freepeople性欧美熟妇, 色戒完整版无删减158分钟hd, 无码精品国产vα在线观看DVD, 丰满少妇伦精品无码专区在线观看,艾栗栗与纹身男宾馆3p50分钟,国产AV片在线观看,黑人与美女高潮,18岁女RAPPERDISSSUBS,国产手机在机看影片

正文內容

靜電放電及其抗擾度試驗(編輯修改稿)

2025-05-29 05:49 本頁面
 

【文章內容簡介】 22年最后一期 IEEE EMC上發(fā)表兩篇文章 。 對靜電放電抗擾度試驗和試驗標準進行了研究 。13實驗裝置示意圖14研究結果? ESD失效電平與感應環(huán)上環(huán)感應的電壓有很好的相關性 。? 峰值電流的導數(shù)和上升時間與失效電平?jīng)]有很好的相關性 。? 環(huán)上的感應電壓是超高速 CMOS器件失效電平的最好指標,由于器件使用高速 CMOS的成分在增加而且未來將繼續(xù)增加,所以需要修改 ESD標準 。15二、主要進展16故障 現(xiàn) 象 模 擬 器 放 電電壓 /kV內 RAM的 0~R7單 元內容出 錯ESS200AX ~ ~ NSG435 ~ ~ 外 RAM存 儲 器內容被改寫ESS200AX ~ ~ NSG435 ~ ~ 兩種模擬器效應試驗結果比較17兩種模擬器的波形參數(shù) 放電電壓kV ESS200AX NSG435 tr/ /ps Ip /A I30ns /A I60ns /A Tr /ps Ip /A I30ns /A I60ns /A 2 883 769 4 923 734 6 896 743 8 907 733 ESD電流基本參數(shù)均符合 IEC標準要求,并不能看出兩種模擬器的差異。18兩模擬器 ESD電流上升前沿并不重合,上升沿的陡峭程度將影響其包含的高頻成分,進而影響
點擊復制文檔內容
教學課件相關推薦
文庫吧 www.dybbs8.com
備案圖片鄂ICP備17016276號-1