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高二化學(xué)物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)-全文預(yù)覽

  

【正文】 J ? 回答以下問(wèn)題: ? (1)基態(tài)氮原子的價(jià)電子排布式是 ________。 (2) 非長(zhǎng)方體形或正方體晶胞中粒子對(duì)晶胞的貢獻(xiàn)視具體情況而定。 ? (5)依據(jù)硬度和機(jī)械性能判斷:離子晶體硬度較大或硬而脆;原子晶體硬度大;分子晶體硬度小且較脆;金屬晶體多數(shù)硬度大,但也有較低的,具有延展性。 ? 3.判斷晶體類型的方法 ? (1)依據(jù)組成晶體的晶格質(zhì)點(diǎn)和質(zhì)點(diǎn)間的作用判斷:離子晶體的晶格質(zhì)點(diǎn)是陰、陽(yáng)離子,質(zhì)點(diǎn)間的作用是離子鍵;原子晶體的晶格質(zhì)點(diǎn)是原子,質(zhì)點(diǎn)間的作用是共價(jià)鍵;分子晶體的晶格質(zhì)點(diǎn)是分子,質(zhì)點(diǎn)間的作用是分子間作用力即范德華力;金屬晶體的晶格質(zhì)點(diǎn)是金屬陽(yáng)離子和自由電子,質(zhì)點(diǎn)間的作用是金屬鍵。 ? ③烴、鹵代烴、醇、醛、羧酸等有機(jī)物,一般隨著分子內(nèi)碳原子數(shù)的增多,熔沸點(diǎn)升高。 ? (3)金屬晶體中金屬原子的價(jià)電子數(shù)越多,原子半徑越小,金屬陽(yáng)離子與自由電子的靜電作用越強(qiáng),熔沸點(diǎn)越高,反之越低。如第二周期元素基態(tài)原子的電子排布如下所示: ? (3)特殊性 ? 有少數(shù)元素的基態(tài)原子的電子排布對(duì)于構(gòu)造原理有 1個(gè)電子的偏差。 ? ②如果價(jià)層電子對(duì)中有未成鍵的孤對(duì)電子,則幾何構(gòu)型發(fā)生相應(yīng)的變化,用價(jià)層電子互斥理論解釋。 ? 氫只有跟電負(fù)性很大且原子半徑較小的元素化合后,才有較純的氫鍵,如 N、 O、 F等。它比化學(xué)鍵弱,比范德華力強(qiáng)。 ? ③ 分子間作用力 ? a.范德華力 ? 分子與分子之間存在著一種把分子聚集在一起的作用力叫分子間作用力,又叫范德華力。 ? ② σ鍵和 π鍵的比較 鍵類型 σ鍵 π鍵 原子軌道重疊方式 沿鍵軸方向相對(duì)重疊 沿鍵軸方向平行重疊 原子軌道重疊部位 兩原子核之間,在鍵軸上 鍵軸上方和下方,鍵軸處為零 原子軌道重疊程度 大 小 鍵的強(qiáng)度 較大 較小 化學(xué)活潑性 不活潑 活潑 成鍵規(guī)律 共價(jià)單鍵是 σ鍵,雙鍵中有一個(gè) σ鍵,一個(gè) π鍵,叁鍵中有一個(gè) σ鍵,兩個(gè)π鍵 ? ③ 鍵參數(shù) (鍵能、鍵長(zhǎng)、鍵角 ) ? 鍵能是指在 kPa,298 K條件下,斷開 1 mol AB(g)分子中的化學(xué)鍵,使其分別生成氣態(tài) A原子和氣態(tài) B原子所吸收的能量;鍵能越大,意味著化學(xué)鍵越牢固,鍵長(zhǎng)是指成鍵兩原子原子核間的距離,鍵長(zhǎng)越短,表明共價(jià)鍵越強(qiáng)。 ? ③ 電負(fù)性:同一周期元素從左到右,電負(fù)性逐漸增大;同一主族元素從上到下,電負(fù)性逐漸減小。 ? (4)元素基本性質(zhì)的周期性變化規(guī)律 ? ①原子半徑:同一周期元素從左到右,原子半徑越來(lái)越??;同一族元素從上到下,原子半徑越來(lái)越大。 ns能級(jí)各有 1個(gè)軌道, np能級(jí)各有 3個(gè)軌道, nd能級(jí)各有 5個(gè)軌道, nf能級(jí)各有 7個(gè)軌道。從 s、 p、 d、 f?? 排序的各能級(jí)可容納的最多電子數(shù)依次為 7?? 的 2倍。根據(jù)電負(fù)性的概念可知選項(xiàng) C正確。