【正文】 加入 S參數(shù) ，如圖 47 所示。具體過程如下： （ 1）選中原理圖中的輸入阻抗匹配電路 DA_SSMatch1，并單擊工具欄中的 Push Into Hierarchy，系統(tǒng)彈出 DA_SSMatch1 的子電路按照下面內(nèi)容重新設(shè)置微帶線的參數(shù)。 封裝模型的仿真 下面將帶有偏置網(wǎng)絡(luò)的 BJT 模型插入帶有輸入輸出匹配的電路原理圖中，并對這個(gè)原理圖進(jìn)行仿真。 圖 44 （ 8）單擊工具欄中的 Simulate，開始仿真。 （ 2）刪掉電原理圖設(shè)計(jì)窗口中的 “IBB”,”I_probe” 和 “Var” 。從圖 表 43 中可以看出當(dāng)IBB=50uA 時(shí)，偏置電阻 Rb=38 千歐姆， Rc=469 歐姆。從列表可以看出，當(dāng) Vce=， Ic=5mA時(shí)， IBB=50uA， VBE=。 （ 4）雙擊直流仿真控件，在參數(shù)設(shè)置窗口中選擇 Sweep 選項(xiàng)卡，將參數(shù)按圖 41修改。 綜合實(shí)踐 (論文 ) 18 第四章 封裝模型仿真設(shè)計(jì) 進(jìn)行完 SP 模型設(shè)計(jì)以后，需要將 SP模型替換為封裝模型來作進(jìn)一步設(shè)計(jì)，需要進(jìn)行以下工作：（ 1）將 SP 模型替換為封裝模型；（ 2）選擇直流工作點(diǎn)并添加偏置電壓；（ 3）偏置網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì)；（ 4）封裝模型電路的 S 參數(shù)設(shè)置。 圖 334 輸入駐波比與輸出駐波比 （ 1）在 SimulationS_Param 元件板中選擇兩個(gè)駐波比測量控件 VSWR，并插入到原理圖中，其中一個(gè)參數(shù)不變，另一的測量方程改為 VSWR2=vswr(S22),如圖 335 所示。 （ 1） 在 SimulationS_ParamS_Param 元件面板中選擇一個(gè)穩(wěn)定系數(shù)測量空間StabFct，并插入到原理圖中 ，如圖 332。 （ 14）在一 次優(yōu)化完成后，要單擊原理圖窗口菜單中的 SimulateUpdate Optimization Values 保存優(yōu)化后的變量值（在 VAR 控件上可以看到變量的當(dāng)前值），否則優(yōu)化后的值將不保存到電路原理圖中。 （ 11）單擊工具欄中的 Simulate 執(zhí)行仿真，并等待仿真結(jié)束。 （ 7）將 Maxlters 改為 200。 圖 327 （ 4）很明顯，這個(gè)匹配網(wǎng)絡(luò)的參數(shù)需要調(diào)整，以適合輸出端口的匹配。下面就進(jìn)形輸出阻抗匹配設(shè)計(jì)的。 圖 324 圖 325 （ 13）在數(shù)據(jù)顯示窗口 326 中查看輸入阻抗 Zin1 的數(shù)據(jù)列表。 圖 321 （ 11）仿真結(jié)束后在數(shù)據(jù)顯示窗口中查看電路的 S11參數(shù)和 S22參數(shù)的史密斯圓圖，并在頻率 2GHz 處分別插入標(biāo)記 ，如圖 322 和 323。 其中的 T形接頭為計(jì)算時(shí)考慮阻抗突變引起的。 （ 6）選中 SSMtch 電路，并單擊菜單欄中的 DesignGuidPassive Curcuit，此時(shí)綜合實(shí)踐 (論文 ) 11 系統(tǒng)彈出 Passive Curcuit DesignGuide 窗口。 （ 2）雙擊 MSUB 控件，按照如圖 318 設(shè)置微帶線參數(shù)。當(dāng) freq= 時(shí)， SP 模型的輸入阻抗為 +.這樣就計(jì)算出了電路的輸入阻抗，接下來根據(jù)輸入阻抗的值為 SP 模型設(shè)計(jì)匹配網(wǎng)絡(luò) ，如圖 表 317。 表 315 （ 4）雙擊數(shù)據(jù)列表，在彈出的 Plot Tracesamp。如圖 314 所示。 （ 5）單擊工具欄中的 GROUND 按鈕，在原理圖中擦汗如兩個(gè)地線。 