【正文】 180歐姆。例如，我們將一個(gè)110V/8W的燈泡與一個(gè)1uF的電容串聯(lián)，在接到220V/50Hz的交流電壓上，燈泡被點(diǎn)亮，發(fā)出正常的亮度而不會(huì)被燒毀。因此，電容降壓實(shí)際上是利用容抗限流。而且電容的耐壓須在400V以上。同樣，電容降壓不適合容性和感性負(fù)載。2當(dāng)TTL電路驅(qū)動(dòng)COMS電路時(shí),如果TTL電路輸出的高電平低于COMS電路的最低高電平（）, 這時(shí)就需要在TTL的輸出端接上拉電阻,以提高輸出高電平的值。芯片的管腳加上拉電阻來提高輸出電平,從而提高芯片輸入信號(hào)的噪聲容限增強(qiáng)抗干擾能力。上拉電阻阻值的選擇原則包括:從節(jié)約功耗及芯片的灌電流能力考慮應(yīng)當(dāng)足夠大。對(duì)于高速電路,過大的上拉電阻可能邊沿變平緩。上學(xué)時(shí)老師教的知識(shí)，畢業(yè)時(shí)統(tǒng)統(tǒng)還給老師。然而其中的重點(diǎn)，應(yīng)該是場(chǎng)管和運(yùn)放。比較器、ADC、DAC、電源、儀表、等等離不開運(yùn)放。IGFET 又稱金屬氧化物半導(dǎo)體管 MOSFET。BJT 可能需要多達(dá) 20% 的額定集電極電流以保證飽和度，而 MOSFET 需要的驅(qū)動(dòng)電流則小得多，而且通?？梢灾苯佑?CMOS 或者集電極開路 TTL 驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)。此外，MOSFET 具有并行工作能力，具有正的電阻溫度系數(shù)。所謂開關(guān)模式，就是器件充當(dāng)一個(gè)簡(jiǎn)單的開關(guān)，在開與關(guān)兩個(gè)狀態(tài)之間切換。運(yùn)放所傳遞和處理的信號(hào)，包括直流信號(hào)、交流信號(hào)，以及交、直流疊加在一起的合成信號(hào)。交流指標(biāo)有開環(huán)帶寬、單位增益帶寬、轉(zhuǎn)換速率SR、全功率帶寬、建立時(shí)間、等效輸入噪聲電壓、差模輸入阻抗、共模輸入阻抗、輸出阻抗。個(gè)人感覺模電應(yīng)在數(shù)電之前學(xué)習(xí)，但當(dāng)時(shí)課程安排恰好相反。一方面聽講可以知道內(nèi)容的重點(diǎn)，這樣下課自己看書的時(shí)候就比較有針對(duì)性，效率很高，知識(shí)點(diǎn)齊全，考試自然輕松；另一方面老師在課上會(huì)講到課本上沒有但又十分重要的知識(shí)和思路，而這些事自己看書根本不能得到的。其實(shí)只要靜下心來，同時(shí)保證上課時(shí)精力充沛，嘗試著跟著老師的思路去思考，慢慢就會(huì)發(fā)現(xiàn)聽講的喜悅了。古人云“學(xué)而時(shí)習(xí)之，不亦悅乎”，個(gè)人覺得有必要借幾本相關(guān)輔導(dǎo)書或習(xí)題集，這樣對(duì)課后學(xué)習(xí)會(huì)有很大幫助。設(shè)計(jì)過程中免不了通過計(jì)算機(jī)進(jìn)行輔助設(shè)計(jì)，因此不提倡在思維混亂的狀態(tài)下學(xué)習(xí)。第五篇：模電,數(shù)電學(xué)習(xí)心得要回答這個(gè)問題，首先要弄清數(shù)電與模電的根本區(qū)別到底在哪。但到PCB設(shè)計(jì)時(shí)，就得看你的模電功夫和耐心了。從這點(diǎn)上看，電路設(shè)計(jì)軟件分成logic(schematic)和 PCB“兩個(gè)部分”不無道理。模擬則遠(yuǎn)不止于此，特別是一個(gè)系統(tǒng)的電磁兼容，是極其重要的。這些問題的解決，決不是數(shù)字功夫到 家就能解決的，必須建立在適當(dāng)?shù)哪M功底為基礎(chǔ)的下進(jìn)行。這就象一家之主，什么都要你管，再煩也沒有辦法！模電大體可以認(rèn)為是去解決信號(hào)與干擾之間矛盾的問題。最后，有一個(gè)關(guān)于測(cè)試的問題，這是與數(shù)字很不同的：使用標(biāo)準(zhǔn)儀器時(shí)，要求你預(yù)熱xx小時(shí)后再做。