學(xué)習(xí)過(guò)程中遇到的版圖問(wèn)題-wenkub.com
2025-03-22 00:29 本頁(yè)面
【正文】 隨著工藝技術(shù)的發(fā)展，柵的尺寸越來(lái)越小，金屬的層數(shù)越來(lái)越多，發(fā)生天線(xiàn)效應(yīng)的可能性就越大，所以，我們一般不大會(huì)考慮天線(xiàn)效應(yīng)?？梢?jiàn)，這種由工藝帶來(lái)的影響我們是無(wú)法徹底消除的，但是，這種影響卻是可以盡量減小的。 一條條長(zhǎng)長(zhǎng)的金屬線(xiàn)或者多晶硅(polysilicon)等導(dǎo)體，就象是一根根天線(xiàn)，當(dāng)有游離的電荷時(shí)，這些“天線(xiàn)”便會(huì)將它們收集起來(lái)，天線(xiàn)越長(zhǎng)，收集的電荷也就越多，當(dāng)電荷足夠多時(shí)，就會(huì)放電。關(guān)于天線(xiàn)效應(yīng)by yw如果按上述方法布好了圖，在連線(xiàn)的時(shí)候，發(fā)現(xiàn)模塊內(nèi)部需要連到外面的管子被放到了模塊的另一端，而相反的一端也有同樣的情況，這樣連線(xiàn)的時(shí)候難免要扯東扯西，造成連線(xiàn)復(fù)雜，工作量加大。Equation:Id=(beta/2)*square(VgsVt)基本晶體管方程Id=(beta/2)*square(VgsVt)布局優(yōu)先還是連線(xiàn)優(yōu)先手工畫(huà)圖的習(xí)慣做法是先把要用到的cell擺上去再說(shuō)，然后再考慮連線(xiàn)問(wèn)題。模擬工具對(duì)以39。aswith.Vddgnd!take用相同的metaltxt層標(biāo)明pin27.takesmetaltxttakesmetaltxttheonputinnetnamelayouttoptheputagood這樣可減小漏電26.thedopowerbe(Vdd)toNWELLreversemakeLatchup,layer.，最上層金屬可以更大25.themetalThumbtheadifferentialGuardshouldtimethethearoundputcircuit.對(duì)匹配的晶體管用共中心的結(jié)構(gòu)差分對(duì)管，分割為4管，2*2排列，共中心對(duì)電流鏡，可用線(xiàn)形共中心21.forlinearmayrowsbefourshouldlayout.EachmatchedCentroidalwaysleveldamagedlayer,theR(L)為減小工藝變化對(duì)電阻影響，應(yīng)使電阻的寬度為默認(rèn)值的34倍19.valueitdefaultfourresistor’sshouldthetheconnectedtransistordrainOnehasandmetalsonly).topdosameshouldtransistorCurrentincreaseAsmetaltry可以用poly做短的柵連接。gatecancarrieslayerusepossible.盡量使用metal1橫向布線(xiàn)，metal縱向布線(xiàn)13.routing2horizontaltheOnebeforetowithalltransistors.Layout中，所有晶體管統(tǒng)一擺放方向，使有相同的環(huán)境11.environmenttoplacedalloroverlaponecapacitanceshould40CforWewithcheck多晶硅電容約有10%工藝變化8.variationhastheresistanceSoResistancecoefficenthasButresistanceprocessresistancethumb(slow)和20%othersprocessoneaccount.theprocesschecktypicaltheweprocesswhichnfpf,makeslowwithtoIt’sisandcalledtransistor.forweVt(Typical)canVtofthesimulatepin6.因?yàn)樵趌ayout中增加一個(gè)pin是比較困難的。shouldwhereasbeAllintoview.beforepinsmakethetheOtherwise,transistorsproper5,thancircuittransistorssize應(yīng)把大管分成小晶體管，使其寬/長(zhǎng)特征尺寸或=15um4.widthintosplitVt.目前模擬設(shè)計(jì)仍然是使晶體管工作在飽和區(qū)，故應(yīng)使Vgs大于Vt約30%3.TransistorkeeptransistordesignPresenttochange.oftoprocess.featurefiveshouldlength+CP的layout高度最后一塊電路則是postdivider,我通常是放在PLL的最上方,它是數(shù)位電路,沒(méi)什么需要特別留意的地方,不過(guò),有時(shí)候我們會(huì)把predivider和postdivider都放在同一塊最后,PLL的信號(hào)連線(xiàn)順序是由predivider進(jìn)去,然后接到PFD,再到CP,再到LPF,再到VCO,最后到postdivider,所以,我的layout擺放位置也是依照此一順序來(lái)走而不會(huì)有各個(gè)子電路交錯(cuò)的問(wèn)題,所以,這些都是原設(shè)計(jì)者要交待layout人員的地方。