【正文】 號的衰減。 合肥學(xué)院（畢業(yè)論文） 第 25 頁 共 39 頁 當(dāng)完成數(shù)個點的焊接后，烙鐵銅頭上會形成一圈黑環(huán)，這是燒焦的助焊劑，在濕海綿上均勻擦拭即可將其清除 [12]。但烙鐵停留時間不能太長，否則，它可能損壞元件或電路板，同時還可能導(dǎo)致助焊劑殘渣燒毀或燒焦。 在移開烙鐵前先移開焊錫絲。熱橋為熱量有效傳導(dǎo)到工件提供了路徑。被焊金屬的熱度必須達(dá)到足夠熔化焊錫的溫度。 ,若沒水 ,請加入適量的水 ,海綿要清洗干凈 ,不干凈的海綿中含有金屬顆粒 ,或含硫的海綿都會損壞烙鐵頭。 由此可知總的放大： Av=U2/Ui= Av1 *Av2=。示波器的調(diào)節(jié)如圖： 圖 函數(shù)信號發(fā)生器輸出 阻尼電阻 分別為 470Ω 和 、反饋電阻 Re=510Ω 、負(fù)載電阻 RL=10KΩ 。電感線圈用固定電感L1=、 L2=，中間抽頭。則： 1 14 ? ? ? 匝。 當(dāng) 要繞制的線圈電感量為某一值 mL 時，可先在骨架上 (也可以直接在磁心上 )纏繞 10匝，然后用電感測量儀測出其電感量 oL ，再用下面的公式求出 系數(shù) K值： 2/ ooK L N? 式中： oN 為 實驗所繞匝數(shù) ， 由此根據(jù) mL 和 K值便可 求出線圈應(yīng)繞的圈數(shù)，即 ： 合肥學(xué)院（畢業(yè)論文） 第 19 頁 共 39 頁 mLN K? L采用帶螺紋磁芯、金屬屏蔽罩的 10S型高頻電感繞制。電源供電 12ccVV? 。 因為：EQ EQ eV I R? 而CQ EQII? 所以： 1 .5 1 1 .5EQV m A K V? ? ? ? 因為：BQ EQ BEQV V V?? (硅管的發(fā)射結(jié)電壓BEQV為 ) 所以： 1 .5 0 .7 2 .2BQV V V V? ? ? 因為：CEQ CC EQV V V?? 所以： 1 2 2 .2 9 .8CEQV V V V? ? ? 因為：2 /(5 1 0 )b BQ BQR V I?? 而 / 1 . 5 / 5 0 0 . 0 3B Q C QI I m A m A?? ? ? 取 10BQI 則：2 / 1 0 2 . 2 / 0 . 3 7 . 3b B Q B QR V I V K? ? ? ? 取標(biāo)稱電阻 因為： ? ?12/b cc B Q B Q bR V V V R?????? 則： ? ?1 1 2 2 . 2 / 2 . 2 8 . 2 3 6 . 5bR V V V K K? ? ? ? ? ?????，考慮調(diào)整靜態(tài)電流CQI的方便，1bR 用 50K?電位器與 15K?電阻串聯(lián)。利用 1bR 和 1wR 、 2bR 的分壓固定基極偏置電位BQV，如滿足條件1 BQII：當(dāng)溫度變化C Q B Q B E B Q C QI V V I I? ? ? ? ? ? ? ? ?，抑制了CQI變化，從而獲得穩(wěn)定的工作點。是為了防止回來構(gòu)成等幅震蕩，在線路中串聯(lián)或者并聯(lián)電阻來消耗掉一部分能引起震蕩的能量，并減 小回路的 Q 值。通過增加下偏置電阻和射極電阻可以改善直流工作點的穩(wěn)定性。我們在這之所以使用射級跟隨電路作為級間耦合，是因為 射極跟隨器輸入阻抗高，輸出阻抗低，因而從信號源索取的電流小而且?guī)ж?fù)載能力強，減少電合肥學(xué)院（畢業(yè)論文） 第 16 頁 共 39 頁 路間直接相連所帶來的影響，起緩沖作用 。如果要保證總的通頻帶與單級時一樣，則必須通過減小每級回路有載品質(zhì)因素eQ 的值，以加寬各級放大器的通頻帶的方法來彌補。 表 縮小因子與級數(shù) 的關(guān)系 1 2 3 4 5 ? 1 ? （ 3） 、 多級單調(diào)諧放大器的選擇性 放大器的級數(shù)越多，曲線的形狀越接近于矩 形，也就是說矩形系數(shù)越接近 1，選擇性越好。 多級放大器中的每級增益都受到最大穩(wěn)定增益的限制。 多級放大器時，必須處理好各項指標(biāo)之間的矛盾，包括合理地選擇電路形式，半導(dǎo)體器件類型和諧振回路的參數(shù)。 （ 3） 、 工作穩(wěn)定可靠，即要求放大器的性能盡可能地不受溫度、電源電壓等外界因素變化的影響，內(nèi)部噪聲要小，特別是不產(chǎn)生自激，加入負(fù)反饋可以改善放大器的性能。()b e b e b cY j C C???。39。|1 139。 139。102 39。b 39。| 1mfeV bb b egIy I r Y?? ?。 39。bcc 集電結(jié)電容 39。bcC 圖 混合π等效電路圖 圖中： 39。 Y參數(shù)的缺點：隨頻率變化，不涉及晶體管內(nèi)物理過程。 高頻小信號放大器由于輸入信號幅值小，可以認(rèn)為晶體管工作在線性區(qū)，經(jīng)常采用有源線性四端網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行分析。 合肥學(xué)院（畢業(yè)論文） 第 8 頁 共 39 頁 圖 放大器的通頻帶和諧振曲線 選擇性 調(diào)諧放大器的選擇性可用諧振曲線的矩形系數(shù) 時來表示，矩形系數(shù) 為電壓放大倍數(shù)下降到 AV0 時對應(yīng)的頻率偏移與電壓放大倍數(shù)下降到 AV0 時對應(yīng)的頻率偏移之比，即 0. 1 0. 1 0. 7 0. 12 / 2 2 /vK f f f B W? ? ? ? ? 上式表明，矩形系數(shù) 越小，諧振曲線的形狀越接近矩形，選擇性越好，反之亦然。 逐點法：又叫逐點測量法，就是測試電路在不同頻率點下對應(yīng)的信號大小，利用得到的數(shù)據(jù)，做出信號大小隨頻率變 化的曲線，根據(jù)繪出的諧振曲線，利用定義得到通頻帶。測量方法主要采用掃頻法，也可以是逐點法。 VA 的測量方法：當(dāng)諧振回路處于諧振狀態(tài)時，用高頻毫伏表測量輸入信號 iV 和輸出信號 0V 大小，利用下式計算： oviVA V? ，則電壓放大分貝數(shù)定義為 20 lg oiVK V??? ???? 另外，也可以利用功率增益系數(shù)進(jìn)行估算： opiPA P? 10 lg oApiPK p??? ???? 