感應(yīng)加熱電源的現(xiàn)狀與感應(yīng)加熱電源發(fā)展趨勢-全文預(yù)覽
【正文】 因數(shù) 新型功率器件的通態(tài)電阻很小，通態(tài)壓降小，所以在高頻工作條件下，損耗主要表現(xiàn)在基極或門極驅(qū)動(dòng)電路的損耗及器件的開關(guān)損耗上。總的來說，國內(nèi)高頻感應(yīng)加熱電源與國外有較大的差距，現(xiàn)在正朝著以IGBT和MOSFET為主要器件的全固態(tài)感應(yīng)加熱電源取代以晶閘管和電子管為主要器件的感應(yīng)加熱電源的方向發(fā)展。在90年代初，浙江大學(xué)開始對IGBT超音頻感應(yīng)加熱電源和MOSFET高頻感應(yīng)加熱電源進(jìn)行研制。尤其是1983年美國GE公司發(fā)明的功率器件IGBT，在解決了其摯住問題后（由寄生NPN晶體管引起），大功率高速IGBT已成為眾多加熱電源的首選器件，頻率高達(dá)100KHZ以上，功率高達(dá)ＭＷ級電源已可實(shí)現(xiàn)。因此研究一種能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)以上要求的、電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)簡單、功率控制方便的新型電源變得十分緊迫。為了獲得較高的電能轉(zhuǎn)換效率，就要求電源裝置具有較高輸入、輸出功率因數(shù)，并實(shí)現(xiàn)電力電子器件的軟開關(guān)，以降低開關(guān)損耗。感應(yīng)加熱電源是感應(yīng)加熱的核心設(shè)備。并聯(lián)技術(shù)成熟穩(wěn)定，但耗電量偏高；串聯(lián)諧振技術(shù)是我公司最新研發(fā)的中頻電源，并傳統(tǒng)并聯(lián)電源節(jié)能30%，但制造成本稍高，華信電爐中頻設(shè)備研發(fā)能力一直走在世界行業(yè)前沿。目前，感應(yīng)加熱電源主要存在著電能轉(zhuǎn)換效率低，裝置單位體積功率密度低，EMI大等缺點(diǎn)。由于目前功
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