【正文】 ? 3V： R1/R2=1/5，在內(nèi)部電路圖中體現(xiàn)為 R1=10? ,R2=50? ：因為 TL431 能產(chǎn)生的最小基準電壓為 ，因此在電路圖中先將R1 處短路，產(chǎn)生 的基準電壓后，再進行電阻分壓，此時的外接電阻為 R3和 R4，輸出電壓從 R3 處引出，則電阻設置為 R3=3? ,R4=7? 。穩(wěn)定電壓 VR 由帶隙基準源產(chǎn)生。特別重要的性能是低漂移和低失調(diào)，它們能使輸出電壓 refV 盡可能的穩(wěn)定。本設計選 定了外接 RC的振蕩器形式，電路如圖 36 所示。當電容電壓低于 時， MOS 管關斷，電流源不起作用，電容繼續(xù)被 Vref 充電。 電容的放電時間必須足夠短，才能達到最大的占空比。 P1 P2N1 N2G N DRSV r e fQ 圖 37 RS觸發(fā)器電路圖 比較器 1 的電路圖如圖 38 所示，其共模輸入電壓是 。在輸出端，可吸入和供出的電流式偏置電流的 8 倍，增大了擺率。需要 90dB 的增益和 的增益帶寬積。 Q1 和 Q2 是 對稱的 NPN 管作為輸入差分對， M2 和 M1是對稱的 PMOS 晶體管。 當運算跨導放大器的輸出小于 beV2 時， Q3 截止，二極管 D1 截止， M9 的漏極電流都傳送到 Q4 的基極，輸出電壓最大值 4be9ovMddO VVVV ???? 。 當運算跨導放大器的輸出大于 beV2 時， Q3 導通，有電流通過晶體管 Q3，M9 的漏極電流有部分流過 D1。負端是電壓誤差放大器經(jīng)過電平移位后再電阻分壓。 COMP 是電壓誤差放大器輸出端電壓，經(jīng)過 10K 與 20K 電阻實現(xiàn)電阻分壓代信敏： PWM 芯片設計及在開關電源中的應用 21 功能。這兩個電壓之和形成電平移位電壓 [1]。如下例，當輸入（ CS）大于 時，輸出高電平；當輸入（ CS）小于 時，輸出低電平。 P3 導通， P4 關斷。 當 CS 電壓上升接近 時， P2 晶體管的電流減小， P1 晶體管的電流增大。 P1 電流為 112u,P2 關斷。P2 漏極電壓升高， P1 漏極電壓降低。此時輸出 電壓為 0V。 代信敏： PWM 芯片設計及在開關電源中的應用 23 圖 316 過流保護電路輸出 圖 317 表明當輸入電壓超過閾值時，電路能在 35ns 后啟動。 第 2 腳位誤差放大器的輸出端，誤差放大器的輸出電壓信號，在內(nèi)部經(jīng)過兩個二極管 D1 和 D2 降下壓后，又由電阻 R3 和 R4 進行分壓，由于 R3 電阻的阻值是 R4 阻值的兩倍，最后剩下 1/3 的電壓家在電流比較 器的反向輸入端，并且還有穩(wěn)壓管 ZD2 箝位，該輸入端電壓的最高電壓不超過一定值。 第 4 腳為電流傳感端，電流比較器輸出電壓的高低，是由它的兩個輸入端電壓共同決定的，電流比 較器的輸出電壓的變化，能控制 PWMLatch 的 Q 反輸出脈沖寬度的變化。當電容電壓低于 時， MOS 管關斷，電流源不起作用，電容繼續(xù)被輸入電壓充電。 代信敏： PWM 芯片設計及在開關電源中的應用 25 第 7 腳為芯片的輸出端，當?shù)?9 腳所接的滯后比較器輸出高電平時，基準電壓才能輸出，第 7 腳才有脈沖輸出。所以用滯后比較器，也是為了防止在它們跨越們坎時，有不確定的狀態(tài)，從而達到保護的目的 [4]。然后振蕩器開始輸出振蕩波形。 PWM_out 輸出合適的脈寬調(diào)制波形，使開關電源輸出穩(wěn)定。第三腳輸入電壓負反饋。