《陶瓷基板制造技術(shù)》ppt課件-預(yù)覽頁(yè)
【正文】 200～ 2 450℃ ； ? 理論密度為 g／ cm3。K）；實(shí)際值： 200 W／ (m 28 (3) AlN 粉的制備 ? 電子級(jí) AlN粉要求純度高、燒結(jié)性活性好； ? AlN粉中的雜質(zhì)特別是氧的含量，對(duì)陶瓷基板的性能有顯著影響；氧含量提高會(huì)嚴(yán)重降低基板的熱導(dǎo)率； ? 粉體粒度、顆粒形態(tài)則是影響成型和燒結(jié)條件的關(guān)鍵因素。 Al2O3碳熱還原機(jī)理： ? C還原 Al2O3 Al2O3(s) + 3C(s) ? 2Al(g) + 3CO(g) Al2O3(s) + 2C(s) ? Al2O(g) + 2CO(g) 2Al(g) + N2(g) ? 2AlN(s) [或 Al2O(g) + N2(g) + C(s) ? 2AlN(s) + CO(g) ] ? Al2O3分解 2Al2O3(s) ? 4Al(g) + 3O2(g) 2C(s) + O2(g) ? 2CO(g) 2Al(g) + N2(g) ? 2AlN(s) ? CO還原氧化鋁 Al2O3(s) + 2CO(g) ? Al2O(g) + 2CO(g) Al2O(g) + 2CO(g) + N2(g) ? 2AlN(s) + CO(g) 32 33 (c) 氣溶膠 (或氣相反應(yīng) )法： ? 用 AlC13或金屬鋁的有機(jī)化合物為原料，通過(guò)與 NH3進(jìn)行氣相反應(yīng)合成 AlN超細(xì)粉 : AlCl3 + NH3 → AlN + 3 HCl Al(C2H5)3 + NH3 → AlN + 3C 2H6 ? AlC13與 NH3反應(yīng)一般在 600~1100℃ 的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行。 ? 方便地控制 AIN顆粒的成核和生長(zhǎng)速率，從而可以獲得顆粒度一致的超細(xì) AlN粉。 ? 受粉體的性能影響較大，如果小粒徑的 AlN粉沒(méi)有達(dá)到一定的含量，是無(wú)法在設(shè)定的溫度下完成燒結(jié) 。 ? 工藝條件復(fù)雜，不適合進(jìn)行批量生產(chǎn)； ? 只能制作簡(jiǎn)單形狀的瓷體，并且共燒基板采用這種工藝會(huì)受到很大的局限性，無(wú)法用于電子封裝基板的生產(chǎn)。 39 ? 液相的流動(dòng)性要好，燒結(jié)后期在 AlN晶粒生長(zhǎng)過(guò)程的驅(qū)動(dòng)下向三角晶界處流動(dòng)，而不致于在 AIN晶粒間形成熱阻層。 40 低溫?zé)Y(jié) （ 1600 – 1800 ℃ ）： ? 近幾年，出于減少能耗，降低成本，以及 AIN與金屬漿料共燒等方面的考慮， AlN低溫?zé)Y(jié)技術(shù)的研究工作取得了一些成果。 ? 低溫金屬化 (如 AgPd導(dǎo)體、 Cu導(dǎo)體、 Au導(dǎo)體金屬化 。 43 (6) AlN 基板的應(yīng)用 (a) LSI封裝 44 (b) 超高頻（ VHF)頻帶功率放大器模塊 (c) 大功率器件、激光二極管基板 散熱基板結(jié)構(gòu)剖面 45 碳化硅 (SiC)基板 (1) SiC基板的特性 ? 熱擴(kuò)散系數(shù)大（ 銅 )。C 焦炭 食鹽 47 (3) SiC基板的制造 真空熱壓法燒成（ 2100186。C燒成； ? 燒成收縮小，尺寸精度好
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