不過，不會(huì)一點(diǎn)軟件也做不成什么好的 硬件。各位可有同感？說“搞數(shù)電的比模電賺錢”，倒是一種誤會(huì)。在學(xué)習(xí)階段，不要隨意偏廢。當(dāng)然會(huì)有人說這是“魚和熊掌兼得了，不實(shí)際。眾 所周知，模擬人才要靠實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的積累，而現(xiàn)在的學(xué)生模擬電子線路方面都很差（比于數(shù)字電路），所以這方面的人才很受歡迎，需要提及的在甚高頻，微波更高頻 率方面的人才就更缺乏了，這在全球都是?，F(xiàn)在的超大規(guī)模集成芯片已經(jīng)向系統(tǒng)級(jí)芯片的方向 發(fā)展，F(xiàn)PGA以經(jīng)可以達(dá)到ASIC的水平（如XILINX的V2 pro），所以工程師們有了更大發(fā)揮空間。模 擬和數(shù)字都是有發(fā)展方向的。至于如何側(cè)重，實(shí)際情況非常復(fù)雜，就不說了。同樣，只會(huì)數(shù)電，怎樣設(shè)計(jì)出好的板子來，實(shí)在難以想象。何況許多人的成就都不一定是在自己原有的專業(yè)上取得而是在知識(shí)重新取向后取得的。4)、我的看法不可割裂知識(shí)間的聯(lián)系時(shí) 下流行的說法是“現(xiàn)在搞數(shù)電的比模電賺錢，搞軟件的比硬件的牛”。在邏輯關(guān)系上，它通常是定量的；在相互關(guān)系問題上，它通常是與干擾(電干擾、電磁干擾、溫濕度干擾、漂移、絕緣、電泄漏等)做斗爭(zhēng)的、考驗(yàn)人們意志的“戰(zhàn)斗”，這恐怕是真正的難處所在。模電作為全局的知識(shí)和技能與要求。這些 都是模擬所要解決的問題。說簡(jiǎn)單點(diǎn)，是個(gè)基本功問題。原因在于追求布線簡(jiǎn)練，這看上去似乎不是什么事，其實(shí)這是模 擬所要解決的電磁兼容問題。一般 來說，數(shù)字電路設(shè)計(jì)做好數(shù)字邏輯就差不多了，剩下和問題就交給模擬去辦了。學(xué)習(xí)過程中一定要細(xì)心、大膽，有耐心及毅力；還有一點(diǎn)就是在公式推導(dǎo)中有不少地方用到近似的思想，這讓一些習(xí)慣用等號(hào)或是全等號(hào)的同學(xué)感到不習(xí)慣，但是不用擔(dān)心，多訓(xùn)練就會(huì)慢慢適應(yīng)的。其實(shí)仔細(xì)想想，這兩門課還是有所區(qū)別的，各自的側(cè)重點(diǎn)都有所不同。其實(shí)不然，上課聽懂只能說明老師講的好，并不代表你學(xué)的好，更不能保證你會(huì)考的好，用的好。不適應(yīng)老師上課的風(fēng)格是上課不認(rèn)真聽講的又一借口。大學(xué)上課的形式和高中很不一樣，一兩百人在一個(gè)大教師聽一個(gè)老師講課，而且老師上課的風(fēng)格不一定符合自己，這個(gè)時(shí)候有的同學(xué)可能覺得聽課很沒意思，而且自己看書也能看懂，于是就不去認(rèn)真聽講，而在課上開小差或是做其他事情。模電側(cè)重于器件內(nèi)部物理過程的數(shù)學(xué)描述及放大器的應(yīng)用，而數(shù)電則強(qiáng)調(diào)邏輯電路的設(shè)計(jì)及作用。不一定全是“放大”，某些場(chǎng)合也可能是衰減（如：比例系數(shù)或傳遞函數(shù) K=Vo/Vi=1/10）。此處的“線性”是指 MOSFET 保持連續(xù)性的工作狀態(tài)，此時(shí)漏電流是所施加在柵極和源極之間電壓的函數(shù)。而且，MOSFET 的漏極和源極之間形成的寄生二極管可以充當(dāng)箝位二極管，在電感性負(fù)載開關(guān)中特別有用。其三，MOSFET 沒有二次擊穿失效機(jī)理，它在溫度越高時(shí)往往耐力越強(qiáng)，而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低。學(xué)習(xí)時(shí)，可將 MOSFET 和 BJT 比較，就很容易掌握，功率 MOSFET 是一種高輸入阻抗、電壓控制型器件，BJT 則是一種低阻抗、電流控制型器件。有