外文翻譯(中文)化學(xué)浴沉積法制備金屬氧化物薄膜（節(jié)選）-全文預(yù)覽
【正文】 性鹽類產(chǎn)品的程度比以前少幾個數(shù)量級。 當顆粒尺寸增加，溶解度也會增大。 常數(shù) KS被稱作溶度積， 當溶液達到飽和離子產(chǎn)品等于溶度積，當離子濃度超過了溶解度，溶液是過飽和的，沉淀就開始了，離子在溶液和基體上聯(lián)合形成核。使用 CBD, ,很多的二元硫化物例如 CdS, CdSe, Bi2S3, Bi2 Se3, PbS,PbSe,As2S3, Sb2S3, Ag2S, CuS, ZnS等等，以及三元硫化物例如 CdZnS, CdSSe, CuInS2, CuInSe2, PbHgS, CdPbSe等等沉積出薄膜。對于任何沉淀，有很少一部分的離子或分子在于溶液接觸過 程中產(chǎn)生了穩(wěn)定的相，被稱作核心。準備的Materials Chemistry and Physics 65 (2020) 131 第 2 頁 共 4 頁 參數(shù)容易控制、比較好的定方位，而且改良的晶粒組織能被獲得。 基體的導(dǎo)電系數(shù)是不必需的。 CBD目前吸引了很多的關(guān)注，它不需要復(fù)雜的儀器比如蒸汽系統(tǒng)和其他昂貴的設(shè)備。反應(yīng)發(fā)生在溶解的初期，通常在較 低溫度下的水溶液中。薄膜設(shè)備的快速發(fā)展有助于發(fā)展獨石和混合微電子的集成電路，硫化物薄膜有助于大面積的光電二極管陣列、太陽能選擇涂料、太陽能電池、 photoconductor、傳感器等的制備。 我們還討論了化學(xué)浴沉積法制備薄膜的理論背景 。使用這些方法， IIVI，VVI， IIIVI的 薄膜等 已沉積出來 。Materials Chemistry and Physics 65 (2020) 131 第 1 頁 共 4 頁 中文 3160字 化學(xué)浴沉積法制備金屬氧化物薄膜 . Mane, . Lokhande 薄膜物理實驗室，印度希瓦吉大學(xué)， Kolhapur416004， 收到 1999 年 7月 22 日 ， 經(jīng)修訂的表格 1999 年 12 月 28 日收到 ； 接受 2020 年 1月 3日 。 根據(jù)沉積 條件 的不同，膜的生長可
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