通頻帶 由于諧振回路的選頻作用，當(dāng)工作頻率偏離諧振頻率 時，放大器的電壓放大倍數(shù)下降，習(xí)慣上稱電壓放大倍數(shù) /V o iA V V? 下降到諧振電壓放大倍數(shù) 0VA 的 倍時所對應(yīng)的頻率偏移稱為放大器的通頻帶帶寬 BW，通常用 2Δ 表示，有時也稱 ? 為 3dB 帶寬 [10]。 0VA 的表達(dá)式為 1 2 1 200 2212fe feVi o e iep p y p p yVA V g p g p g G???? ? ? ? ?? 式中， g? 為諧振回路諧振時的總電導(dǎo)。 諧振頻率 0f 的測試步驟是，首先使高頻信號發(fā)生器的輸出頻率為 0f ，輸出電壓為幾毫伏；然后調(diào)諧集電極回路即改變電容 C或電感 L使回路諧振。在高頻情況下，晶體管本身的極間電容及連接導(dǎo)線的分布參數(shù)會影響放大器的輸出信號的頻率或相位 [9]。 （ 2） LC并聯(lián)諧振回路 在接收機的各級高頻小信號放大器中，利用 LC并聯(lián)諧振回路的選頻作用，對諧振點頻率的電流信號呈現(xiàn)較大的阻抗，而且是純電阻性的，將電流信號轉(zhuǎn)換成電壓信號輸出，而對失諧點頻率的電流信號呈現(xiàn)很小的阻抗，抑制失諧點頻率電流信號的輸出，起到選擇出所需接收的信號，抑制無用的信號和干擾的目的 [4]。低頻晶體管只能工作在 3MHz以下的頻率上，而高頻晶體管可以工作在幾十到幾百兆赫茲，甚至更高的頻率上。因為在實際應(yīng)用中，電源電壓的波動、原件參數(shù)的分散性及元件的老化 、環(huán)境溫度變化等，都會引起靜態(tài)工作點的不穩(wěn)定，影響放大電路的正 常工作。 要觀察仿真的結(jié)果，你可以有多種選擇：時域，頻域， XY 圖，對數(shù)坐標(biāo)， 比特誤碼率 ，眼圖和功率譜。系統(tǒng)的組成及仿真： Commsim 是一個理想的通信系統(tǒng)的教學(xué)軟件。 特點如下 （ 1） 可以根據(jù)自己的需求制造出真正屬于自己的儀器； （ 2） 所有的虛擬信號都可以通過計算機輸出到實際的硬件電路上； （ 3） 所有硬件電路產(chǎn)生的結(jié)果都可以輸回到計算機中進(jìn)行處理和分析。 高頻小信號放大器的分類： 按元器件分為：晶體管放大器、場效應(yīng)管放大器、集成電路放大器 。所 謂諧振放大器，就是采用諧振回路作負(fù)載的放大器。 PassBand。 關(guān)鍵詞：高頻小信號、諧振放大器、諧振頻率、通頻帶、矩形系數(shù)、電壓增益 Design and analysis of high frequency amplifier based on Multisim ABSTRACT We know that the radio munication receiving apparatus receiving antenna electromagic waves ing from space, and senses the voltage amplitude of the high frequency signal is (μV) to several millivolts (mV), and the receiving circuit of the detector (or the frequency discriminator unit) of the input voltage amplitude higher, preferably about 1V. This requires highfrequency amplification and detection prior to the IF amplifier. To this end, we need to design highfrequency smallsignal amplifier, the pletion of the weak signal received by the antenna to select and amplify, from numerous radio wave signal, select the desired frequency signals to be amplified, and other unwanted signals, interference and noise suppression to improve the quality of the amplitude of the signal. The transistor collector load is typically posed of a parallel LC resonant circuit. Since the impedance of the LC parallel resonant circuit with frequency changes, can be analyzed in theory, at the resonant frequency of the parallel resonant presented purely resistive, and the maximum. The amplifier circuit has a resonant frequency will be the maximum voltage gain. If you deviate from the resonant frequency, the output gain is reduced. In short, the tuning amplifier only has the specific frequency signal amplification effect, but also plays the role of filtering and frequency selection. The design is based on a theoretical analysis, based on the actual production, with the LC oscillator circuit for the assistance, to eliminate high frequency amplifier to achieve selfoscillation and accurate frequency selection。若偏離諧振頻率，輸出增益減小。為此，我們就需要設(shè)計高頻小信號放大器，完成對天線所接