靜電放電及其抗擾度試驗(yàn)(編輯修改稿)
2025-05-29 05:49 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 22年最后一期 IEEE EMC上發(fā)表兩篇文章 。 對(duì)靜電放電抗擾度試驗(yàn)和試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了研究 。13實(shí)驗(yàn)裝置示意圖14研究結(jié)果? ESD失效電平與感應(yīng)環(huán)上環(huán)感應(yīng)的電壓有很好的相關(guān)性 。? 峰值電流的導(dǎo)數(shù)和上升時(shí)間與失效電平?jīng)]有很好的相關(guān)性 。? 環(huán)上的感應(yīng)電壓是超高速 CMOS器件失效電平的最好指標(biāo)，由于器件使用高速 CMOS的成分在增加而且未來(lái)將繼續(xù)增加，所以需要修改 ESD標(biāo)準(zhǔn) 。15二、主要進(jìn)展16故障 現(xiàn) 象 模 擬 器 放 電電壓 /kV內(nèi) RAM的 0~R7單 元內(nèi)容出 錯(cuò)ESS200AX ～ ～ NSG435 ～ ～ 外 RAM存 儲(chǔ) 器內(nèi)容被改寫ESS200AX ～ ～ NSG435 ～ ～ 兩種模擬器效應(yīng)試驗(yàn)結(jié)果比較17兩種模擬器的波形參數(shù) 放電電壓kV ESS200AX NSG435 tr/ /ps Ip /A I30ns /A I60ns /A Tr /ps Ip /A I30ns /A I60ns /A 2 883 769 4 923 734 6 896 743 8 907 733 ESD電流基本參數(shù)均符合 IEC標(biāo)準(zhǔn)要求，并不能看出兩種模擬器的差異。18兩模擬器 ESD電流上升前沿并不重合，上升沿的陡峭程度將影響其包含的高頻成分，進(jìn)而影響
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