dfet數(shù)位電路ppt課件(完整版)
【正文】 所以 CMOS在功率損耗和速度兩方面都很理想。 26 CMOS反相器特性 傳輸延遲： VDD Qp Vo C Qn Vi CMOS反相器的傳輸延遲和輸出端的等效電容 C有關(guān)，而 C的大小和外接邏輯閘的個(gè)數(shù)有關(guān)。 以 BJT邏輯閘為例，外接邏輯閘會(huì)影響輸出電壓，若外接邏輯閘個(gè)數(shù)太多的話，會(huì)造成邏輯功能不正確，所以通常存在一個(gè) 最大的扇出數(shù) (maximum fanout)。 3. 其邏輯功能為： VDD B A Y A B BAY ??35 CMOS邏輯電路 異或閘 (EXOR gate) 1. 當(dāng) (A = VH， B = VL)或 (A = V L，B = VH)， Y = VH。 V1 V2 V3 39 反相器的應(yīng)用 假設(shè)迴路中有 n個(gè)反相器 (n為奇數(shù)且 n ? 3)，所得到方波信號的週期及頻率分別為： 所以在 tp固定的情況下，利用 n可以控制頻率，故 ring oscillator是 IC中產(chǎn)生方波信號的簡便方法。 3. 實(shí)用的比較器有兩個(gè)輸入端，其中一個(gè)輸入端可以設(shè)定 Vref並且其模糊區(qū)間很窄，所以使用上比較方便且功能比反相器好。 2. 我們發(fā)覺高低電位轉(zhuǎn)換的斜率很大，而轉(zhuǎn)換曲線的中點(diǎn)約位於 。 3. 其邏輯功能為： VDD A Y B B A BABAY ????A _ A _ B _ B _ 36 傳輸閘邏輯電路 將 FET 類比開關(guān)應(yīng)用在數(shù)位邏輯上： B Y S2 S1 A A B 1. 當(dāng) B = 1， S2閉合而 S1打開，所以輸出 ，即 Y的準(zhǔn)位由輸入信號 所決定。 所以實(shí)用上隨不同的速度要求而定， CMOS邏輯閘的扇出數(shù)仍有所限制。但是 VDD愈高則功率損耗愈大，所以功率與速度之間必須適當(dāng)取捨。 當(dāng) Vi = VDD， Vo = 0V，由於 Qp不導(dǎo)通，同樣沒有電流由 power supply流出，故 P = 0。故其平均消耗功率為： 另一方面當(dāng) Vi由 VDD轉(zhuǎn)變?yōu)?0V，使得 Vo由 0V轉(zhuǎn)變?yōu)?VDD時(shí)，由於輸出端存在寄生電容 (C)， VDD經(jīng)由 R向 C充電，顯然 R愈大充電時(shí)間愈長，即Vo由 0V上升至 VDD的時(shí)間愈長，造成轉(zhuǎn)換速度變慢。 2 )VV( OLOH ?2 )VV( OLOH ?10 數(shù)位反相器 傳輸延遲 整體電路的傳輸延遲 (tp)則取其平均值： tp愈小代表元件的反應(yīng)速度愈快，表示單位時(shí)間內(nèi)能處理的資料量愈大。 3. VIL ：可容許之最大低電位輸入電壓。 2. VOH：正常高電位輸出電壓，對應(yīng)輸入電壓 Vi = VOL。 2. tPLH (lowtohigh propagation delay)： 輸入方波信號轉(zhuǎn)換電壓後，直到輸出信號由低電位 (VOL)上升至 所需的時(shí)間。假如 2. 當(dāng) Vi = 0V(低電位 )時(shí)， FET處於cutoff mode， ONRR ??0RR RVVONONDDo ????0ID ?DDDDDo VRIVV ???14 簡單 FET反相器 Vi Vo R VDD Vi Vo R VDD I C 當(dāng) Vi = VDD時(shí)， Vo 0V，此時(shí)電
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