【正文】 lcircuit,所以,元件的對(duì)稱要非常小心,同時(shí),它是ring的形式,故而stage1到stage2的擺放位置與拉線要特別留意,同時(shí)要注意跨線與VDD和GND的跑線,因?yàn)橐粋€(gè)不小心就會(huì)讓VCO的jitter變大,同時(shí)也會(huì)造成phasetophase的誤差變大,所以,VCO電路是最難畫(huà)也需最小心的電路,建議在畫(huà)這塊電路時(shí),一定要請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)者說(shuō)明他想要layout怎么擺放各個(gè)元件及拉線,通常,我會(huì)將這塊電路放在LPF的上方且緊靠在最右邊的地方,再者,因?yàn)檫@塊電路不算小,所以,VCO的layout的高度大概是PFD,并且留意wire的連接再來(lái)則是PhaseFrequencyPump但是反饋電阻太小的話，也會(huì)影響到放阻，為了放大器的工作穩(wěn)定，減少零漂，在反饋電容兩端并上電阻，形成直流負(fù)反饋可以穩(wěn)定放大器的直流工作點(diǎn)；3)可能挑選的運(yùn)算放大器的輸入阻抗不夠高，分壓方式，必須考慮電源紋波對(duì)系統(tǒng)的影響，這種用法噪聲比較高，PSRR比較低。壓源好？有的網(wǎng)友建議用參考電壓源，理由是精度高，此外還能提供較低的交流旁路，有的網(wǎng)友建議用電阻，理由是成本低而且方便，對(duì)此，張世龍沒(méi)有特別指出用4)若選用非儀表運(yùn)放，反饋電阻就不要太大了，M歐級(jí)好一些。2)推薦加金屬屏蔽罩，將微弱信號(hào)部分罩起來(lái)(開(kāi)個(gè)小模具)，金屬體接電路地，可以大大改善電路抗干擾能力。電流轉(zhuǎn)電壓放大器需選用輸入偏置電流極低的運(yùn)放。如何完成信號(hào)放大？張世龍指出，對(duì)于微弱信號(hào)的放大，只用單個(gè)放大器難以達(dá)到好的效果，必須使用一些較特別的方法和傳感器激勵(lì)手段，而使用同步檢測(cè)電路結(jié)用作比較器的運(yùn)放只對(duì)輸入級(jí)要求較高，其它部分可靈活處理。匹配性要求高的管子盡量靠得近一些。具體做法是做二維的中心對(duì)稱，在輸入管的兩側(cè)加好dummy管，在最外圍加上厚一點(diǎn)的guard振蕩器部分，rc振蕩器由兩個(gè)比較器，取樣電阻，和rc網(wǎng)絡(luò)組成，在輸出端會(huì)有rs觸發(fā)器和輸出驅(qū)動(dòng)管。為了吸收來(lái)自電源的電壓波動(dòng)帶來(lái)的影響，bandgap輸出會(huì)有一個(gè)減小電源波動(dòng)的電路，其原理是比較bandgap的輸出和電源的取樣值，結(jié)果經(jīng)比較器送到電源的下拉管，如果電源取樣值高于bandgap輸出值，則下拉管打開(kāi)，減弱電源，否則下拉管關(guān)閉。不幸的是，帶隙基準(zhǔn)對(duì)周邊環(huán)境的要求高，不希望受到脈沖信號(hào)的干擾，而這樣的脈沖信號(hào)恰恰來(lái)自振蕩器，因此在模擬版圖當(dāng)中這兩者的關(guān)系顯得比較微妙而且難以處理。剩余空間加電源地線電容，加PMOS還是NMOS的簡(jiǎn)單分析用PMOS做電容的時(shí)候，PMOS的NWELL與襯底（p型）形成一個(gè)反偏二極管，當(dāng)?shù)鼐€上來(lái)一個(gè)瞬間大電流，能通過(guò)這個(gè)來(lái)對(duì)mos電容柵極進(jìn)行保護(hù)。