dector(PFD)和predivider,這個(gè)電路是數(shù)位電路,不過(guò),因?yàn)镻FD中有些電路是要消除deadzone現(xiàn)象的,故而有些元件的path要特別留意matching,而這點(diǎn),要看設(shè)計(jì)者是用那一種PFD電路,若沒(méi)有特別交待,那layout人員是不會(huì)特別留心的再來(lái)則是VoltageCircuit,會(huì)放在LPF的上邊同時(shí)緊靠在最左邊的位置,這個(gè)電路并不大,同時(shí)也是analogPLL畫(huà)法參考首先,PLL電路中最大面積的是LowPass大器的頻率下限。造成電荷泄露，導(dǎo)致零漂。三、何種方式，只是強(qiáng)調(diào)雙電源運(yùn)放改成單電源電路時(shí)，如果采用基準(zhǔn)電壓的話(huà)，效果最好。否則對(duì)電阻要求比較高。3)對(duì)于傳感器輸出的nA級(jí)，選擇輸入電流pA級(jí)的運(yùn)放即可。另外同步解調(diào)需選用雙路的SPDT模擬開(kāi)關(guān)。構(gòu)可以得到非常好的測(cè)量效果。運(yùn)算放大器應(yīng)用設(shè)計(jì)的幾個(gè)技巧運(yùn)算放大器在電路中發(fā)揮重要的作用，其應(yīng)用已經(jīng)延伸到汽車(chē)電子、通信、消費(fèi)等各個(gè)領(lǐng)域，并將在支持未來(lái)技術(shù)方面扮演重要角色。如果放大級(jí)也用差分形式的電路，則比照處理。ring。取樣電阻上的電流電壓變化小，放在振蕩器邊緣靠近bandgap的地方，然后放上rc網(wǎng)絡(luò)，再放振蕩器中的兩個(gè)比較器，在最遠(yuǎn)離bandgap的一端放置輸出rs觸發(fā)器和驅(qū)動(dòng)管。因此，可以利用這部分的取樣電阻來(lái)達(dá)到隔離bandgap和振蕩器的目的。如果兩者的距離擺放太遠(yuǎn)，由基準(zhǔn)源來(lái)的偏置電流要經(jīng)過(guò)漫長(zhǎng)的路途才能到達(dá)振蕩器，難免受到其它信號(hào)的干擾；如果兩者的距離太近，帶隙基準(zhǔn)又會(huì)受到振蕩器的直接干擾。當(dāng)然，在柵極上加一個(gè)小電阻是常用的做法。09就好象很有這個(gè)必工藝越小，集成度越高，會(huì)帶來(lái)散熱和功耗的問(wèn)題！還會(huì)出現(xiàn)量子效應(yīng)！！線(xiàn)寬越窄，會(huì)帶來(lái)延遲和寄生的問(wèn)題！！電遷移和打孔的多少有什么關(guān)系如果沒(méi)有防止電遷徙的措施，更多的孔會(huì)加強(qiáng)電遷徙，主要是隨著工藝尺寸的減小，孔的側(cè)壁越來(lái)越陡峭，而鋁蒸汽并非各向同性淀積，使得金屬在經(jīng)過(guò)氧化物臺(tái)階時(shí)變薄，導(dǎo)致導(dǎo)線(xiàn)橫截面積減小，因而電流密度增大，加速了電遷徙。簡(jiǎn)單的說(shuō)工藝每進(jìn)步一代，如從。J9 x4 m4 j3 a 。但通常是DIODE配合MOS使用，面積過(guò)大相應(yīng)寄生就大,需要平衡. 二極管的寄生不是很大么，為什么在rf里面都用這個(gè)？二極管可以卸載高密度電流,對(duì)CDM E1 M8 R, j ?4 G6 {, w5 Zamp。 r7 e6 v1 N9 Y1 s3 U1 R+ j) `=半導(dǎo)體,微電子,集成電路,IC,工藝,設(shè)計(jì),器件,封裝,測(cè)試,::微電中國(guó)網(wǎng)6 F( a+ w* }9 }* J$ x 目的：在短溝條件下，減小漏端電場(chǎng)強(qiáng)度，避免DBIL效應(yīng): T6 | Jamp。一般我們都把spare cell的輸入輸出端邏輯上接VDD或VSS，這樣在后端工具自動(dòng)布線(xiàn)時(shí)就會(huì)將spare cell的輸入輸出pin接到臨近的VDD或VSS rail上，而rail是metal 1，對(duì)于FIB而言，這個(gè)連接太深了。只是改動(dòng)幾層金屬層光罩就可以完成std cell重新連接，而不用改動(dòng)std cell的布局（要改poly層之前的所有光罩）。因此，在版圖LVS沒(méi)有調(diào)通之前，可先去掉這些contact，以及其它空白處的contact，在調(diào)通LVS之后，在最后統(tǒng)一加上這些contact，最后運(yùn)行一次DRC，LVS，成功后即可留作下一步使用。圖形越復(fù)雜，單元個(gè)數(shù)越多，運(yùn)行時(shí)間越長(zhǎng)?？蓪⒆钚≈惦娙莓?huà)在中間，值稍大的電容依次圍在周?chē)?，在最外圈加上dumm
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