靜電放電及其抗擾度試驗(yàn)-全文預(yù)覽
【正文】 V2 4 6 8 10 12 15 18 20上升時(shí)間 /ns 峰值 /A 耦合電壓 /V 27ESD電壓與小環(huán)耦合電壓關(guān)系圖 正極性的放電在 2kV到 12kV之間，耦合電壓隨著放電電壓的增加而下降，大于 12kV的放電其耦合電壓將逐漸增加。 為此，我們建議，要規(guī)定電流導(dǎo)數(shù)波形參數(shù)，限制電流波形的振蕩，進(jìn)一步完善 ESD模擬器的校驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)，從而減小不同模擬器靜電抗擾度測(cè)試結(jié)果之間的差異。15二、主要進(jìn)展16故障 現(xiàn) 象 模 擬 器 放 電電壓 /kV內(nèi) RAM的 0~R7單 元內(nèi)容出 錯(cuò)ESS200AX ～ ～ NSG435 ～ ～ 外 RAM存 儲(chǔ) 器內(nèi)容被改寫(xiě)ESS200AX ～ ～ NSG435 ～ ～ 兩種模擬器效應(yīng)試驗(yàn)結(jié)果比較17兩種模擬器的波形參數(shù) 放電電壓kV ESS200AX NSG435 tr/ /ps Ip /A I30ns /A I60ns /A Tr /ps Ip /A I30ns /A I60ns /A 2 883 769 4 923 734 6 896 743 8 907 733 ESD電流基本參數(shù)均符合 IEC標(biāo)準(zhǔn)要求，并不能看出兩種模
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