pcb內(nèi)層工藝實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)總結(jié)報(bào)告-全文預(yù)覽
【正文】 ，并建立管制進(jìn)行管控 顯影后板面有殘?jiān)廴荆斐晌g刻短路、殘銅 顯影 對(duì)顯影槽進(jìn)行保養(yǎng)清洗，保證顯影槽內(nèi)無(wú)油脂殘?jiān)廴? 對(duì)顯影過(guò)濾網(wǎng)、過(guò)濾棉芯進(jìn)行更換，以能有效對(duì)顯影藥水進(jìn)行過(guò)濾 蝕刻溫度、壓力過(guò)低，造成蝕刻不凈 蝕刻 調(diào)節(jié)并控制蝕刻溫度、壓力至最佳范圍 謝謝觀(guān)看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH 。 建意水洗壓力值為 177。 過(guò)大：顯影過(guò)度造成側(cè)蝕。 2將水排出，以人工方式使用清潔粉清洗之。若顯影槽有兩槽，則需重復(fù)上一動(dòng)作。若顯影槽有兩個(gè)槽，則需重復(fù)上一動(dòng)作。若顯影槽有兩槽，則需重復(fù)上一動(dòng)作。 ⑤水洗槽全部長(zhǎng)度應(yīng)為顯影槽的 3/4以上，須注意槽液負(fù)荷應(yīng)與水洗時(shí)間成正比。為確保水洗干凈應(yīng)維持下列原則： ①需有三道以上循環(huán)水洗槽。要如何選擇合適的產(chǎn)品，則應(yīng)注意： ①避免使用會(huì)在槽壁留下油污的消泡劑 (礦物油型 )。因此針對(duì)細(xì)線(xiàn)路內(nèi)層板，以使用扇型噴嘴較佳，因密集線(xiàn)路區(qū)需較高的藥液沖擊力來(lái)清除線(xiàn)路內(nèi)殘?jiān)欢鴥?nèi)層板上層易形成水池效應(yīng) (Pudding)，若壓力不夠會(huì)造成上層顯影不潔，易導(dǎo)致缺口或斷路產(chǎn)生。 噴嘴的使用主要是避免殘?jiān)娮於纬娠@像不潔。 油墨與藥液作用會(huì)產(chǎn)生膨脹作用 (Swelling)，因此需要適當(dāng)?shù)膲毫?lái)沖掉表面已作用過(guò)的浮層，使干凈藥液能繼續(xù)與油墨產(chǎn)生作用，而不至于發(fā)生水池效應(yīng)。較高藥液濃度可容許較高油墨負(fù)荷量，但較不易清洗干凈，且操作范圍 (Operating Window)較??；反之，過(guò)淡的濃度所能承受的油墨負(fù)荷較小。通常曝光燈使用壽命約 800小時(shí)就必須 更 新，但這只保證燈源無(wú)礙，不 代表曝光品質(zhì)能提升，影響曝光品質(zhì)最深乃是各項(xiàng)光學(xué)元件（內(nèi)外水套、燈罩等）。 PM1M2M3M4P 干 膜與油膜的分辯率對(duì)比 平行光 非平行光 油膜 干 膜 Mylar Mylar 曝光能量的測(cè)量 量測(cè)曝光機(jī)曝光效果的方式則是使用 21階能量表 (Stouffer 21 Step Tablet)來(lái)測(cè)試曝光能量是否符合要求，以防止曝光能量太強(qiáng)造成線(xiàn)距變細(xì)、曝光能量太弱造成線(xiàn)路缺口、開(kāi)路的情形發(fā)生。 (polymer) P186。(活性自由基 ) + other 聚合反應(yīng) R186。２ ℃ ，濕度５５177。 化學(xué)微蝕法主要是 SPS+H2SO4做為藥水成份 ,其微蝕速率控制在 40～ 60μ 〞 刷 磨 法 (Brush) 利用磨刷輪均勻拋刷銅面使其平整且刷痕一致，并獲得均勻粗糙度，如此對(duì)油墨才有良好的附著力，而為了了解銅面清潔度及粗化度是否合格，可作水破實(shí)驗(yàn)加以驗(yàn)證。在這其中化學(xué)微蝕法也會(huì)搭配磨刷法一起針對(duì)外層板進(jìn)行銅面處理，加強(qiáng)粗化作用，以利獲得更加之完美的銅面附著力，提升品質(zhì)。因此不可置放超過(guò) 24小時(shí)為 最佳（存放條件溫度２２177。 曝光 (Expose) Artwork (底片 ) Artwork (底片 ) 光源 曝光工序 曝光機(jī) 曝光能量：５～７格，５０～１２０ mj/cm2（到達(dá)油墨表面的能量）曝光照度：20mWatt(出廠(chǎng)時(shí)；隨著使用時(shí)間增長(zhǎng)而衰退，且曝光時(shí)間增長(zhǎng)，才能達(dá)到曝光能量的要求 )均勻度： 80%測(cè)量框架九宮格點(diǎn)，以最低照度除以
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