感應(yīng)加熱電源的現(xiàn)狀與感應(yīng)加熱電源發(fā)展趨勢-文庫吧資料
2025-06-22 12:31本頁面
【正文】 耗主要表現(xiàn)在基極或門極驅(qū)動(dòng)電路的損耗及器件的開關(guān)損耗上。早期的晶閘管和晶體管由于受到容量與頻率互相制約的影響，不能同時(shí)獲得大功率、高頻率的效果?？偟膩碚f，國內(nèi)高頻感應(yīng)加熱電源與國外有較大的差距，現(xiàn)在正朝著以IGBT和MOSFET為主要器件的全固態(tài)感應(yīng)加熱電源取代以晶閘管和電子管為主要器件的感應(yīng)加熱電源的方向發(fā)展。同期，浙江大學(xué)研制出20KW/300KHZ的MOSFET高頻感應(yīng)加熱電源，已被成功應(yīng)用于小型刀具的表面熱處理和飛機(jī)渦輪葉片的熱應(yīng)力考核試驗(yàn)中。在90年代初，浙江大學(xué)開始對IGBT超音頻感應(yīng)加熱電源和MOSFET高頻感應(yīng)加熱電源進(jìn)行研制。二、國內(nèi)感應(yīng)加熱電源的發(fā)展現(xiàn)狀 在20世紀(jì)80年代末，我國約有20萬臺(tái)60——200KW的高頻設(shè)備，現(xiàn)在用品閘管中頻感應(yīng)加熱裝置已完全取代了中頻發(fā)電機(jī)。尤其是1983年美國GE公司發(fā)明的功率器件IGBT，在解決了其摯住問題后（由寄生NPN晶體管引起），大功率高速IGBT已成為眾多加熱電源的首選器件，頻率高達(dá)100KHZ以上，功率高達(dá)ＭＷ級電源已可實(shí)現(xiàn)。上世紀(jì)七十年代，國內(nèi)將可控硅感應(yīng)加熱電源裝置進(jìn)行了研究、推廣和應(yīng)用。因此研究一種能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)以上要求的、電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)簡單、功率控制方便的新型電源變得十分緊迫。為了減小系統(tǒng)的EMI，就要
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