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《dfet數(shù)位電路》ppt課件-預(yù)覽頁(yè)

 

【正文】 的雜訊邊距 8V2V3VVNM8V2V3VVNMtDDIHOHHtDDOLILL????????22 CMOS反相器特性 靜態(tài)功率損耗: 當(dāng) Vi = 0V, Vo = VDD,沒有電流由 power supply流出,所以 P = 0。此時(shí)儲(chǔ)存在 C上的電荷量為: 2. 每一次轉(zhuǎn)換期間 (Vo由 VL VH VL ), 則 皆由電源流出 q = CVDD的電荷 。假設(shè) CMOS反相器外接 n個(gè)邏輯閘並且每個(gè)邏輯閘的輸入端寄生電容皆相同,則 C可以表示為: Cout:反相器本身輸出端的寄生電容量 Cin:每個(gè)外接邏輯閘輸入端的寄生電容量 C = Cout + n ? Cin 27 CMOS反相器特性 傳輸延遲 (tp ): tp = (tPLH ? tPHL) = tp與 VDD成反比而與 C成正比,即 VDD愈高充電速度愈快, C愈大充電速度愈慢。 )k1k1()(2VCfPtDPpn2DD2p ?????????29 CMOS反相器特性 例題 2. VDD Qp Vo C Qn Vi 左圖中假設(shè) VDD = 10V,CMOS反相器輸出端寄生電容 Cout = 1pF,每個(gè)外接邏輯閘輸入端寄生電容Cin = 2pF; FET參數(shù)為:kn = kp = 1mA/V2, Vtn = |Vtp| = ?VDD, ? = 。 31 CMOS反相器特性 CMOS邏輯閘的輸入端是絕緣體 (IG = 0),所以外接邏輯閘不會(huì)影響輸出電壓,因此理論上 CMOS邏輯閘的 fanout可以趨近無限大 對(duì)於 CMOS來說, 當(dāng)外接的邏輯閘數(shù)量增加時(shí),輸出端的等效電容 C隨之增加,結(jié)果 tPHL及 tPLH 也隨之上升,造成速度下降。 2. 當(dāng) A = VL 且 B = VL 時(shí), Y = VH。 2. 當(dāng) (A = VL, B = VL)或 (A = VH,B = VH), Y = VL。 ?邏輯功能為: A _ B _ 38 反相器的應(yīng)用 環(huán)型振盪器 (ring oscillator) 1. 利用反相器存在傳輸延遲,使得 Vo無法隨 Vi瞬間改變的特性,我們可以串接奇數(shù)個(gè) (n ? 3)反相器成為一個(gè) 環(huán)型振盪器 ,以產(chǎn)生穩(wěn)定的方波信號(hào)。 pnt2T ?pnt21f ?40 反相器的應(yīng)用 例題 4. 假設(shè)環(huán)型振盪器中反相器的 tp = 1ns, (1) 欲得到 f = 100MHz的方波信號(hào),需串接幾 個(gè)反相器? (2) 欲得到 f = 1MHz的方波信號(hào),需串接幾個(gè)反相器? 41 反相器的應(yīng)用 反相放大器: VOH = VDD VOL = 0 VIL VIH VDD Vi Vo slope = ?1 slope = ?1 1. 在高低電位轉(zhuǎn)換區(qū)間的斜率很大 (斜率為負(fù)值 ),表示 Vi很小的變動(dòng)會(huì)造成 Vo很大的變化。 2/VVDDb i a s ?RM Vi Vo 43 反相器的應(yīng)用 簡(jiǎn)單比較器 : VDD/2 Vo 1. 以 CMOS反相器為例,假設(shè) Vi VDD/2, Vo ?VDD; Vi VDD/2, Vo ? 0V;所以反相器可作為簡(jiǎn)單比較器。
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