【正文】 屬于畢業(yè)生本人身體有病而提出退回的，若是學(xué)生在校期間就有傳染病史，精神病史，用人單位不知道，待畢業(yè)生報到時才被發(fā)現(xiàn)的，應(yīng)允許提出退回；若是報到后才患病的，應(yīng)按在職人員病假的有關(guān)規(guī)定處理。 單位沒收到檔案時該如何查詢 單位沒收到檔案，請畢業(yè)生向各學(xué)院負(fù)責(zé)畢業(yè)生就業(yè)工作的老師查詢。 何時發(fā)放報到證 報到證開回后，由各學(xué)院統(tǒng)一到學(xué)生處領(lǐng)取，在畢業(yè)生辦理完離校手續(xù)后，發(fā)給畢業(yè)生。 學(xué)校編制就業(yè)方案的依據(jù) (《報到證》直接開到接收單位的依據(jù) ) 學(xué)校用以編制就業(yè)方案（開《報到證》）主要以《就業(yè)協(xié)議書》和用人單位就業(yè)主管部門的意見為準(zhǔn)。為維護(hù)就業(yè)市場的嚴(yán)肅性，避免一個畢業(yè)生同時被兩個用人單位審批錄用，造成用人單位進(jìn)人指標(biāo)浪費(fèi)，同時也為了維護(hù)學(xué)校的聲譽(yù)和今后畢業(yè)生的就業(yè)，每位畢業(yè)生只能有一份《就業(yè)協(xié)議書》原件。 ③ 畢業(yè)生做畢業(yè)鑒定。 還要衷心感謝我的室友陳瑤，董熙，秦雪梅，邱靜，眭照玲，她們給了我很多幫助和關(guān)懷，使我工作 更輕松，生活更愉快。 隨著 VLSI 和 Soc 技術(shù)的迅猛發(fā)展，對低功耗和低電源電壓設(shè)計提出了更高的要求，在今后的 PWM 控制芯片的設(shè)計中將對此加以充分的關(guān)注。整流橋的寄生振蕩產(chǎn)生于變壓器的漏感 (或附加的諧振電感 )與變壓器的繞組電容和整流管的結(jié)電容之間。隨著 芯片 的啟動 R1 的工作也就基本結(jié)束，余下的任務(wù)交給反饋繞組，由反饋繞組產(chǎn)生電壓給 芯片 供電。開關(guān)電源控制電路是一個電壓、電流雙閉環(huán)控制系統(tǒng)。我們都知道放大器用作信號傳輸時都需要傳輸時間，并不是輸出與輸入同時建立。 芯片在開關(guān)電源保護(hù)電路的中的應(yīng)用 1）通過在 芯片 的采樣電壓處接入一個射極跟隨器，從而在控制電壓上增加了一個與脈寬調(diào)制時鐘同步的人為斜坡，它可以在后續(xù)的周期內(nèi)將 △ I 擾動減小到零。功率管工作產(chǎn)生的信號經(jīng)取樣電路轉(zhuǎn)換為低壓直流信號反饋到 4 腳，維護(hù)系統(tǒng)的正常工作。第四腳既輸入電流負(fù)反饋，也是過流保護(hù)輸入端。最后輸出脈沖波形。 第 8 腳為帶隙基準(zhǔn)電路的 KVt 輸入， KVt 輸入與 Vbe 相加，再通過內(nèi)部的電壓調(diào)節(jié)器，輸出穩(wěn)定精確的 +5V 的基準(zhǔn)，直接決定芯片電路的穩(wěn)定性。 第 5 腳為振蕩器電壓的輸入，用一個電阻 Rt 通過振蕩器電壓給電容充電，用兩個比較器把電容上的電壓和兩個參考電壓相比較，參考電壓分別設(shè)為 和 。 圖 317 輸入電壓閾值電路 B 100n 50n (V) time(n) A Vout 高頻變換器 (V) (V) 1.0 0.0 X:/CS 四川理工學(xué)院本科畢業(yè)（設(shè)計）論文 24 系統(tǒng)系統(tǒng)芯片電路及工作過程 本文主要是開關(guān)電壓的 PWM 芯片電路的設(shè)計，芯片內(nèi)部總體電路如圖 318所示。 P3 晶體管導(dǎo)通， P4 關(guān)斷。