【摘要】1、與其它類型的晶體管相比,MOS器件的尺寸很容易按____比例____縮小,CMOS電路被證明具有_較低__的制造成本。2、放大應用時,通常使MOS管工作在_飽和_區(qū),電流受柵源過驅動電壓控制,我們定義_跨導_來表示電壓轉換電流的能力。3、λ為溝長調制效應系數(shù),對于較長的溝道,λ值____較小___(較大、較?。?、源跟隨器主要應用是起到___電壓緩沖器___的作用。5、
2025-03-25 03:48
【摘要】作業(yè)(論文)題目:函數(shù)信號發(fā)生器的設計與制作所修課程名稱:電子產品設計與制作所修課程學年學期:二〇一一至二〇一二學年第二學期完成作業(yè)(論文)日期:2012年5月學號:10050208姓名:李磊評閱成績:評閱意見:評閱教師簽名:年月日函數(shù)信號發(fā)生器設計與制作設計基本要求1.產生方波、
2025-06-30 02:28
【摘要】電子課程設計—8位數(shù)碼管動態(tài)顯示電路設計學院:電子信息工程學院
2025-06-30 02:50
【摘要】高頻電子線路課程設計(論文)I高頻電子線路課程設計(論文)題目:調基振蕩器電路設計高頻電子線路課程設計(論文)II摘要振蕩器的用途十分廣泛,它是無線電發(fā)送設備的心臟部分,也是超外差式接收機的主要部分。調基型振蕩器是眾多振蕩
2025-06-04 16:59
【摘要】高頻電子線路課程設計(論文)I高頻電子線路課程設計(論文)題目:調基振蕩器電路設計高頻電子線路課程設計(論文)II摘要振蕩器的用途十分廣泛,它是無線電發(fā)送設備的心臟部分,也是超外差式接收機的主要部分。調基型振蕩器是眾多振蕩器中的一種,它電路簡單、應用方便、靈活性大,它能夠產生正弦波,各種電子測試儀器如信號發(fā)生器、數(shù)字式頻率計等,
2025-01-18 17:31
【摘要】蘭州理工大學課程設計報告I摘要隨著人類的文明不斷進步,科學技術不斷的發(fā)展,人們之間的交流越來越多,相互交換的信息也日益劇增,要傳送的信息類型也是越來越多樣化??萍嫉倪M步也使得通信的技術得到了發(fā)展,特別是無線電波的使用,使我們的通信更加實時、高效??萍嫉目焖侔l(fā)展,將使人們的通信更方便快捷。隨著科技的發(fā)展和人民生活水平的提高,無線電發(fā)射機在生活中得
2025-06-07 11:13
【摘要】24目錄1、EDA技術發(fā)展及介紹.........................................................................................................1技術的介紹..............................................................
2025-01-18 13:37
【摘要】帶通濾波電路設計一.設計要求(1)信號通過頻率范圍f在100Hz至10kHz之間;(2)濾波電路在1kHz的幅頻響應必須在±1dB范圍內,而在100Hz至10kHz濾波電路的幅頻衰減應當在1kHz時值的±3dB范圍內;(3)在10Hz時幅頻衰減應為26dB,而在100kHz時幅頻衰減應至少為16dB。二.電路組成原理
2025-06-30 01:09
【摘要】1.驅動條件驅動電壓對于目前的IGBT和MOSFET而言,此電壓一般被限定為20V。推薦使用的柵極驅動電壓推薦使用值須達到MOSFET:VGS=+10VIGBT:VGG+=+15V,VGG-=-15VIGBT驅動負偏電壓的作用是,在整個關斷過程中維持一個足夠大的反向柵極電流。利用關斷過程中的高dvCE/dt值,來吸
2025-08-27 11:09
【摘要】低頻放大電路設計制作1、實驗目的1、能根據(jù)一定的技術指標要求設計出低頻放大電路,學習低頻放大電路的一般設計方法。2、學習低頻放大電路靜態(tài)工作點的設置與調整方法;學習放大電路的電壓放大倍數(shù)、最大不失真輸出電壓、輸入電阻、輸出電阻及頻率特性等基本性能指標的測試方法。二、設計內容及要求根據(jù)一定的技術指標要求設計出低頻放大電路。參數(shù)要求:在f=1kH
2025-08-04 14:06
【摘要】彩燈電路設計實習報告學院:電信學院專業(yè):通信工程姓名:曹志遠學號:111041301彩燈電路的設計電信學院通c曹志遠111041301
2025-08-03 04:33
【摘要】一、中國半導體器件型號命名方法半導體器件型號由五部分(場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分)組成。五個部分意義如下:第一部分:用數(shù)字表示半導體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管第二部分:用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時:A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時:A
2025-06-26 01:37
【摘要】陜西理工學院物理與電信工程學院課程考核目錄(以下章節(jié)名稱為參考)摘要………………………………………………………………………………………IAbstract…………………………………………………………………………………...II1課題背景(
2025-01-21 18:08
【摘要】※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※****級電子信息工程專業(yè)電子技術課程設計電子技術課程設計報告書
2025-01-13 15:00
【摘要】1高頻LC諧振功率放大器原理圖1諧振功率放大器的基本電路圖1是一個采用晶體管的高頻功率放大器的原理線路。除電源和偏置電路外,它是由晶體管,諧振回路和輸入回路三部分組成。高頻功放中常采用平面工藝制造的NPN高頻大功率晶體管,它能承受高電壓和大電流,并有較高的特征頻率。晶體管作為一個電流控制器件,它在較小的激勵信號電壓作用下,形成基極電流iB,iB控制了較大的集電極電流iC,iC
2025-06-30 10:25