軟恢復(fù)二極管新進展-全文預(yù)覽
【正文】 度下才有高注入效率。 這樣，經(jīng)過少數(shù)載流子存儲時間之后，在緩沖層中還有大量的載流子未被復(fù)合或抽走，使得復(fù)合時間相應(yīng)增加，從而提高了二極管的軟度因子。因此需要根據(jù)實際情況，權(quán)衡利弊，折中考慮。 （5） 通常用軟度因子S（Softness factor）來描述反向恢復(fù)的軟硬特性：從t0到t2這段時間稱為反向恢復(fù)時間trr，tb與ta之比即為二極管的軟度因子S。 t0到t1稱為少數(shù)載流子存儲時間ta，這期間，一部分內(nèi)部儲存電荷通過反向被快速抽出，二極管反向電流從零上升至其峰值IRM，PN結(jié)電壓則略有一些減小但仍是正向的。在t0時刻后，正向壓降稍有下降，但仍處于正向偏置，電流開始反向流通，形成反向恢復(fù)電流irr。即 經(jīng)過一段時間，這個過程就是反向恢復(fù)過程，發(fā)生這一過程所用的時間定義為反向恢復(fù)時間（trr）。少子注入是電導(dǎo)調(diào)制的機理，它導(dǎo)致正向壓降（VF）的降低，從這個意義上講，它是有利的。 2 快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)分析由于我室沒有外延設(shè)備，國內(nèi)雖有外延設(shè)備，但高阻厚膜外延的目前水平尚難滿足大功率二極管的要求，因此我們決定嘗試利用傳統(tǒng)擴散工藝制作N緩沖基區(qū)結(jié)構(gòu)，以期達到提高二極管反向恢復(fù)軟度的目的。 廣泛應(yīng)用于功率電路中的PIN二極管具有較高的反向耐壓，而且在通過正向大電流密度的情況下，由于基區(qū)電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，正向壓降較小。 Abstract: This paper introduces a fast and soft recovery diode with double base regions by diffusion. The base design of the diode consists of two regions: conventional lightly doped substrate N－ and a more heavily doped region N (buffering region) by the diffusion. The results of test indicate that the reverse recovery softness of the diodes is increased to about , and is more improved than the conventional PIN diode. Zhang Haitao, Zhang Bin 關(guān)鍵詞：二極管 快速 軟恢復(fù)實驗結(jié)果表明，較傳統(tǒng)的PIN二極管有了較大改善。 （北京1021信箱402室， 北京 102201） 軟恢復(fù)二極管新進展——擴散型 雙基區(qū)二極管 二極管基區(qū)由傳
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