P1 漏極電壓升高， P2 漏極電壓降低。 P P4 和P6 這三個 PMOS 晶體管實現(xiàn)遲滯功能。 比較強(qiáng)電阻 R1 實現(xiàn)電平移位功能。隨著 Q3 集電極電流增加， M9 的漏極電壓下降，由于 Q4 是射極跟隨器，輸出電壓將隨其下降。 PMOS 晶體管 M M2 的小信號電流由下式給出： dFB1Q1dM2dM i2/V*giI ???? (313) M3 與 M1 對稱， M2 與 M4 對稱，所以： 1dM2dM3dM4M iiii ????? (314) 運(yùn)算跨導(dǎo)放大器的輸出電壓為： )r//r(i2V 6o4odout ? (315) M6 和 M8 形成共源共柵結(jié)構(gòu)提高輸出電阻。 四川理工學(xué)院本科畢業(yè)（設(shè)計）論文 18 V ou tV r e fCT 0. 75 VV bi a s 圖 38 比較器 1電路圖 比較器 2 的電路圖如圖 39 所示，其共模輸入電壓是 3V，因此采用 NMOS差分對作輸入級 V r e fCT3VV bi a sV ou t 2 圖 39 比較器 2電路圖 放電電流源的電路圖如圖 310 所示，使用 PTAR 電流源，經(jīng)過兩路放大，得到大電流放電。該設(shè)計中最大占空比要達(dá)到 99%，因此放電時間必須低于一個時鐘周期的 1%。 RtSRQV r e f2 .5 V0 .7 5 V123123 圖 36 振蕩器時鐘信號電路 用一個電阻 Rt 通過 Vref 給電容充電，用兩個比較器把電容上的電壓和兩個參考電壓相比較，參考電壓分別設(shè)為 和 。穩(wěn)定電壓加在高增益放大器的非倒相輸入端，并與由電阻 R1 和 R2 采樣的輸出電壓比較。趨于穩(wěn)定，達(dá)到了穩(wěn)壓目的，并 VREF=Vref。陰極工作電流 IKA=l～ 100mA TL431 主要包括 4 部分：①誤差放大器 A，其同相輸入端接取樣電壓 VREF，四川理工學(xué)院本科畢業(yè)（設(shè)計）論文 14 反相輸入端則接內(nèi)部 2． 50V 基準(zhǔn)電壓 Vref，并且設(shè)計的 VREF=VRRef；②內(nèi)部2． 50V(準(zhǔn)確值為 2． 495V)基準(zhǔn)電壓源 Vref；③ NPN 型晶體管 VT，在電路中起調(diào)節(jié)負(fù)載電流的作用；④保護(hù)二極管 VD，能防止因 K— A 間電源極性接反而損壞芯片。由于 Dn 依賴于溫度，溫度系數(shù) r 稍微偏離 3。內(nèi)部穩(wěn)壓源電路提供穩(wěn)定的偏置電壓或作為基準(zhǔn)電壓。 代信敏： PWM 芯片設(shè)計及在開關(guān)電源中的應(yīng)用 11 第 3 章 PWM 芯片電路設(shè)計及工作過程 欠壓鎖定 欠壓鎖定電路實現(xiàn)的功能是：當(dāng)電源電壓大于 時，芯片正常工作；當(dāng)電源電壓小于 時，芯片不工作。 4. 欠壓鎖定 在電源達(dá)到啟動電壓之前，欠壓鎖定電路阻止芯片內(nèi)部的基準(zhǔn)電源電路和輸出極開始工作。在一個振蕩周期內(nèi)，電容CT 充電時，輸出脈沖最大占空比受振蕩器的可控死區(qū)限制。 四川理工學(xué)院本科畢業(yè)（設(shè)計）論文 8 123AViVF V0iLDVCVDVe 圖 23 滯環(huán)電流型控制的電路框圖 PWM 控制芯片電路的結(jié)構(gòu)設(shè)計 芯片的主要 特點是： 1. 1MHz 開關(guān)頻率 2. 50uA 備用電流， 100uA 最大電流 3. 