《dfet數(shù)位電路》ppt課件-全文預(yù)覽
【正文】 重點(diǎn)一覽 傳輸閘邏輯電路 反相器的應(yīng)用 環(huán)型振盪器 反相放大器 簡(jiǎn)單比較器 結(jié)語 5 數(shù)位反相器 數(shù)位反相器的電路符號(hào) Vi Vo 假設(shè) VH 代表數(shù)位電路的高電位，而 VL代表低電位，則反相器的功能是將輸入信號(hào)反相： ?當(dāng) Vi = VH， Vo = VL。 2. VOH：正常高電位輸出電壓，對(duì)應(yīng)輸入電壓 Vi = VOL。 當(dāng) 或 ，反相電路皆能正確將輸入電壓反相。 2. tPLH (lowtohigh propagation delay)： 輸入方波信號(hào)轉(zhuǎn)換電壓後，直到輸出信號(hào)由低電位 (VOL)上升至 所需的時(shí)間。 CMOS反相器的靜態(tài)功率損耗為零，是它的一大優(yōu)點(diǎn)。假如 2. 當(dāng) Vi = 0V(低電位 )時(shí)， FET處於cutoff mode， ONRR ??0RR RVVONONDDo ????0ID ?DDDDDo VRIVV ???14 簡(jiǎn)單 FET反相器 Vi Vo R VDD Vi Vo R VDD I C 當(dāng) Vi = VDD時(shí)， Vo 0V，此時(shí)電路消耗的功率為： 而當(dāng) Vi = 0V時(shí)， ID = 0，電路不消耗功率， POFF = 0。 VDD Qp Vo Qn Vi 用一顆 pchannel MOSFET取代簡(jiǎn)單反相器中的 R 17 天才設(shè)計(jì) CMOS反相器 CMOS反相器的工作原理： 當(dāng) Vi = VDD時(shí)， Qn導(dǎo)通 Qp不導(dǎo)通， Qn等效上像一顆電阻 RON，但由於 Qp不導(dǎo)通，所以： 當(dāng) Vi = 0V時(shí)， Qp導(dǎo)通 Qn不導(dǎo)通， QP導(dǎo)通時(shí)等效上像一顆電阻 RON，但由於 Qn不導(dǎo)通，所以： 0RIV0IIONDnoDpDn?????DDONDPDDoDpDnVRIVV0II??????18 天才設(shè)計(jì) CMOS反相器 當(dāng) Vi = VDD時(shí)， Qn導(dǎo)通但 Qp不導(dǎo)通， 故電源不需提供任何電流，即功率損耗為零 。 19 CMOS反相器特性 電壓轉(zhuǎn)換曲線 VOH = VDD VOL = 0 VIL VIH VDD Vi Vo slope = ?1 slope = ?1 ? 假設(shè)使用 enhancementtype的MOSFET， Vtn及 Vtp 分別表示 Qn及 Qp的臨界電壓 (Vtn為正值， Vtp為負(fù)值 )且 Vtn = |Vtp| = Vt ? Qn： VGS = Vi VDS = Vo VGS,eff = Vi ?Vt ? QP： VSG = VDD ? Vi VSD = VDD ? Vo VSG,eff = VDD ? Vi ?Vt 20 CMOS反相器特性 電壓轉(zhuǎn)換曲線 理論上我們可以算出在 VTC上斜率為 ?1所對(duì)應(yīng)的兩個(gè)輸入電壓，即 VIL及 VIH；而正常的輸出高低準(zhǔn)位分別為 VOL及 VOH ： 8V2V5V8V2V3VtDDIHtDDIL????DDOHOLVVV0V??21 CMOS反相器特性 雜訊邊距 ： CMOS反相器在高低電位有相同
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1