第九腳為電源電壓 VDD 輸入端。在啟動電源的作用下，芯片開始工作，脈沖寬度調(diào)制電路產(chǎn)生的脈沖信號經(jīng)7 腳輸出驅(qū)動外接的開關功率管工作。鋸齒波振蕩電路產(chǎn)生周期性的鋸齒波，其周期取決于 5 腳外接的 RC 網(wǎng)絡。濾波電容使輸出的紋波進一步減小，晶體管導通的時間越長，傳遞到負載的能量越多，輸出電壓就越高。 2）取樣電阻改用無感電阻。 3)反饋電路改用 TL43l 加光耦來控制。這樣做的好處是，跳過了 芯片 的內(nèi)部放大器，從而把反饋信號的傳輸時間縮短了一半，使電源的動四川理工學院本科畢業(yè)（設計）論文 30 態(tài)響應變快。 芯片電路在單端反激式開關電源中的應用 這是 一款 AC220V 輸入， DC24V 輸出的單端反激式開關穩(wěn)壓電源。以下對各個模塊的原理和功能進行分析。濾波后的交流電壓經(jīng) D1～ D4 橋式整流以及電解電容 C C2 濾波后變成 3lOV 的脈動直流電壓，此電壓經(jīng) R1 降壓后給 C8 充電，當 C8 的電壓達到芯片 的啟動電壓門檻值時， 芯片 開始工作并提供驅(qū)動脈沖，由腳 6 輸出推動開關管工作。此電路具有短路過流、過壓、欠壓三重保護。基于低壓、功耗低、大電流的特點，有利于提高電源的效率，其反向恢復時間短，有利于減少高頻噪聲 ， 在大功率的整流電路中 ，四川理工學院本科畢業(yè)（設計）論文 32 次級整流橋電路存在較大雜散電感，輸出整流管在換流時，由于電路中存在寄生振蕩，整流管會承受較大的尖峰電壓，尖峰電壓的存在提高了對整流二極管的耐壓要求，也將帶來額外的電路損耗。并對芯片在開關電源中的應用電路做了詳細的分析，文中所做的工作包括在了解開關電源技術的發(fā)展現(xiàn)狀基礎上，對電路原理進行分析、提出了系統(tǒng)與電路的設計方案。 本文第四章內(nèi)容介紹了芯片的外圍電路應用，著重講到了芯片在開關電源保護電路中的應用和芯片電路在單端反激式開關電源中的應用。 四川理工學院本科畢業(yè)（設計）論文 34 致 謝 本文是在馮雪老師諄諄教導和鼓勵下完成 的。他們孜孜不倦的工作作風和無私奉獻的精神使我受益匪淺，畢生受用。 四川理工學院本科畢業(yè)（設計）論文 36 c、畢業(yè)生自我推薦、面試（根據(jù)需求信息向有意向的單位寄送個人推薦材料或直接參加校園招聘會和各地舉辦的供需見面會、網(wǎng)上招聘會）。 ② 各院系到學生處就業(yè)指導中心領取《檔案袋》、《檔案轉(zhuǎn)寄通知單》和《畢業(yè)生登記表》。 定向生如何就業(yè) 定向生原則上不予推薦。 （二）、關于《就業(yè)協(xié)議書》的問題 為 什么每位畢業(yè)生只能有一份《就業(yè)協(xié)議書》 《就業(yè)協(xié)議書》是學校證明畢業(yè)生具有就業(yè)資格、也是用人單位到畢業(yè)生就業(yè)主管部門辦理畢業(yè)生審批手續(xù)的憑證。倘若畢業(yè)生單方面違約，應承擔違約責任。 （三）、關于就業(yè)審批的問題 用人單位接收畢業(yè)生時需要辦理哪些手續(xù) 代信敏： PWM 芯片設計及在開關電源中的應用 37 用人單位接收畢業(yè)生時需與畢業(yè)生簽訂《就業(yè)協(xié)議書》，部分地區(qū)還需報當?shù)卣厴I(yè)生就業(yè)主管部門審批，如北京、上海、深圳、廣州等地，畢業(yè)生可請接收單位到當?shù)卣厴I(yè)生就業(yè)主管部門進行確 認是否需要審批。