在 52kHz 開關(guān)頻率時所需電流低至 4. 逐周限流時間快至 35ns 5. 誤差放大器的基準(zhǔn)電壓為 6. 振蕩器放電電流精確 7. 新型的欠壓鎖定模塊 所設(shè)計的 PWM 控制器，它主要包括欠壓鎖定電路，振蕩器，電流比較器，電壓調(diào)節(jié)器，誤差放大器，過流保護(hù)和用做基準(zhǔn)的參考電壓部分。電流調(diào)節(jié)器一般采用 PI 型補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)，可以濾除采樣信號中的高頻分量，與峰值電流控制相比，它直接控制電感電流的平均值，抗擾性好。 （ 1）峰值電流控制 峰值電流控制是最常用的電流型控制方式。 第一章介紹開關(guān)電源的背景、現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢，同時介紹了開關(guān)電源的原理，并對本文的章節(jié)進(jìn)行安排。驅(qū)動開關(guān)管導(dǎo)通。從控制的角度看，這是一種單環(huán)控制系統(tǒng)。反饋控制電路為脈沖寬度調(diào)制器（ PWM），它主要由取樣器、比較器、振蕩器、脈寬調(diào)制及基準(zhǔn)電壓等電路構(gòu)成。相對傳統(tǒng)的線性電源而言，開關(guān)電源具有體積小，成本低，效率高等顯著優(yōu)點。如 Mullard 公司的 HEF4752,無須微處理器配合，屬于純硬件實現(xiàn)方法，使用簡單，省去編寫軟件的麻煩，開發(fā)周期短，但欠靈活性，難以實現(xiàn)更多的功能。Amplifier。控制回路包括誤差放大器，基準(zhǔn)電壓源，振蕩器，比較器和保護(hù)電路等，完成了具 體電路的設(shè)計，給出了所有的電路圖。典型 PWM 調(diào)速控制芯片特點隨著微處理器技術(shù)的發(fā)展，其與 PWM 技術(shù)相結(jié)合，形成了各類特色的控制方案，主要可分為以下幾類 : (1)采用單一的通用微處理器 (單片機(jī) )來產(chǎn)生 SPWM。特別是高速運(yùn)算能力 DSP 核的嵌入常見的如 TI 公司的 TM5320F24X 系列、 AD 公司的 ADMCF32X 系列，使得此類芯片完全可以實現(xiàn)高性能的控制算法，如磁場定向控制、無速度傳感器矢量控制等。開關(guān)電源包括主電路和控制電路兩部分。開關(guān)電源的濾波電感的體積和重量也因為工作頻率提高而減小，所需的濾波電容也減小。 功率轉(zhuǎn)換電路 高頻變換器 圖 11 開關(guān)穩(wěn)壓電源的電路原理框圖 輸出整流濾波 DC 取樣器 比較器 脈寬調(diào)制 振蕩器 基準(zhǔn)電壓 AC 輸入整流濾波 四川理工學(xué)院本科畢業(yè)（設(shè)計）論文 4 V C C123誤差放大123脈寬比較器鋸齒波電路整流濾波采樣電路V0參考VS 圖 12 電壓控制型開關(guān)電源原理圖 圖 13 為電流型開關(guān)電源的原理圖。 1977 年國外首先研制成脈寬調(diào)制（ PWM）控制器集成電路，美國摩托羅拉公司、硅通用公司、尤尼德公司等相繼推出一批 PWM芯片，典型產(chǎn)品有 MC3520,SG3524,芯片。 四川理工學(xué)院本科畢業(yè)（設(shè)計）論文 6 第 2 章 PWM 控制芯片電路的原理 PWM 控制芯片原理 電流控制的 PWM 技術(shù)是一種新穎的控制技術(shù)， 1967 年由美國 BOSE 公司提出。缺點是：不能準(zhǔn)確控制電感的平均電流，回路增益對電網(wǎng)電壓變化敏感，開關(guān)噪聲容易造成開關(guān)管誤動作等。