(4)由于 Ga原子周圍只有 3對(duì)成鍵電子對(duì),故其雜化方法為 sp2。 ? A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與 NaCl相同 ? B. GaP與 GaAs互為等電子體 ? C.電負(fù)性: AsGa ? D.砷化鎵晶體中含有配位鍵 ? 答案: (1)1s22s22p63s23p63d104s24p1 ? (或 [Ar]3d104s24p1) ? (2)4 正四面體 (3)NH3AsH3PH3 ? (4)sp2 (5) (6)BCD ? 點(diǎn)撥: (1)鎵位于元素周期表中第四周期第 Ⅲ A,故其核外電子排布式為 [Ar]3d104s24p1。 (用氫化物分子式表示 ) ? (4)砷化鎵可由 (CH3)3Ga和 AsH3在 700℃ 時(shí)制得。砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖。 ? 4. (2020 ? 思維激活 名校模擬可借鑒,抽空一定看一看 ? 3. (2020 ? (2)ZX YX4分別是 NH CH4,因 NH3分子間存在氫鍵,故 NH3的沸點(diǎn)高。 ? (4)元素 W的一種氯化物晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右上圖所示,該氯化物的化學(xué)式是 ________,它可與濃鹽酸發(fā)生非氧化還原反應(yīng),生成配合物HnWCl3,反應(yīng)的化學(xué)方程式為 ________。江蘇單科 )原子序數(shù)小于 36的 X、 Y、Z、 W四種元素,其中 X是形成化合物種類最多的元素, Y原子基態(tài)時(shí)最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子數(shù)的 2倍, Z原子基態(tài)時(shí) 2p原子軌道上有 3個(gè)未成對(duì)的電子, W的原子序數(shù)為 29。已知該分子中 N—N—N鍵角都是 176。分值約 8~ 14分。③晶體常識(shí):分子晶體與原子晶體;金屬晶體;離子晶體。 ? 該部分在高考中常與必修中所學(xué)有關(guān)知識(shí)聯(lián)合考查,其主要考點(diǎn)是①原子結(jié)構(gòu);原子結(jié)構(gòu)與元素的性質(zhì)。 ? 考情探究 ? 本講為選考內(nèi)容,選修物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的考生較多,各課標(biāo)省市都把該選修內(nèi)容定為選考內(nèi)容,考理科綜合的試題,是一道綜合填空題,單科考化學(xué)試題的省市選擇題、綜合填空題同時(shí)出現(xiàn)。 ? 10.能用價(jià)層電子對(duì)互斥理論或者雜化軌道理論推測(cè)常見(jiàn)的簡(jiǎn)單分子或者離子的空間結(jié)構(gòu)。 ? 6.了解共價(jià)鍵的形成,能用鍵能、鍵長(zhǎng)、鍵角等說(shuō)明簡(jiǎn)單分子的某些性質(zhì)。 ? 2.了解元素電離能的含義,并能用以說(shuō)明元素的某些性質(zhì)。了解原子核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。 ? 5.理解離子鍵的形成,能根據(jù)離子化合物的結(jié)構(gòu)特征解釋其物理性質(zhì)。 ? 9.了解雜化軌道理論與常見(jiàn)的雜化軌道類型 (sp1, sp2, sp3)。 ? 13.了解分子晶體與原子晶體、離子晶體、金屬晶體的結(jié)構(gòu)微粒、微粒間作用力的區(qū)別。 ? 綜合填空題一般結(jié)合元素推斷考查電子排布式、軌道表達(dá)式、判斷成鍵類型、分子構(gòu)型及晶體結(jié)構(gòu)和性質(zhì)等;選擇題也是考查分子的成鍵特征、分子的構(gòu)型、晶體結(jié)
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