用人單位以報到證為依據(jù)，接收安排畢業(yè)生工作，并接轉(zhuǎn)畢業(yè)生的檔案 、戶口等。師范類畢業(yè)生的報道證由河北省教育廳統(tǒng)一開具 開具報到證的時間 畢業(yè)生一般在 6 月中下旬，確切時間以省廳通知為準。 （五）、關于檔案、戶口的問題 畢業(yè)生就業(yè)后檔案、戶口如何轉(zhuǎn)移 畢業(yè)生的檔案由學校按其就業(yè)的單位，發(fā)送到畢業(yè)生工作單位所歸屬的檔案管理部門。報到單位開到哪里，戶口、檔案就轉(zhuǎn)到哪里。 （六）、可能出現(xiàn)的問題 畢業(yè)生報到時用人單位拒絕接收怎么辦 國家規(guī)定： “經(jīng)過協(xié)商落實和國家畢業(yè)生就業(yè)主管部門審批的畢業(yè)生就業(yè)計劃必須認真執(zhí)行，未經(jīng)高校和用四川理工學院本科畢業(yè)（設計）論文 38 人單位雙方復議并報地方主管部門批準，學校不得隨意改派畢業(yè)生，用人單位不得接收和退回畢業(yè)生 ”。若是用人單位對畢業(yè)生提出難以達到的又不符合政策規(guī)定的過高要求，則不能作為退人理由。 3．簽了協(xié)議后，又被錄取為研究生、考取公務員或自費出國留學，怎么辦？ 只要畢業(yè)生提供如下材料。 ，可否要求換發(fā)？ 教育部明確規(guī)定，學校在制定畢業(yè)生建議就業(yè)方案時，要完善相應的管理措施，與用人單位和 畢業(yè)生一道，維護《全國畢業(yè)生就業(yè)協(xié)議書》的嚴肅性。 若屬因?qū)W校工作失誤造成計劃不落實，誤派畢業(yè)生的，應由 學校負責提出調(diào)整意見報批。 畢業(yè)生生源地有變動，應辦理哪些手續(xù) 畢業(yè)生生源地變動，應出示父母親單位的調(diào)動證明和親屬關系證明（加蓋公章），及新戶口所 在地派出所的戶籍證明。領到戶口遷移證后，畢業(yè)生應仔細核對并妥善保管，不要折皺污損，更不能丟失，有錯漏不能自行涂改，否則作廢。 畢業(yè)生何時報到 報到證上的報到時間一般是從開 報到證之日起順沿一個月，但各用人單位一般會有自己的要求，因此畢業(yè)生應事先征求用人單位的意見。畢業(yè)生對報到證要妥善保管，不論什么原因，凡自行涂改、撕毀的報到證一律作廢。就業(yè)的畢業(yè)生應注意與用人單位簽訂的《就業(yè)協(xié)議書》需加蓋上級主管部門的公章（有用人自主權的單位不需加蓋）。 補發(fā)的《就業(yè)協(xié)議書》上注明 “根據(jù)本人聲明，該生原件已遺失，此份為遺失補辦件 ”，以示有別于正式的《就業(yè)協(xié)議書》。 如何辦理《就業(yè)協(xié)議書》解約手續(xù) 由教育部學生司印制、學校發(fā)放的《就業(yè)協(xié)議書》每位畢業(yè)生只有一套（一式三份、編號固定）。 對到西部就業(yè)的畢業(yè)生學校有何獎勵 為了鼓勵應屆畢業(yè)生自愿服務西部地區(qū)，到祖國最需要的地方開拓創(chuàng)業(yè)、鍛煉成長，結合我校實際，制定配套獎勵辦法 對自主創(chuàng)業(yè)的畢業(yè)生學校有何獎勵 學校鼓勵和支持畢業(yè)生自主創(chuàng)業(yè)，對畢業(yè)生自主創(chuàng)業(yè)學校給予指導和幫助。 ④ 各院上報就業(yè)建議方案 ⑤ 按河北省人事廳的日程安排，學生處到河北省人事廳辦理畢業(yè)生報到證。 e、五月底開始進入畢業(yè)鑒定及派遣階段。 代信敏： PWM 芯片設計及在開關電源中的應用 35 參考文獻 [1]朱正涌 .