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正文內(nèi)容

大學(xué)物理學(xué)第四章靜電場(chǎng)中的導(dǎo)體與電介質(zhì)自學(xué)練習(xí)題-全文預(yù)覽

  

【正文】 電容器極板面積為S、充滿(mǎn)兩種介電常數(shù)分別為和的均勻介質(zhì),則該電容器的電容為C = 。則注入介質(zhì)后與未注入介質(zhì)前各物理量之比為:(A)電容器的電容 ;(B)電容器中的場(chǎng)強(qiáng) ;(C)電容器中的電位移 ;(D)電容器中儲(chǔ)存的能量 。【提示:無(wú)外場(chǎng)時(shí)分子正、負(fù)電荷中心重合的分子稱(chēng)“無(wú)極分子”, 無(wú)外場(chǎng)時(shí)分子正、負(fù)電荷中心也不重合的分子稱(chēng)“有極分子”;有外場(chǎng)時(shí),無(wú)極分子產(chǎn)生極化,有極分子發(fā)生扭轉(zhuǎn),構(gòu)成電偶極子的電偶極矩趨于外場(chǎng)方向排列】2.一“無(wú)限大”均勻帶電平面A,其附近放一與它平行的有一定厚度的“無(wú)限大”平面導(dǎo)體板B,如圖所示?!咎崾荆骸皟蓸O板間平行地插入一塊與極板面積相同的金屬板”,相當(dāng)于公式里的變小?!咎崾荆骸俺潆姾笈c電源斷開(kāi)”表明變化過(guò)程中兩極板帶電量不變。下面推論正確的是:( )(A)若電位移矢量沿任意一個(gè)曲面的積分等于零,曲面內(nèi)一定沒(méi)有自由電荷;(B)若電位移矢量沿任意一個(gè)曲面的積分等于零,曲面內(nèi)電荷的代數(shù)和一定為零;(C)介質(zhì)中的高斯定理表明電位移矢量?jī)H僅與自由電荷的分布有關(guān);(D)介質(zhì)中的電位移矢量與自由電荷和極化電荷的分布有關(guān)。(C)導(dǎo)體內(nèi)的電勢(shì)比導(dǎo)體表面高。【提示:在靜電平衡狀態(tài)下,孤立導(dǎo)體在曲率較大處電荷面密度和場(chǎng)強(qiáng)的值較大;導(dǎo)體是等勢(shì)體】5.當(dāng)一個(gè)帶電導(dǎo)體達(dá)到靜電平衡時(shí):( )(A)表面上電荷密度較大處電勢(shì)較高; (B)表面上曲率較大處電勢(shì)較高;(C)導(dǎo)體內(nèi)部的電勢(shì)比導(dǎo)體表面電勢(shì)高;(D)導(dǎo)體內(nèi)任一點(diǎn)與其表面上任一點(diǎn)的電勢(shì)差為零。《大學(xué)物理Ⅰ》自學(xué)練習(xí)題導(dǎo)體與電介質(zhì)部分 自學(xué)練習(xí)題一、選擇題:1.將一帶正電的物體A從遠(yuǎn)處移到一個(gè)不帶電的導(dǎo)體B附近,導(dǎo)體B的電勢(shì)將:( )(A)升高; (B)降低; (C)不會(huì)發(fā)生變化; (D)無(wú)法確定。絕緣導(dǎo)體【提示:靜電平衡狀態(tài)下,導(dǎo)體球內(nèi)部不會(huì)有電場(chǎng)線(xiàn);導(dǎo)體球是一個(gè)等勢(shì)體,電勢(shì)由所在的電場(chǎng)分布決定】4.如圖所示,絕緣帶電導(dǎo)體上a、b、c三點(diǎn), 電荷密度是( ); 電勢(shì)是( ):(A)a點(diǎn)最大;(B)b點(diǎn)最大;(C)c點(diǎn)最大;(D)一樣大。(B) 導(dǎo)體內(nèi)的場(chǎng)強(qiáng)為零,而電勢(shì)為恒量?!咎崾荆豪酶咚苟ɡ砜汕蟮?,考慮到接地的外筒電勢(shì)為零,有】9.根據(jù)電介質(zhì)中的高斯定理,在電介質(zhì)中電位移矢量沿任意一個(gè)曲面的積分等于這個(gè)曲面所包圍自
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