模擬電子技術(shù)習(xí)題庫(kù)-全文預(yù)覽
【正文】 PN 結(jié)形成以后，它的最大特點(diǎn)是具有（ C ）。（） 7集成運(yùn)放電路中有負(fù)反饋，說(shuō)明集成運(yùn)放工作在非線性區(qū)。（√ ） 6差動(dòng)式減法運(yùn)算電路的輸出電壓反比于兩個(gè)輸入電壓之差。（） 167。 3— 4 60、理想集成運(yùn)放的同相輸入端之間不存在“虛短”、“虛斷”現(xiàn)象。（√） 5長(zhǎng)尾式差動(dòng)放大電路中加入輔助電源 UEE 是為了使三極管的動(dòng)態(tài)范圍變小。（） 5 差動(dòng)放大電路對(duì)共模信號(hào)沒(méi)有放大作用，放大的只是差摸信號(hào)。 3— 2 4 個(gè)大小不等而極性相反的輸入信號(hào)稱為差摸信號(hào)。（） 4零漂是指輸出端緩慢的不規(guī)則的電壓變化。 （） 4乙類功率放大器靜態(tài)時(shí)， CI ≈0 ，所以靜態(tài)功耗幾乎為零，效率高。 （√） 3射極輸出器反饋系數(shù)為 1，所以沒(méi)有放大作用。（） 3負(fù)反饋提高了放大器放大倍數(shù)的穩(wěn)定性。 （√） 167。 2－ 4 2采用阻容耦合的前后級(jí)放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)互相影響。 （） 2放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)一經(jīng)設(shè)定后，不會(huì)受外界因素的影響。 （√） 2放大電路的輸出端不接負(fù)載，則放大器的交流負(fù)載線和直流負(fù)載線相重合。 （√） 167。 （） 1發(fā)射結(jié)反向偏置晶體管三極管一定工作在截止?fàn)顟B(tài)。（） 1晶體二極管加正向電壓時(shí)一定導(dǎo)通。 （） 無(wú)論是那種類型的晶體二極管，其正向電壓都為０ .3V 左右。 （） 167。 （） 在硅和鍺晶體中摻入三價(jià)元素形成Ｎ型半導(dǎo)體。 7集成運(yùn)放常用保護(hù)措施為 輸入保護(hù) 、 輸出保護(hù) 、 電源極性接錯(cuò)保護(hù) 。 7利用 虛短 、 虛斷 、 虛地 概念分析工作在線性區(qū)的集成運(yùn)放電路，可大大簡(jiǎn)化分析和計(jì)算過(guò)程。 3— 3， 2集成電路按其功能可分為 模擬 集成電路和 數(shù)字 集成電路。 4 7為了克服零點(diǎn)漂移，常采用 帶調(diào)零電位器的長(zhǎng)尾式 差動(dòng)放大電路和 三極管恒流源 差動(dòng)放大電路。 3— 2 ， 1差動(dòng)放大電路的實(shí)質(zhì)是能夠克服 零點(diǎn)漂移 的一種多級(jí) 直接耦合 放大電路，它具有靈活的 輸入方式 ，是一種常用的 直流放大 電路。 6為了保證多級(jí)直接耦合放大電路能正常工作，必須注意前后級(jí)間要有合理的配置，一般采取 射極電阻 或 二極管 或 穩(wěn)壓管 來(lái)調(diào)節(jié)后級(jí)發(fā)射極電位。 6電容三點(diǎn)式 LC 正弦波動(dòng)振蕩器中，兩串聯(lián)電容的 薩那根引出線分別與晶體三極管的 基極 、 集電極 和 發(fā)射極 相接。 60、振蕩器的基本組成有 選頻放大電路 和 反饋電路 兩部分。 5工作在乙類放大狀態(tài)時(shí)，功率損耗 小 ，但存在 交越 失真，為此，可以讓功率放大器工作在 甲乙類 放大狀態(tài)。 167。 2— 5 5反饋放大電器是由 基本 放大電路和 反饋 電路組成。 2— 4 4在多級(jí)放大電路中， 后級(jí)放大電路 的輸入電阻是 前級(jí)放大電路 的負(fù)載。 167。 4放大電路中，晶體三極管的靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)計(jì)得大高，會(huì)使 Ci 的 正 半周和 ccu 的 負(fù) 半周失真，稱為 飽和 失真。 167。 3放大電路設(shè)計(jì)靜態(tài)工作點(diǎn)的目的是 消除截止失真 和 飽和失真 。 3晶體 三極管電流放大系數(shù)太小時(shí)，電流放大作用 小 ，晶體三極管電流放大系數(shù)太大時(shí)，會(huì)使晶體三極管的性能 變差 。 2晶體三極管的輸出特性可分三個(gè)區(qū)域，即 飽和 區(qū)、 放大 區(qū)和 截止 區(qū)。 2晶體三極管有 NPN 型和 PNP 型。 有一鍺二極管正反向電阻均接近于零，表明該二極管已 短路損壞 ， 有一硅二極管正反向電阻接近于無(wú)窮大表明二極管已 開(kāi)路損壞 。 1二極管的主要 特性是 單向?qū)щ?，硅二極管的死區(qū)電壓約 ，鍺二極管的死區(qū)電壓約 。 1 2CW 是 硅 材料的 穩(wěn)壓 二極管。 167。 型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是 空穴 ，少數(shù)載流子是 電子 ； N 型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是 電子 ，少數(shù)載流子是 空穴 。 硅 和 鍺 ，它們都是 四 價(jià)元素。 1— 1 ，自然界的物質(zhì)可以分為 導(dǎo)體 、 絕緣體 和 半導(dǎo)體 三類。 N 型半導(dǎo)體和 P 型半導(dǎo)體。 結(jié)具有 單向?qū)щ?性能，即加正向電壓時(shí) PN 結(jié) 導(dǎo)通 ，加反向電壓時(shí)的 PN 結(jié) 截止 。 1按晶體二極管所用的材料可分為 硅 和 鍺 兩類。 2AP 是 鍺 材料的 普通 二極管 1二極管的正向接法是 P 接電源的正極， N 接電源的負(fù)極，反向接法時(shí)相反。 1電路中流過(guò)二極管的正向電流過(guò)大，二極管將會(huì) 燒壞 ；如果加在二極管兩端的反向電壓過(guò)高，二極管會(huì) 擊穿 。1 — 3 2晶體三極管有兩個(gè) PN 結(jié)，即 發(fā)射 結(jié)和 集電 結(jié)；有三個(gè)電極，即 發(fā)射 極、 集電 極和基 極。 2晶體三極管處在正常放大狀態(tài)時(shí)，硅管發(fā)射結(jié)的導(dǎo)通電壓約 ，鍺管發(fā)射結(jié)的 2 導(dǎo)通電壓約 。 3晶體三極管的穿透電流 CEOI 隨溫度的升高而 增大 ，硅三極管的穿透電流比鍺三極管 小 。 3共發(fā)射極放大電路的輸入端由 基極 和 發(fā)射極 組成，輸出端由 集電極 和 發(fā)射極 組成。 3為了防止失真，放大器發(fā)射結(jié)電
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