半導體集成電路 [M].北京：清華大學出版社， 2021 [2]李成章 .電源 [M].北京：電子工業(yè)出版社 .2021 [3]葉慧貞，楊興洲 .開關穩(wěn)壓電源 [M].北京：國防工業(yè)出版社， 2021 [4]慕丕勛，馮桂林 .開關穩(wěn)壓電源原理與實用技術：科技出版社， 2021 [5]李愛文 .現(xiàn)代逆變技術及其應用 [M].北京：科學出版社， 2021 [6]陳星弼 .功率 MOSFET與高壓集成電路 [M].南京：東南大學出版社， 2021 [7]李偉華 .VLSI設計基礎 [M].西安：電子工業(yè)出版社， 2021 [8]王志功，沈永朝 .集成電路設計基礎 [M]，北京：電子工業(yè)出版社， 2021 [9]李靖 .中國開關電源市場的分析 [J].電工技術雜志， 2021 [10]俞阿龍 .電流控制 PWM開關電源 [M].電聲技術， 2021 [11]江金光，王耀南 .高精度帶隙基準電壓源的實現(xiàn) [N].半導體學報 .2021 [12]吳建輝 .CMOS模擬集成電路設計與分析 [M].北京：科學出版社， 2021 [13][M].IEEEtransactionsoncircuitandsystems,2021 [14][M].I,May1992 [15][J].： Wiley [16][M].北京：電子工業(yè)出版社，2021 [17][M]. 西安 ：西安 交通大 學出版社 .2021 畢業(yè)生就業(yè)之就業(yè)必看（很有用的東西） 有關就業(yè)程序的基本常識 （一）、關于畢業(yè)生就業(yè)程序的問題 畢業(yè)生就業(yè)程序 a、學生處就業(yè)指導中心將《全國普通高等學校就業(yè)協(xié)議書》（以下簡稱《就業(yè)協(xié)議書》）發(fā)給各學院，由各學院將材料發(fā)給畢業(yè)生，畢業(yè)生每人一份。馮老師務實、認真和對學生從學習、生活等負責的工作態(tài)度及為人師表，給我留下了深刻的印象，也同時鞭撻我，能夠不斷地向馮老師學習和請教。由于便攜設備的增多，要求效率更高、集成度更高的電源控制芯片加以配合。首先介紹了 PWM 工作方式的基本原理，然后分析電路結構，將整體電路劃分為子功能塊，給出功能框圖。 芯片 是一種高性能的固定頻率電流型控制器，單端輸出，可直接驅(qū)動晶體管和 MOSFET，具有管腳數(shù)量少、外圍電路簡單、安裝與調(diào)試簡便、性能優(yōu)良、價格低廉等優(yōu)點，在 100W 以下的開關電源中有很好的應用前景。利用 TL43l 可調(diào)式精密穩(wěn)壓器構成誤差電壓放大器，再通過線性光耦對輸出進行精確的調(diào)整。由于輸入電壓超過了 芯片 的工作，為了避免意外，用 D10 穩(wěn)壓管限定 芯片 的輸入電壓，否則將出現(xiàn) 芯片 被損壞的情況。 代信敏： PWM 芯片設計及在開關電源中的應用 31 V r e fC om p V D DV t hCS O U TR t / C t G N D12345 678910CC 11R 13R 12R 10R8R9R 11R7R?R E S 2R3R?R E S 2R6R5R7C 12C9S1D9D8C8C?C A PP C 8 17C7U11234D 1 D 4C 13C 14C 15L1C 1622 0V A22 0V B2A / 2 50 V10 m H 2 A+ C1+ C2D5D6D7C4L2Rf+ C5 + C6+ 24 VG N D 圖 43 芯片在單端反激式開關電源中的應