18甚至更大尺寸時(shí)，差不多不要跑SI，到了。前端設(shè)計(jì)師只關(guān)心邏輯上是不是能實(shí)現(xiàn)他所要的功能，芯片的電氣特性需要后端工程師來(lái)把握。摻雜濃度不同的，所以需要不同的mask來(lái)區(qū)分 　　　　　　?。遥啤。校粒臑槭裁炊加茫模桑希模?？diode用來(lái)做esd效率相對(duì)低一些，為了達(dá)到較強(qiáng)的效果，通常面積會(huì)很大。 Y* M3 I, ::微電中國(guó)網(wǎng) ::微電中國(guó)網(wǎng)amp。（Drain Induced Barrier Lowering）.* z* Q x9 T4 V0 R2 U) E/ z5 d: H8 _1 t: I! q( n2 _6 ^+ ::微電中國(guó)網(wǎng)L p9 s半導(dǎo)體,微電子,集成電路,IC,工藝,設(shè)計(jì),器件,封裝,測(cè)試,MEMS8V NLDD implantation）、PLL( PLDD implantation）NLH（ NLDD implatation）、PLH( PLDD implatation)、DG(Dual GATE)等層表示什么意思，該如何使用？LDD: Ligthly doped Drain 淺摻雜源漏amp。然而要能進(jìn)行FIB就必須在tapeout前對(duì)spare cell的金屬連線方式做特殊處理。這樣的話，客戶可以在加工到poly層時(shí)（后面的金屬層還沒(méi)有做），停止大部分wafer的進(jìn)程，而讓少量wafer繼續(xù)加工到完成，然后對(duì)這些已完成的wafer上的die進(jìn)行測(cè)試，如果發(fā)現(xiàn)有功能或時(shí)序上的問(wèn)題，就可能通過(guò)預(yù)先布在die上的 Spare cell來(lái)解決。打上這些contact后DRC的運(yùn)行速度會(huì)大大減慢，因?yàn)樾枰獰o(wú)數(shù)次地重復(fù)檢查這些contact，比檢查主要線路的DRC所耗時(shí)間多得多。減小DRC運(yùn)行時(shí)間的一個(gè)小技巧DRC運(yùn)行的時(shí)候，根據(jù)版圖圖形的復(fù)雜程度和單元個(gè)數(shù)的不同，所用時(shí)間不一。ADC中的電容值呈金字塔分布，即從最大值電容，到最小值電容依次遞減，在畫(huà)這些電容時(shí)，同樣要考慮到工藝梯度的影響。淺談ADC中電阻電容的畫(huà)法ADC中電阻起到取樣作用，對(duì)具體值不敏感，因此匹配性比較重要，要保證電阻鏈上從電源到地的電勢(shì)均衡分配，在電阻的擺放上面要注意避免工藝梯度造成的影響。版圖中電源線的布局?jǐn)?shù)模混合芯片中電源的走線分成三類，模擬電路的供電，數(shù)字電路的供電，ESD保護(hù)管的供電。Ring接地，屏蔽芯片外的干擾。line，是把芯片從晶圓上切下來(lái)的線，是要實(shí)際走刀子的地方，而Seal芯片的Seal因此，在ESD保護(hù)管周圍填充電容只能是POLY電容，或其它形式的不帶diffusion的電容。如果芯片是core但這同樣有一個(gè)問(wèn)題，就是數(shù)字的地也打到substrate上，模擬的地也打到substrate上，那么數(shù)字和模擬的地豈不是接到一塊兒了？這是一個(gè)值得商量的問(wèn)題。數(shù)?；旌习鎴D中數(shù)字外圈該打substrate如果放大級(jí)也用差分形式的電路，則比照處理。ring。