【正文】 ：100m3 氯硅烷貯槽、100m3 工業(yè)級三氯氫硅貯槽、100m3 工業(yè)級四氯化硅貯槽、50 m3 氯硅烷緊急排放槽等。出爐筒夾套的高溫熱水送往熱能回收工序，經廢熱鍋爐生產水蒸汽而降溫后，循環(huán)回本工序各氫化爐夾套使用。從四氯化硅汽化器來的四氯化硅與氫氣的混合氣體，送入氫化爐內。還原尾氣干法分離的原理和流程與三氯氫硅合成氣干法分離工序十分類似。氫還原反應同時生成26 / 96二氯二氫硅、四氯化硅、氯化氫和氫氣，與未反應的三氯氫硅和氫氣一起送出還原爐，經還原尾氣冷卻器用循環(huán)冷卻水冷卻后，直接送往還原尾氣干法分離工序。塔底釜液是含有高沸點雜質的四氯化硅，送往氯硅烷貯存工序的工業(yè)級四氯化硅貯槽。10 級精餾塔塔頂餾出物是精制的循環(huán)三氯氫硅，送入 10 級冷凝液槽，經分析符合質量要求后，精制三氯氫硅靠位差循環(huán)回多晶硅制取工序。四氯化硅氫化后的氯硅烷冷凝液，經 9 級進料預熱器連續(xù)送入 9 級精餾塔。塔頂餾出物為三氯氫硅，靠位差流至 8 級精餾塔；塔底釜液為四氯化硅，經分析符合質量要求后，用泵將其部分送去四氯化硅加氫，部分送往氯硅烷貯存工序的工業(yè)級四氯化硅貯槽。25 / 96從 5 級塔頂餾出的三氯氫硅，在 6 級精餾塔進行最終脫除三氯氫硅中的高沸點雜質的過程。3 級釜液送入4 級精餾塔中部。3 級精餾目的是脫除三氯氫硅中的低沸點雜質。塔頂排出不凝氣體和部分二氯二氫硅，送往廢氣處理工序進行處理；塔頂餾出液為含有低沸點和高沸點雜質的三氯氫硅冷凝液，依靠壓差送入 2 級精餾塔；塔釜得到含雜質的四氯化硅，用泵送四氯化硅回收塔進行處理。出塔氯化氫氣體流經氯化氫緩沖罐，然后送至設置于三氯氫硅合成工序的循環(huán)氯化氫緩沖罐；塔底除去了氯化氫而得到再生24 / 96的氯硅烷液體，大部分經冷卻、冷凍降溫后，送回氯化氫吸收塔用作吸收劑，多余的氯硅烷液體（即從三氯氫硅合成氣中分離出的氯硅烷），經冷卻后送往氯硅烷貯存工序的原料氯硅烷貯槽。出塔頂的氣體為含有微量氯化氫和氯硅烷的氫氣，經一組變溫變壓吸附器進一步除去氯化氫和氯硅烷后，得到高純度的氫氣。三氯氫硅合成氣流經混合氣緩沖罐，然后進入噴淋洗滌塔，被塔頂流下的低溫氯硅烷液體洗滌。合成爐外壁設置有水夾套，通過夾套內水帶走熱量維持爐壁的溫度。供應料斗內的硅粉用安裝于料斗底部的星型供料機送入三氯氫硅合成爐進料管。電解制得的氧氣經冷卻、分離液體后，送入氧氣貯罐。在對廢棄的酸洗溶液和處理石灰乳液時產生的污水進行混勻時發(fā)生的礦物酸中和伴隨著下列方應： OHNaNaOH233???CFF2)(2233 )(aSS4242)(??? 工藝流程及產污分析 氫氣制備與凈化工序在電解槽內經電解脫鹽水制得氫氣。濾液主要為 NaCl 溶液，進行蒸發(fā)、濃縮和結晶。B．殘液處理從氯硅烷分離提純工序中排除的殘液主要含有四氯化硅和聚氯硅烷化合物的液體以及裝置停車放凈的氯硅烷液體加入石灰乳液中和廢液中的氯硅烷等和而被轉化成無害的物質。 硅芯制備工序硅芯制備過程中，需要用氫氟酸和硝酸對硅芯進行腐蝕處理，再用超純水洗凈硅芯，然后對硅芯進行干燥。 還原尾氣干法分離工序還原尾氣干法分離的原理和流程與三氯氫硅合成氣干法分離工序十分類似。副反應 262362lSilSi???55HCH 合成氣干法分離工序經三級旋風除塵器組成的干法除塵系統除去部分硅粉，經低溫氯硅烷液體洗滌、分離成氯硅烷液體、氫氣和氯化氫氣體，分別循環(huán)回裝置使用。