存儲器和可編程邏輯器件-全文預覽
【正文】 0 )()()(mmmmDCBACDBADBCABCDADDCBADDBCABBCAY?????????????? 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 13121 )(mmDCBADCBADDCABY??????1410762 )(mmmDBCADABCBCDADCBAAADBCBCDADCBAY???????????(3)由 Y0~ Y2最小項畫出 PROM的編程陣列圖 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 圖 PROM 產(chǎn)生一組邏輯函數(shù) 固定“與” 陣列 DCBAA 1 1 B 1 C 1 D Y0 Y1 Y2 m2 m3 m6 m7 m10 m12 m13 m14 可編程“或” 陣列 1312 mm ? 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 2. 可改寫型只讀存儲器 (EPROM） PROM只能 一次 編程，而 EPROM則可多次 擦去并重新寫入 新內(nèi)容。說明：圖中電子開關(guān)由 PROM位線電平控制，當 D=1時，開關(guān)接基準電壓 UR。 A B C Y Y=AC (a) A C B ≥1 Y (b) Y=A+C 1 Y (c) Y1=A Y2=A A Y1 Y2 圖 PLD陣列中的邏輯符號 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 可編程只讀存儲器 （ PROM） 廠家制造 PROM時，使存儲矩陣（“或”陣列）的所有存儲單元的內(nèi)容全為“ 1”（或“ 0”），用戶可根據(jù)自己的需要自行確定存儲單元的內(nèi)容。 圖 PLD的結(jié)構(gòu)框圖 輸入電路 與 陣列 或 陣列 輸出電路 ... ... 可編程邏輯器件 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 PLD中常用邏輯符號的含義 在圖 (a)中 , 多個輸入端 “與”門只用一根輸入線表示，稱 乘積線 。 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 2114靜態(tài) RAM MOS型 RAM 靜態(tài) RAM： 管子數(shù)目多，功耗大，但只要不斷電，信息就永久保存。與 ROM不同的是 RAM存儲單元的數(shù)據(jù)不是預先固定的，而是取決于外部輸入信息，其存儲單元必須由具有記憶功能的電路構(gòu)成。 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 隨機存取存儲器 隨機存取存儲器（ RAM） ，它能隨時從任何一個指定地址的存儲單元中取出（讀出）信息， 也可隨時將信息存入（寫入）任何一個指定的地址單元中。 下面用 ROM構(gòu)成的字符發(fā)生器顯示字母 R來說明其工作原理。圖示電路最小項為四個。 (2) 地址譯碼器 圖中是一個二極管譯碼器，兩位地址代碼 A1A0可指定 四 個不同的地址。 交叉點處接有二極管時，相當于存 “ 1” ； 交叉點處沒有接二極管時，相當于存 “ 0” ； 如：字線 W0與位線有四個交叉點，其中與位線 D0和 D2交叉處接有二極管。圖 ，W0~WN1稱為字單元的地址選擇線，簡稱字線；地址譯碼器根據(jù)輸入的代碼從 W0~WN1條字線中選擇一條字線，確定與地址代碼相對應的一組存儲單元位置。 圖 ROM的結(jié)構(gòu)框圖 存儲輸出 讀出電路 存儲矩陣 地 址 譯 碼 器 N M 位線 （數(shù)據(jù)線） 字線（選擇線） 地址輸入 AN1 A1 A0 ... ... W0 W1 WnN1 DM1 D0 D1 ... ... 表示存 儲容量 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 ROM主要結(jié)構(gòu) 存儲矩陣 地址譯碼器 ： 由存儲單元構(gòu)成，一個存儲單元存儲一位二進制數(shù)碼“ 1”或“ 0”。 3. 會 用可編程邏輯器件 構(gòu)成簡單的邏輯函數(shù) 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 半導體存儲器分類： 按功能 只讀存儲器（ ROM） 隨機存取存儲器（ RAM） 按元件 雙極型存儲器 :速度快，功耗大。 第 23章 存儲器和可編程邏輯器件 常用可編程邏輯器件在實際中的應用。工作時，只能讀出信息，不能隨時寫入信息。 ： 為了存取的方便，給每組存儲單元以確定的標號，這個標號稱為地址。共有十六個交叉點，每個交叉點都可看作一個存儲單元。 ROM的特點：存儲單元存 “ 0” 還是存 “ 1” 是在設(shè)計和制造時已確定，不能改變；而且存入信息后，即使斷開電源，所存信息也不會消失，所以ROM也稱固定存儲器。 （ 2）最小項譯碼： n個地址輸入變量 A0~An最小項的數(shù)目為 N=2n。將各種字母、數(shù)字等字符事先存儲在 ROM的存儲矩陣中，再以適當?shù)姆绞浇o出地址碼，某個字符就能讀出來，并驅(qū)動顯示器顯示。使顯示設(shè)備一行行的顯示出圖 (b)的字形。 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 地址輸入 A
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