《薄膜成膜技術(shù)》ppt課件-全文預(yù)覽
【正文】 就越短。 (1大氣壓 =* pa, 1托 =1/760大氣壓 =) 5101) 蒸發(fā)系統(tǒng) 蒸發(fā)系統(tǒng)的主要部分有： ，為蒸發(fā)過程提供了相應(yīng)的環(huán)境； ，被蒸發(fā)材料被置于此處并加熱；，在它上面形成蒸發(fā)料淀積層； ； e.加熱器 2) 理論基礎(chǔ) 真空蒸發(fā)的具體過程可分為三個(gè)階段：從蒸發(fā)源開始的熱蒸發(fā)；蒸發(fā)料原子或分子從蒸發(fā)源向基片渡越；蒸發(fā)料原子或分子淀積在基片上。 410?“托”是表示真空度大小的單位。對(duì)于電鍍來說，促進(jìn)析出的還原能量由外部電源提供；對(duì)于化學(xué)鍍來說，需要添加還原劑。 2) CVD法 CVD法泛指氣態(tài)原料通過化學(xué)反應(yīng)生成固體薄膜的沉積過程。 1) 真空蒸發(fā) (鍍 )及濺射法 真空蒸發(fā)是將鍍料在真空中加熱、蒸發(fā)，使蒸氣原子團(tuán)在溫度較低的基板上析出形成薄膜。 三、常用薄膜介質(zhì)材料 Ta材料用于電容器材料已有幾十年歷史，其特點(diǎn)是容量大，穩(wěn)定性高；濺射 Ta膜經(jīng)陽極氧化形成 TaO,且整個(gè)電路的電阻器和電容器和引線都鉭膜化，制造工藝簡單，提高了可靠性，降低了成本。不論在氧化鋁陶瓷還是玻璃基片上，都非常穩(wěn)定。 二、常用薄膜電阻材料 薄膜電阻用原材料的電阻率多分布在 范圍內(nèi)，通常由此做成方阻值為 的薄膜方電 阻。 5) CrAu ? CrAu與玻璃間具有良好的附著性，無論對(duì) P型還是 N型 Si均能形成歐姆接觸，因此也常用作 Si IC工藝中 Al導(dǎo)線的替代； ? 其成膜方法有兩種，一是將基板加熱到 250攝氏度，依次真空蒸鍍 Cr和 Au,二是采用濺射法沉積。應(yīng)具有以下特性： ； ，為歐姆連接； 、機(jī)械強(qiáng)度高； ，電氣特性也不發(fā)生變化； ，成膜及形成圖形容易； ； Au絲、 Al絲引線鍵合及焊接等加工。 ?常用薄膜材料 一、薄膜導(dǎo)體材料 導(dǎo)體薄膜的主要用途是形成電路圖形，為半導(dǎo)體元件、半導(dǎo)體芯片、電阻、電容等電路部件提供電極及相互引線，以及金屬化等。 3) Cu ? 導(dǎo)電性僅次于 Ag,熔點(diǎn)高，與氧化鋁基片附著好，當(dāng)各種自然條件變化時(shí)，仍保持附著性 ? 幾乎能被用于所有合金材料中，生產(chǎn)成本低； ? 抗電遷移性能最好 4) Al ? 迄今為止， Al在薄膜導(dǎo)體中應(yīng)用最普遍 ? 對(duì)基片，介質(zhì)，半導(dǎo)體表面附著良好 ? 熔化溫度低 ( )，能用相對(duì)較低的工藝溫度沉積 ? 鍵合性良好 ? 電遷移效應(yīng)嚴(yán)重 實(shí)際上，采用單一導(dǎo)體很難滿足所有要求，構(gòu)成電子電路往 往需要多種導(dǎo)體膜的組合。 ? 在 250~350攝氏度的溫度下就形成化合物，使 Ti膜特性變差，造成阻值增加，因此，常在 Au與 Ti之間加入 Pt阻擋層。 1) NiCr ? 迄今為止用作電阻最好的材料。 1 0 0 ~ 2 0 0 0 cm???1 0 / ~ 1 0 0 0 /??10 /?0100 /ppm C2) TaN ? 采用濺射方法，在干燥的氮?dú)猸h(huán)境下進(jìn)行； ? 電阻值范圍寬，可達(dá) ； ? 工作條件下具有長期的穩(wěn)定性。在干式中，有以真空蒸鍍、濺射蒸鍍、離子鍍?yōu)榇淼奈锢須庀喑练e (PVD)和化學(xué)氣相沉積 (CVD)等；濕式中有電鍍、化學(xué)鍍、陽極氧化等。這種方法一般多用于氧化物、氮化物等絕緣材料及合金材料的成膜。 3) 電鍍和化學(xué)鍍 電鍍和化學(xué)鍍是依靠電場反應(yīng)，使金屬從金屬鹽溶液中析出成膜的方法。 一、真空蒸發(fā) 具體作法是使用真空機(jī)組把淀積室內(nèi)的壓強(qiáng)降到 托以下，然后采用電阻加熱，電子轟擊等方法通過高熔點(diǎn)材料制成的蒸發(fā)源或直接把蒸發(fā)料加熱到使大量原子或分子離開其表面，并淀積到基片上。真空度的上限就是一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓，即 760毫 米汞柱。它們處在不斷不規(guī)則運(yùn)動(dòng)狀態(tài)之下，既彼此碰撞，也與室壁碰撞。
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