19 / 96 反應原理3000 噸/年電子級多晶硅裝置工藝流程由以下主要工序組成：(1) 三氯氫硅合成工序(2) 合成氣干法分離工序(3) 氯硅烷分離提純工序(4) 三氯氫硅氫還原工序(5) 還原尾氣干法分離工序(6) 四氯化硅氫化工序(7) 氫化氣干法分離工序(8) 氯硅烷貯存工序(9) 硅芯制備工序(10) 產品整理工序(11) 廢氣和殘液處理工序(12) 工藝廢料處理工序 三氯氫硅合成在一定溫度下，晶體硅與氯化氫的發(fā)生反應生成三氯氫硅和四氯化硅。國內技術整體上還不很成熟，原料和公用工程（電等）消耗較高，但軟件費用低；俄羅斯技術，原料和公用工程消耗比國內技術略低，在國內已有在建裝置；美國公司的生產技術先進，也較為成熟，消耗比國內技術低，但軟件費用相當昂貴，而且還有出口限制等問題。如：德山曹達的熔融析出法（VLD 工藝），采用筒狀反應爐，析出液體狀硅；瓦克的沸騰床法，采用 FBR 型反應器，生成粒狀硅等等，但這些工藝均尚處于研究或試驗階段。 廢水、固廢18 / 9工藝流程及產污分析 工藝技術方案目前國際上多晶硅生產工藝有 70%以上均采用改良西門子法，如：德國WACKER 公司、美國 HSC 公司、日本德山、三菱、住友公司、意大利 MEMC公司、國內的洛陽中硅集團、峨嵋半導體材料廠以及新光硅業(yè)科技公司的 1260噸/年多晶硅裝置等的生產工藝均屬此類，均經由三氯氫硅的氫還原反應獲得多晶硅產品。供水、排水、循環(huán)水、脫鹽水、供電、電訊、自動控制系統、供熱、冷凍站、空壓制氮站、中央分析及監(jiān)測廢氣、廢水、噪聲三 貯運及輔助設施 規(guī)格三氯氫硅(低沸物) 工業(yè)級 含 SiHCl3 ≥94% 產品用途用作高分子有機硅化合物的原料，也是生產半導體硅、單晶硅的原料。熔點 70℃、沸點 ℃、相對密度 ，可與苯、乙醚、氯仿、石油醚、四氯化碳、四氯化錫、四氯化鈦、一氯及二氯化硫以任何比例混溶。表 231 多晶硅產品規(guī)格和質量指標指標名稱 產品規(guī)格及質量指標Si % w(太陽能級)受主水平 施主水平 B 含量 ≤ wP 含量 ≤C 含量 ≤100ppb體內金屬含量 w (Fe 、Cu、Zn、Cr、Ni)形態(tài) 表面無氧化夾雜物，呈銀灰色，帶有金屬光澤， 表面金屬雜質含量：Fe a/ wCu a/ wNi a/ wCr a/ wZn a/ wNa a/ w 產品用途多晶硅材料是以金屬硅為原料經一系列的物理化學反應提純后達到一定純度的硅材料，是硅產品產業(yè)鏈中的一個極為重要的中間產品。電子級硅一般要求純度高于 %以上，超高純達到%～%（一般稱 9 個 9 至 11 個 9），其導電性介于 104～1010 歐厘米。 、產品方案及年操作時間 建設規(guī)模多晶硅裝置 3000 噸/年 產品方案主產品 3000 噸/年電路級多晶硅副產物 四氯化硅（高沸物，工業(yè)級，含 SiCl4 ≥95%） 三氯氫硅（低沸物，工業(yè)級，含 SiHCl3 ≥94%） 年操作時間本項目年操作時間 7440 小時。表 1610 污水綜合排放標準 （mg/L，pH 除外）項目 標準值 備注pH(無量綱) 6～9SS 70CODcr 100氨氮 15BOD5 20石油類 5氟化物 10《污水綜合排放標準》GB89781996 一級標準（3）噪聲廠界執(zhí)行《工業(yè)企業(yè)廠界噪聲標準》（GB 1234890）Ⅲ類標準，施工噪聲《建筑施工廠界噪聲限值》（GB1252390）標準，標準值見表 1611。