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《dfet數(shù)位電路》ppt課件-全文預覽

2025-05-26 12:08 上一頁面

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【正文】 重點一覽 傳輸閘邏輯電路 反相器的應用 環(huán)型振盪器 反相放大器 簡單比較器 結(jié)語 5 數(shù)位反相器 數(shù)位反相器的電路符號 Vi Vo 假設 VH 代表數(shù)位電路的高電位,而 VL代表低電位,則反相器的功能是將輸入信號反相: ?當 Vi = VH, Vo = VL。 2. VOH:正常高電位輸出電壓,對應輸入電壓 Vi = VOL。 當 或 ,反相電路皆能正確將輸入電壓反相。 2. tPLH (lowtohigh propagation delay): 輸入方波信號轉(zhuǎn)換電壓後,直到輸出信號由低電位 (VOL)上升至 所需的時間。 CMOS反相器的靜態(tài)功率損耗為零,是它的一大優(yōu)點。假如 2. 當 Vi = 0V(低電位 )時, FET處於cutoff mode, ONRR ??0RR RVVONONDDo ????0ID ?DDDDDo VRIVV ???14 簡單 FET反相器 Vi Vo R VDD Vi Vo R VDD I C 當 Vi = VDD時, Vo 0V,此時電路消耗的功率為: 而當 Vi = 0V時, ID = 0,電路不消耗功率, POFF = 0。 VDD Qp Vo Qn Vi 用一顆 pchannel MOSFET取代簡單反相器中的 R 17 天才設計 CMOS反相器 CMOS反相器的工作原理: 當 Vi = VDD時, Qn導通 Qp不導通, Qn等效上像一顆電阻 RON,但由於 Qp不導通,所以: 當 Vi = 0V時, Qp導通 Qn不導通, QP導通時等效上像一顆電阻 RON,但由於 Qn不導通,所以: 0RIV0IIONDnoDpDn?????DDONDPDDoDpDnVRIVV0II??????18 天才設計 CMOS反相器 當 Vi = VDD時, Qn導通但 Qp不導通, 故電源不需提供任何電流,即功率損耗為零 。 19 CMOS反相器特性 電壓轉(zhuǎn)換曲線 VOH = VDD VOL = 0 VIL VIH VDD Vi Vo slope = ?1 slope = ?1 ? 假設使用 enhancementtype的MOSFET, Vtn及 Vtp 分別表示 Qn及 Qp的臨界電壓 (Vtn為正值, Vtp為負值 )且 Vtn = |Vtp| = Vt ? Qn: VGS = Vi VDS = Vo VGS,eff = Vi ?Vt ? QP: VSG = VDD ? Vi VSD = VDD ? Vo VSG,eff = VDD ? Vi ?Vt 20 CMOS反相器特性 電壓轉(zhuǎn)換曲線 理論上我們可以算出在 VTC上斜率為 ?1所對應的兩個輸入電壓,即 VIL及 VIH;而正常的輸出高低準位分別為 VOL及 VOH : 8V2V5V8V2V3VtDDIHtDDIL????DDOHOLVVV0V??21 CMOS反相器特性 雜訊邊距 : CMOS反相器在高低電位有相同
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