當(dāng)電感電流 iL 的檢測信號下降到下限 Vemin 時，比較器輸出高電平，使功率開關(guān)關(guān)斷，電感電流下降。設(shè)計控制芯片內(nèi)部的放電電流為。 3. 電流比較器 為 了 能夠?qū)崿F(xiàn)逐周控制，如此設(shè)計電流比較器：在每個振蕩周期開始時，輸出端開通。振蕩器外接電容器的充電電流也由基準(zhǔn)電壓源供給。一旦正常工作后， VDD 小于 時也能正常工作，我們稱 為啟動電壓。由室溫下溫度系數(shù)為 ℃的 pn節(jié)二極管 產(chǎn)生電壓 BEV 。它屬于一種具有電流輸出能力的可調(diào)基準(zhǔn)電壓源。 TL431 的穩(wěn)壓原理可分析如下：當(dāng)由于某種原因致使 Vo 升高時，取樣電壓vref 也隨之升高，使 VREFVref，比較器輸出高電平，令 VT 導(dǎo)通， Vo ↓。依靠這種方式，電壓源的波動可從本質(zhì)上被消除，其結(jié)果通常提高由此類電源驅(qū)動的電路的性能。電壓調(diào)節(jié)器要求輸出阻抗較小。這樣電容上的電壓就是一個有 峰 峰值的鋸齒波。因為振蕩器放電時下降速度比較快，所以比較器 1 的延時需要盡量小。運(yùn)算跨導(dǎo)放大器是無輸出緩沖極的運(yùn)算放大器。 Q2處于放大區(qū)，因為 Q2 的集電極接的是電源電壓，而基極電壓不可能超過它的。電平移位和電阻分壓功能都由電流比較器電路實現(xiàn)。當(dāng)電流檢測達(dá)到 1V 閾值時，不管電壓誤差放大器輸出，過流保護(hù)電路在 35ns 內(nèi)關(guān)斷輸出。 P1 電流為 62u,P2 電流為 50u。過流保護(hù)電路實現(xiàn)其作用。 V o u tV b i a s1VV r e f1 1 2 u 1 3 uP1 P2P3 P4P5 P6 P7M1 M2 M3 圖 315 過流保護(hù)電路 圖 316 表明，當(dāng) CS 電壓逐漸升高直到大于 時， outV 輸出高電平；當(dāng)CS 電壓逐漸降低直到小于 時， outV 輸出低電平。因為第 2 腳加在誤差放大器的負(fù)端，那么誤差放大器就是反向輸出，所以第 1 腳與第 2 腳電壓的變化相反。 RS 觸發(fā)器的輸出就是時鐘信號，時鐘周期約等于充電時間而電容電壓 RCt/ ??? 計算可得充電時間約為 ? 。 outV 是開關(guān)電源的輸出。 11029583746R1C1R2R3R4V R 1VDDC2RTCTQ1GDST300V初級次級+ 5 V R負(fù)反饋電路振蕩器外接RC電路 圖 41 芯片外部應(yīng)用電路 如圖所示為芯片的外部部分連接圖，第一腳為內(nèi)部基準(zhǔn)輸入電壓提供端。第十腳為內(nèi)部基準(zhǔn)電壓輸出端，基準(zhǔn)電壓如圖所示為振蕩器的外部 RC 電路提供5V 的基準(zhǔn)電壓。 PWM 控制芯片輸出周期一定、高電平存在時間可調(diào)的驅(qū)動脈沖信號。采用無感電阻后，其阻抗不會隨著頻率的增加而增加。 V E B3VC2V r e f10R t / C t5Vi9Vo7I c s444R1R2R3R4R5R6R7R8R9R 10R 11R 12R 13R 13R 15R 14C1C2C6C7C8C9C 10T1Q1O P 1C1 C 10C9D1D3D2S1D5N2 O P 1R 15R 16V0G N DG N D交流 22 0V光耦 圖 42 芯片在開關(guān)電源保護(hù)電路的中的應(yīng)用圖 經(jīng)過 實驗 電路 仿真 ，其采樣信號的