介損測(cè)試原理及應(yīng)用-全文預(yù)覽
【正文】 『 介質(zhì)損耗 因數(shù)（ tgδ ）測(cè)量方式 』 介質(zhì)損耗因數(shù)（ tgδ）測(cè)量方式 使橋體處于地電位，又能克服側(cè)接線易受干擾的缺陷的另一個(gè)方法就是使用高壓隔離電流傳感器（如采用光纖、電磁隔離）。 COPYRIGHT(C) ALL RIGHTS RESERVED. 『 介質(zhì)損耗 因數(shù)（ tgδ ）測(cè)量方式 』 介質(zhì)損耗因數(shù)（ tgδ）測(cè)量方式 這是一種采用側(cè)接線代替反接線的接法，在試品一端接地（ a點(diǎn)）， E端為屏蔽端， U端為高壓端。 各種介損測(cè)試儀器正接線接線方法基本一致。 COPYRIGHT(C) ALL RIGHTS RESERVED. 『 介質(zhì)損耗 因數(shù)（ tgδ ）原理 』 介質(zhì)損耗因數(shù)（ tgδ）測(cè)量原理 智能型電橋的測(cè)量回路還是一個(gè)橋體?？傊F(xiàn)場(chǎng)操作使用都比較麻煩，抗干擾能力差，已經(jīng)不能適應(yīng)現(xiàn)在電氣試驗(yàn)工作的需要。 COPYRIGHT(C) ALL RIGHTS RESERVED. 『 介質(zhì)損耗 因數(shù)（ tgδ ）原理 』 介質(zhì)損耗因數(shù)（ tgδ）測(cè)量原理 因?yàn)榻涣麟娐分须娙葑杩篂? 電路中 R C4的并聯(lián)阻抗為兩者倒數(shù)和的倒數(shù) 按阻抗元件分壓原理，不難得到： COPYRIGHT(C) ALL RIGHTS RESERVED. 『 介質(zhì)損耗 因數(shù)（ tgδ ）原理 』 介質(zhì)損耗因數(shù)（ tgδ）測(cè)量原理 經(jīng)過(guò)運(yùn)算，按復(fù)數(shù)相等實(shí)部、虛部分別相等的規(guī)定可得到： 按串連模型介損定義： ,由于 R4是固定的 3184Ω ，頻率是 50Hz、 C4單位為 μF 時(shí)， tgδ=C4 ，因此可以在 C4刻度盤上讀出介損，通過(guò) R R Cn可以計(jì)算 Cx。試驗(yàn)時(shí)需配備外部標(biāo)準(zhǔn)電容器（如 BR16型標(biāo)準(zhǔn)電容器），以及10kV升壓器及電源控制箱。 按照電力設(shè)備預(yù)防性試驗(yàn)規(guī)程的規(guī)定，對(duì)多種電力設(shè)備（如電力變壓器、發(fā)電機(jī)組、高壓開關(guān)、電壓電流互感器、套管、耦合電容等）都需要做介質(zhì)損耗因素（ tgδ ）的測(cè)量。 介質(zhì)損耗因數(shù)的定義是： 介質(zhì)損耗因數(shù) tgδ 只與材料特性有關(guān)，與材料的尺寸、體積無(wú)關(guān)，便于不同設(shè)備之間進(jìn)行比較。 電壓作用下電介質(zhì)中產(chǎn)生的一切損耗稱為介質(zhì)損耗或介質(zhì)損失。因此引入了介質(zhì)損耗因數(shù) tgδ （又稱介質(zhì)損失角正切值）的概念。這時(shí)流過(guò)絕緣的電流中有功分量 IRX增大了， tgδ 也加大。 COPYRIGHT(C) ALL RIGHTS RESERVED. 『 測(cè)量介質(zhì)損耗因素的意義 』 測(cè)量介質(zhì)損耗因素的意義 西林電橋 （如 QS1） COPYRIGHT(C) ALL RIGHTS RESERV
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