外文翻譯(中文)化學浴沉積法制備金屬氧化物薄膜節(jié)選(已修改)
2025-06-01 11:59 本頁面
【正文】 Materials Chemistry and Physics 65 (2020) 131 第 1 頁 共 4 頁 中文 3160字 化學浴沉積法制備金屬氧化物薄膜 . Mane, . Lokhande 薄膜物理實驗室，印度希瓦吉大學， Kolhapur416004， 收到 1999 年 7月 22 日 ， 經(jīng)修訂的表格 1999 年 12 月 28 日收到 ； 接受 2020 年 1月 3日 。 摘要 由化學 方法制備金屬氧化物薄膜的方法目前受到很大的關注，它相對因為這些是避免基體的氧化和侵蝕的低溫程序，很多的基體，像是絕緣體、半導體或金屬，能被利用。這些是用改良的晶粒組織促進晶體 較好的定方位的緩慢的過程 。 根據(jù)沉積 條件 的不同，膜的生長可以采取離子對基材的材料凝結(jié)或從底物上的膠體粒子吸附的地方。使用這些方法， IIVI，VVI， IIIVI的 薄膜等 已沉積出來 。太陽能選擇性涂層，太陽能控制，光電導，固態(tài)及光電太陽能電池，光學成像，全息圖記錄，光大容量存儲器等都是金屬硫薄膜的一些應用。在本綜述中，我們有詳細的介紹，化學浴金屬硫系薄膜沉積法，它 有 高產(chǎn)優(yōu)質(zhì)薄膜的能力。他們的制備參數(shù)，結(jié)構(gòu)，光學，電學性能等進行了描述。 我們還討論了化學浴沉積法制備薄膜的理論背景 。 關鍵詞：金屬硫族化合物薄膜 、 薄固體 、 化學浴沉積 1 簡介 薄膜材料在不同的領域有很多應用。他
畢業(yè)設計相關推薦
鄂ICP備17016276號-1