《陶瓷基板制造技術(shù)》ppt課件-全文預(yù)覽
【正文】 納米尺度的顆粒，在比該材料的熔化溫度低的條件下熔融。 34 ? 隨著溫度的升高和 NH3的相對(duì)濃度的增大，轉(zhuǎn)化率及生成 AlN粉的結(jié)晶程度隨之提高。 29 (a) 鋁粉直接氮化法 2Al + N2 → AlN ? 簡(jiǎn)單易行，已經(jīng)用于大規(guī)模生產(chǎn)； ? 能夠合成大量純度較高的 AlN粉，無(wú)副反應(yīng)； ? 金屬鋁在 660℃ 熔化，大約在 800℃ 時(shí)開(kāi)始與 N2反應(yīng)； (鋁在 2490℃ 完全氣化 ) ? 強(qiáng)烈的放熱反應(yīng)，能夠保證反應(yīng)的順利進(jìn)行。K） 。 24 25 (2) AlN 的導(dǎo)熱機(jī)理 ? 通過(guò)點(diǎn)陣或晶格振動(dòng)，即借助晶格波或熱波進(jìn)行熱傳遞 。 21 莫來(lái)石基板 ? 3Al2O3 保證表面平滑，表面被覆玻璃釉（幾十微米）。186。Al2O3 ? 此外，在表面電鍍 Ni、 Au、 Ag等，改善導(dǎo)體膜的焊接性能。 3H2O NaOH aq. （ 5） Al2O3 陶瓷基板制作方法 (a) Al2O3 陶瓷成型 ? 助燒劑 厚膜用 ： Al2O3SiO2MgO、 CaO，提高金屬化層的浸潤(rùn)性； 薄膜用 ： w% MgO, 得到密度高、表面平滑基板， MgO抑制燒成時(shí) Al2O3顆粒長(zhǎng)大（ Cr2O3抑制MgO表面蒸發(fā)）。 4 aAl2O3 ? Al3+與 O2之間為強(qiáng)固的離子鍵； ? O2陰離子近似于密排六方排列； ? Al3+陽(yáng)離子占據(jù)了 2/3的八面體空隙位置，即每個(gè) Al3+位于 6個(gè) O2構(gòu)成的八面體的中心 。第一節(jié) 陶瓷基板概論 陶瓷基板具備條件 陶瓷基板的制造方法 流延成型工藝 陶瓷基板的金屬化 第二節(jié) 各類陶瓷基板 氧化鋁基板 莫來(lái)石基板 氮化鋁基板 碳化硅基板 氧化鈹基板 1 第三章 陶瓷基板制造技術(shù) 氧化鋁基板 （ 1） Al2O3陶瓷的基本性質(zhì) ?優(yōu)良的機(jī)械強(qiáng)度； ?良好導(dǎo)熱特性，適用于高溫環(huán)境； ?具有耐抗侵蝕和磨耗性； ?高電氣絕緣特性。 ? a(三方 )、 b(六方 )、 g(四方 )、 h(等軸 )、 r(晶系未定 )、 χ (六方 )、 κ(六方 )、 δ(四方 )、 θ(單斜 )Al2O3等 10多種變體； ? 主要有 a(三方 )、 b(六方 )、 g(四方 )相； ? aAl2O3為高溫穩(wěn)定相，工業(yè)上使用最多。C Al2O3 Mn + H2O ? MnO + H2 MnO + Al2O3 ? MnO K) ③ 絕緣耐壓 /(kV/mm) ④ ?r ⑤ 莫氏硬度 ⑥ 表觀密度 /(103kg/m3) ⑦ 彈性模量 /105MPa ⑧ 比熱容 /(101kcal/kg ? 薄厚膜混合 IC用基板 厚度幾百 nm以下，薄膜的物理性能、電氣性能受表面粗糙度影響很大 。 PI介電常數(shù)低，提高信號(hào)傳輸速度。 ? 屬六方晶系，是以 【 AlN4】 四方體為結(jié)構(gòu)單元的纖維礦型； ? 共價(jià)鍵化合物； ? AIN晶體呈白色或灰色； ? 常壓下分解溫度為 2
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