功率放大器外文翻譯---應用于功率放大器的過壓保護電路-全文預覽
【正文】 圖 4 正常操作的電壓一個相當高的參考電壓。 很顯然，采用二極管連接的 PMOS晶體管，用晶體管代替二極管是不可能的。如果在駐波比情況下，PA的峰值輸出電壓超過 n?Vknee，通過二極管鏈和電容器的電流。因此，有必要監(jiān)測與過壓檢測器都漏輸出的峰值電壓 C: 過電壓檢測 : 對于過電壓檢測電路如圖 3它由 n個二極管鏈和一個并聯(lián)電阻電容組成。因此，除了保護電路的駐波，重點放在已經(jīng)意識到的可行性設計和功率放大器的核心布局。 盡管如此 通過電容晶體管的空間是有限的，此問題是更比雙極型器件的 CMOS嚴重，獲取更高的頻率更差。正如圖中可 以看出。除芯片以外的所有 CMOS采用 13微米工藝。 駐波比保護提出功率放大器包括一個兩個階段 AB類功率放大器的核心和輸出電壓控制回路。 這項工作提出了一個用于 CMOS功率放大器的保護電路。一種辦法，應付 CMOS晶體管擊穿的問題是要面對它的工藝水平，融入標準 CMOS高電壓兼容的晶體管。如果傳輸信號幅度為 Vf，則駐波的最大幅度為 Vmax =Vf（ 1 + |ρ |）。 m工藝的柵級擊穿電壓根據(jù)晶體管的種類在 ~。 電遷移通常是指在電場的作用下導電離子運動造成元件或電路失效的現(xiàn)象。接著對 VSWR保護電路做了詳細的介紹，最后給出了測試和仿真結(jié)果。 PA的設計細節(jié)和測試結(jié)果參照文獻 [2]。如果負載失配時，在 PA輸出端將導致高的VSWR，這個問題對于標準 CMOS晶體管的低擊穿電壓非常重要。大多數(shù)功率放大器是基于 SiGe或 GaAs工藝技術(shù)，而收發(fā)器和基帶電路更加傾向于使用低成本的標準 CMOS技術(shù)。這個問題特別體現(xiàn)在 PA的輸出級，當負載不匹配是，導致高電壓駐波比（ VSWR）并在 PA輸出高峰峰值電壓。雖然目前 CMOS價格相對比較低廉，但是其射頻性能存在劣勢，而且還有低的擊穿電壓。 引言 功率放大器是每個射頻發(fā)射機的最重要部分之一。一個主要的問題是將在所有可能的情況之下保證可靠的操作。這個 PA的設計是為了集成在 DECT電話芯片中，和參考文獻 [
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