表 165 噪聲評價標準標準值[dB(A)]功能區(qū)類型 執(zhí)行的標準和級別晝間 夜間環(huán)境噪聲 《城市區(qū)域環(huán)境噪聲標準》 （GB309693）3 類 65 55 污染物排放標準（1）大氣污染物本項目生產中排放的廢氣執(zhí)行《大氣污染物綜合排放標準》（GB162971996）表 2 新污染源二級排放標準，鍋爐執(zhí)行《鍋爐大氣污染物排放標準》（GB132172022）中Ⅱ時段標準，導熱油加熱爐執(zhí)行 《工業(yè)爐窯大氣污染物排放標準》表 2 二級標準，標準值見表 167～表 169。10 / 96 評價標準根據四川省環(huán)境保護局《關于樂山高新區(qū) 3000t/a 多晶硅項目環(huán)境影響評價執(zhí)行標準的函》（川環(huán)評函[2022]75 號）批復，本次評價執(zhí)行的評價標準如下： 環(huán)境質量標準（1）環(huán)境空氣SONO TSP、PM HF（參考氟化物（F））執(zhí)行《環(huán)境空氣質量標準》（GB30951996）二級標準，HCl 參考執(zhí)行《 工業(yè)企業(yè)設計衛(wèi)生標準》（TJ3679）中表 1“居住區(qū)大氣中有害物質的最高容許濃度”，標準值見表 162。依據本項目的危險特性和使用及貯存數量，生產場所和貯存場所為該項目的主要重大危險源，尤其是罐區(qū)的貯存量遠大于重大危險源辯識中危險物質的臨界量。② 評價范圍廠界外 1m。地下水：本項目所在區(qū)域地下水屬于《地下水質量標準》 GB/T1484893 的Ⅲ類地區(qū)，本項目評價將在場地及周圍區(qū)域地下水的現狀水質、水文地質特征等調查、分析基礎上，結合項目特點，對地下水的影響只進行簡要分析，提出防止地下水污染的措施建議。表 151 評價區(qū)內主要環(huán)境保護目標一覽表環(huán)境類別序號 環(huán)境保護目標 區(qū)域特征相對廠址方位相對廠址距離（m）概況（人數）環(huán)境功能要求1 張家壩 農村 SW 3800 15002 樂山市技工學校 學校 N 2022 100003 肖公咀（市區(qū)） 城區(qū) ENE 5500 ——4 樂山大佛 風景區(qū) E 5000 ——5車子鄉(xiāng)杜家場（大佛山風景區(qū)邊緣）農村、風景區(qū)邊緣 SE 2022 20226 車子鎮(zhèn) 城鎮(zhèn) SSE 2022 30007 邢家灣 農村 SE 4000 1800環(huán)境空氣8 樂山市城區(qū) 城區(qū) NE 1000～5000 569107滿足《環(huán)境空氣質量標準》 (GB30951996)二級標準（樂山大佛滿足一級標準）1 岷江 過境河流 E 40002 大渡河 水源地 N 1000地表水 2 青衣江 過境河流 N2022——《地表水環(huán)境質量標準》（GB38382022）Ⅲ類標準地下水 1 地下水 廠址所在區(qū)域滿足《地下水質量標準》（GB/T1484893）Ⅲ類標準噪聲 1 廠界 廠界外 1m滿足《工業(yè)企業(yè)廠界噪聲標準》（GB1234890）Ⅲ類標準、評價范圍及評價標準 評價等級和評價范圍（1）環(huán)境空氣評價工作等級和評價范圍① 評價等級8 / 96 所在區(qū)域屬于丘陵地形，大氣污染物等標排放量計算結果見表 161，根據《環(huán)境影響評價技術導則 大氣環(huán)境》（HJ/）的評價級別計算方法，判定本項目環(huán)境空氣評價計算工作等級為三級。