構(gòu)建原理圖 首先對 SP 模型仿真的原理圖進(jìn)行構(gòu)建，具體過程如下： （ 1）在工程中新建一個(gè)原理圖文件，命名為 spmod_LNA，在 Schematic Design Temples 中不選擇模板。 這樣就完成了對 BJT 模型的 S 參數(shù)的掃描，這些數(shù)據(jù)對后面使用這個(gè)元件進(jìn)行低噪聲放大器的設(shè)計(jì)很有幫助。 （ 8）再次觀察數(shù)據(jù)顯示窗口，圖 311 中列出了 BJT 模型的 S21 參數(shù)和 S12 參數(shù)，它們分別表示了 BJT 的正向和反向的功率傳輸參數(shù)。（三）、 Step=，表示掃描的頻率間隔為 。超出此范圍，雖然軟件可以根據(jù)插值等方法外推出電路的特性，但是由于模型已經(jīng)失效，得到的數(shù)據(jù)通常是不可信的。 （ 2）單擊 OK 后，生成新的原理圖，如圖 38所示，原理圖中是一個(gè) S參數(shù)仿真的模板。 由于 使用的是仿真模板，需要的仿真結(jié)果已經(jīng) 出現(xiàn)在窗口中，圖中就是 BJT 的直流工作點(diǎn)掃描 曲線以及 BJT 的直流工作 點(diǎn)和功耗。由于此晶體管發(fā)射極有兩個(gè)管腳，在此處接一個(gè)即可。 圖 34 (5)在 Component 上欄的 Serch 中 ,輸入 41511。如圖 32所示。單擊 Cancel 即可。 綜合實(shí)踐 (論文 ) 3 第三章 低噪聲放大器的設(shè)計(jì)與仿真 晶體管直流工作點(diǎn)的掃描 建立工程 （ 1）運(yùn)行 ADS2020，選擇 File ?New Project 命令，彈出 “New Project” （新建工程）對話框，可以看見對話框中已經(jīng)存在了默認(rèn)的工作路徑（可以改變）。 （ 5）目前低噪聲放大器方面的設(shè)計(jì)手段： LNA基本上采用 ADS。帶有封裝的大信號模型可以用來生成版圖。 軟件設(shè)計(jì)仿真時(shí)注意事項(xiàng) 在進(jìn)行低噪聲放大器的實(shí)際設(shè)計(jì)中，一定要注意一下幾點(diǎn)： （ 1） 放大器中放大管的選擇。在接收機(jī)或各種特定的無線通信系統(tǒng)中，能有效提高靈敏度的關(guān)鍵因素就是降低接收機(jī)的噪聲系數(shù)，而決定接收機(jī)的噪聲系數(shù)的關(guān)鍵部件就是處于接收機(jī)最前端的低噪聲放大器。在放大微弱信號的場合，放大器自身的噪聲對信號的干擾可能很嚴(yán)重，因此希望減小這種噪聲，以提高輸出的信噪比。在接收機(jī)或各種特定的無線通信系統(tǒng)中，能有效提高靈敏度的關(guān)鍵因素就是降低接收機(jī)的噪聲系數(shù)，而決定接收機(jī)的噪聲系數(shù)的關(guān)鍵部件就是處 于接收機(jī)最前端的低噪聲放大器。綜合實(shí)踐 (論文 ) 齊 齊 哈 爾 大 學(xué) 綜合實(shí)踐（論文 ） 題 目 基于 ADS 的低噪聲放大器設(shè)計(jì)與仿真 學(xué) 院 通信與電子工程學(xué)院 專業(yè)班級 xxxxxxxx 學(xué)生姓名 xxxxxxx 學(xué)生學(xué)號 xxxxxxxxxxx 指導(dǎo)教師 xxxxx 綜合實(shí)踐 (論文 ) I 摘要： 低噪聲放大器， 實(shí)質(zhì)上就是 噪聲系數(shù)很低的放大器。本次課程設(shè)計(jì)的主要目的是熟練運(yùn)用 先進(jìn)設(shè)計(jì)系統(tǒng)（ ADS）仿真軟件 設(shè)計(jì)一個(gè)基于 BJT 的低噪聲放大器 ，其仿真結(jié)果 能 夠 實(shí)現(xiàn) 放大微弱信號， 從而 降低噪聲干擾。一般用作各類無線電接收機(jī)的高頻或中頻前置放大器，以及高靈敏度電子探測設(shè)備的放大電路。 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)意義： 低噪聲放大器能放大微弱信號，降低噪聲干擾。 二、指標(biāo)：主要指標(biāo)包括：噪聲系數(shù)，放大增益，輸入輸出駐波比，反射系數(shù)和動態(tài)范圍等。 大信號模型：可以用來仿真大、小信號，需要自行選擇直流工作點(diǎn)，仿真時(shí)要加入饋電電路和電源。 （ 4）電路中需要注意的問題： 一般對于低噪聲放大器采用高 Q