因此，開(kāi)槽后有效增加了電流的流通途徑，減少了金屬被電子撞斷（電遷移）的危險(xiǎn)。ring中的。ring接電源，即形成三圈guardsubstreate每隔800um設(shè)一條strip比較合適。Digital電源線用多寬SE沒(méi)有電源分析功能，如果用SE作PR，電源線的寬度要自己人為估計(jì)，是否夠用也只能根據(jù)經(jīng)驗(yàn)主觀判斷，工具也沒(méi)有辦法驗(yàn)證電源的線寬是否夠用。按照一般的畫(huà)法，模擬部分是電源放在內(nèi)圈，地放在外圈，數(shù)字部分也是一樣，都是地放在外圈。數(shù)字模塊和模擬模塊的電源隔離數(shù)字地和模擬地都連接在襯底上，沒(méi)有辦法做到真正的隔離，唯一可采取的措施在于拉遠(yuǎn)兩者地的距離。如果動(dòng)態(tài)信號(hào)線兩側(cè)都是靜態(tài)信號(hào)線，甚至是地線，或電源線，它們受到的干擾就會(huì)小得多，尤其是兩側(cè)用同層金屬的地線夾住，會(huì)起到明顯的保護(hù)作用。還有一種，是將N1P0P1畫(huà)在一起，然后通過(guò)一段較長(zhǎng)的金屬將P0P1的柵和P2的柵連接在一起，這稱為電壓傳輸，因?yàn)殚L(zhǎng)金屬中傳送的是電壓信號(hào)。如圖所示，假設(shè)在版圖上N1和P2相隔比較遠(yuǎn)，需要走一段比較遠(yuǎn)的距離，這時(shí)候可以有兩種選擇，一種是將P0，P1，P2畫(huà)在一起，N1的漏通過(guò)長(zhǎng)金屬連接到P0的源漏，P1P2的柵，這稱為電流傳送，因?yàn)殚L(zhǎng)金屬中流過(guò)的是電流信號(hào)。信號(hào)線的動(dòng)靜相間動(dòng)態(tài)信號(hào)線，如時(shí)鐘線，快速變化的數(shù)據(jù)線如果靠得太近，線與線間的側(cè)壁電容會(huì)大于我們的想像，由此電容耦合產(chǎn)生的干擾是比較嚴(yán)重的干擾。走電流信號(hào)比走電壓信號(hào)更好?；旌闲盘?hào)芯片的電源圈順序混合信號(hào)集成電路中模擬部分和數(shù)字部分都要圍兩圈電源和地，有時(shí)候在數(shù)字和模擬之間要再加上一圈地，這樣，從數(shù)字的core到模擬的core之間一共是隔了五條寬線。如果對(duì)數(shù)字部分不放心，可將其多圍幾圈圍得像水桶一樣，這樣更穩(wěn)妥。比如，對(duì)于2000um*2000um的數(shù)字電路來(lái)說(shuō)，電源線的寬度設(shè)為20um就比較合適，digital部分中間根據(jù)需要拉一些strip，strip的寬度可以適當(dāng)減小一些，比如設(shè)為10um或者8um。浮阱需要單獨(dú)的地圍起來(lái)，這圈地不能再圍其它不同電位的浮阱，穩(wěn)妥的做法是浮阱邊緣n阱以內(nèi)打一圈nsubstrate在不允許的條件下，也可不打三圈ring，但不同電位的浮阱是不能放在同一個(gè)gnd電氣方面，寬金屬中電流在電流的時(shí)候都是趨向在邊緣流動(dòng)的，金屬中央的電流小，參考本站轉(zhuǎn)載的“趨膚效應(yīng)”一文。具體做法是做二維的中心對(duì)稱，在輸入管的兩側(cè)加好dummy管，在最外圍加上厚一點(diǎn)的guard匹配性要求高的管子盡量靠得近一些。用作比較器的運(yùn)放只對(duì)輸入級(jí)要求較高，其它部分可靈活處理。contact打到阱和襯底上可以把這些噪聲都包圍在數(shù)字版圖內(nèi)部。Layout空白處ESD保護(hù)管周圍不宜填充MOS電容在版圖工作