、原則 評價目的根據項目的性質和特點，結合項目所處地區(qū)的環(huán)境特征和污染特征，分析6 / 96預測項目建成后對周圍環(huán)境可能造成的影響及影響范圍和程度；提出避免和減少對環(huán)境污染的措施；從環(huán)保的角度論證項目建設的可行性；為工程設計和項目建成后的環(huán)境管理提供基礎資料，為環(huán)境保護審批提供依據，以實現建設項目的環(huán)境效益、社會效益、經濟效益的統一。 技術導則與規(guī)范（1） 《環(huán)境影響評價技術導則 總綱》 （HJ/） ，國家環(huán)境保護局；（2） 《環(huán)境影響評價技術導則 大氣環(huán)境》 （HJ/） ，國家環(huán)境保護局；4 / 96（3） 《環(huán)境影響評價技術導則 地面水環(huán)境》 （HJ/） ，國家環(huán)境保護局；（4） 《環(huán)境影響評價技術導則 聲環(huán)境》 （HJ/） ，國家環(huán)境保護局；（5） 《環(huán)境影響評價技術導則 非污染生態(tài)影響》 （HJ/T191997） ，國家環(huán)境保護局；（6） 《建設項目環(huán)境風險評價技術導則》 （HJ/T1692022） ，國家環(huán)境保護總局；（7）《環(huán)境影響評價技術導則 石油化工建設項目》 （HJ/T892022） ，國家環(huán)境保護局；（8）《環(huán)境影響評價公眾參與暫行辦法》（環(huán)發(fā) 2022[28]號），國家環(huán)境保護總局。2 / 96根據《中華人民共和國環(huán)境保護法》、《中華人民共和國環(huán)境影響評價法》、國務院[1998]253 號令《 建設項目環(huán)境保護管理條例》等有關規(guī)定，在項目前期可行性研究階段，需進行環(huán)境影響評價工作，為此，樂山高新區(qū)管委會于2022 年 7 月委托國家環(huán)境保護總局環(huán)境發(fā)展中心承擔該項目的環(huán)境影響評價工作。硅材料產業(yè)是國家鼓勵發(fā)展的具有廣闊前景的高新技術產業(yè)，是各地戰(zhàn)略投資者高度關注和爭相搶占的競爭制高點。1 / 96太陽能級多晶硅能有效利用太陽能，太陽能做為一種清潔能源，對我國可持續(xù)發(fā)展意義重大，2022 年 3 月中華人民共和國主席令 33 號正式頒布了《中華人民共和國可再生能源法》明確指出了國家發(fā)展可再生能源，為了鼓勵國家新能源產業(yè)的發(fā)展，國家發(fā)改委高計[2022]509 號文件要求組織實施可再生能源和新能源高技術產業(yè)化，明確要求解決我國太陽能電池用多晶硅原料生產和光伏產業(yè)鏈發(fā)展不平衡的問題。我國多晶硅無論是技術水平還是生產規(guī)模上均與世界先進水平有很大的差距，產量僅占世界總產量的 %～%，目前主要依賴進口，在缺少國內競爭的條件下，進口多晶硅價格一直居高不下，嚴重影響了我國信息產業(yè)和太陽能利用的發(fā)展，因此，本項目建設可提高我國多晶硅的生產能力，不僅對企業(yè)發(fā)展起重要作用，也對我國信息產業(yè)和太陽能利用的發(fā)展起到積極的推動作用。樂山市高新區(qū) 3000t/a 多晶硅項目，是樂山培育硅材料產業(yè)集群和打造硅材料百億園區(qū)的重大項目，市委、市政府對此高度重視，專門成立了硅材料產業(yè)發(fā)展工作領導小組，全力做好協調服務工作。 政策規(guī)定（1）《國務院關于落實科學發(fā)展觀加強環(huán)境保護的決定》，國發(fā)[2022]39號；（2）《產業(yè)結構調整指導目錄（