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led燈珠散熱計算方法及公式-全文預(yù)覽

2025-06-07 18:23 上一頁面

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【正文】 Cu λ ( W/mK ) 170 317 146 5 264 1. 85 L (m m ) 0. 00 5 0. 02 0. 25 0. 02 1. 0 7. 06 5 S(m m 2 ) 1. 0 0. 02 7 2. 5 2. 5 19 . 62 5 環(huán)節(jié)熱阻( K / W ) 0. 02 94 2. 33 67 0. 68 49 1. 6 1. 18 49 總熱阻 R th js 5. 84 K / W ) 導(dǎo)熱路徑 有源層 倒裝焊金球 襯底 固晶層 熱沉 材料 I nG aN Au Si A uSn Cu λ ( W/mK ) 170 317 146 58 264 1. 85 L ( m m ) 0. 005 0. 02 0. 25 0. 01 1. 0 7. 065 S(m m 2 ) 1. 0 0. 027 2. 5 2. 5 19. 625 環(huán)節(jié)熱阻( K / W ) 0. 0294 2. 3367 0. 6849 0. 0689 7 1. 1849 總熱阻 R th js 4. 30( K / W ) 19 2021/6/15 F. AlN襯底共晶倒裝芯片 /共晶固晶 E. AlN襯底共晶倒裝芯片 /銀膠固晶 導(dǎo)熱路徑 有源層 倒裝共晶層 襯底 固晶層 熱沉 材料 I nG aN A uSn A l N 銀膠 Cu λ ( W/mK ) 170 58 170 5 264 1. 85 L ( m m ) 0. 005 0. 005 0. 25 0. 02 1. 0 7. 065 S(m m 2 ) 1. 0 0. 39 2. 5 2. 5 19. 625 環(huán)節(jié)熱阻 ( K / W ) 0. 0294 0. 2210 0. 5882 1. 6 1. 1849 總熱阻 R th js 3. 62K / W ) 導(dǎo)熱路徑 有源層 倒裝共晶層 襯底 固晶層 熱沉 材料 I nG aN A uSn A l N A uSn Cu λ ( W/mK ) 170 58 170 58 264 1. 85 L ( m m ) 0. 005 0. 005 0. 25 0. 01 1. 0 7. 065 S(m m 2 ) 1. 0 0. 39 2. 5 2. 5 19. 625 環(huán)節(jié)熱阻( K / W ) 0. 0294 0. 2210 0. 5882 0. 0689 7 1. 1849 總熱阻 R th js 2. 09K / W ) 20 2021/6/15 從以上計算可見: ① 固晶工藝對 LED熱阻有較大影響; ② 倒裝芯片在導(dǎo)熱上比正裝芯片稍優(yōu); ③ 正裝芯片 /共晶固晶在導(dǎo)熱上并不比倒裝芯片差; ④ 目前實際制造的 LED成品熱阻 Rthjs比以上理論計算高出 1倍左右 , 說明制造工藝水平還有很大的提升空間 。Vf: LED的輸入功率。 9 2021/6/15 (6)熱對 LED電通道(歐姆接觸 /固晶界面)的影響 環(huán)氧樹脂熱膨脹系數(shù)隨溫度變化曲線 ?引致封裝物質(zhì)的膨脹或收縮; ?封裝物質(zhì)的膨脹或收縮產(chǎn)生的形變應(yīng)力,使歐姆接觸 /固晶界面的位移增大,造成 LED開路和突然失效。 ?LED的應(yīng)用必須考慮溫度對光通量的影響。 ( 3) LED發(fā)光過程中會產(chǎn)生熱量, LED并非不會發(fā)熱的冷光源。2021/6/15 1 LED的熱量管理
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