:電流 c:電壓或電流 7．正弦波振蕩器的振蕩頻率由（ ）而定。 5．一晶體管的極限參數(shù)： PCM=150mW， ICM=100mA， U（ BR） CEO=30V。 3．晶體三極管工作在放大狀態(tài)時(shí)，應(yīng)使發(fā)射結(jié)（ ）偏置；集電結(jié)（ ）偏置。模擬電子技術(shù)試題 1 一、 選擇填空（ 30 分） 1．本征半導(dǎo)體電子濃度（ ）空穴濃度； N 型半導(dǎo)體的電子濃度（ ）空穴濃度
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