【正文】 足一定的參數(shù)條件，具體見書上！（四）剩下還是補(bǔ)充一下直流電源的內(nèi)容吧：直流電源的構(gòu)成分成三個(gè)部分：整流、濾波、穩(wěn)壓。雖然流過電容的電流有70mA，但在電容器上并不產(chǎn)生功耗，因?yàn)槿绻娙菔且粋€(gè)理想電容，則流過電容的電流為虛部電流，它所作的功為無(wú)功功率。采用電容降壓時(shí)應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：根據(jù)負(fù)載的電流大小和交流電的工作頻率選取適當(dāng)?shù)碾娙?，而不是依?jù)負(fù)載的電壓和功率。不建議采用橋式整流。管腳懸空就比較容易接受外界的電磁干擾。對(duì)下拉電阻也有類似道理。場(chǎng)效應(yīng)管，包括最常見的MOSFET，在電源、照明、開關(guān)、充電等等領(lǐng)域隨處可見。學(xué)習(xí)時(shí)，可將 MOSFET 和 BJT 比較，就很容易掌握，功率 MOSFET 是一種高輸入阻抗、電壓控制型器件，BJT 則是一種低阻抗、電流控制型器件。而且，MOSFET 的漏極和源極之間形成的寄生二極管可以充當(dāng)箝位二極管，在電感性負(fù)載開關(guān)中特別有用。不一定全是“放大”，某些場(chǎng)合也可能是衰減（如：比例系數(shù)或傳遞函數(shù) K=Vo/Vi=1/10）。大學(xué)上課的形式和高中很不一樣，一兩百人在一個(gè)大教師聽一個(gè)老師講課，而且老師上課的風(fēng)格不一定符合自己，這個(gè)時(shí)候有的同學(xué)可能覺得聽課很沒意思，而且自己看書也能看懂，于是就不去認(rèn)真聽講，而在課上開小差或是做其他事情。其實(shí)不然，上課聽懂只能說(shuō)明老師講的好，并不代表你學(xué)的好，更不能保證你會(huì)考的好，用的好。學(xué)習(xí)過程中一定要細(xì)心、大膽，有耐心及毅力；還有一點(diǎn)就是在公式推導(dǎo)中有不少地方用到近似的思想，這讓一些習(xí)慣用等號(hào)或是全等號(hào)的同學(xué)感到不習(xí)慣，但是不用擔(dān)心，多訓(xùn)練就會(huì)慢慢適應(yīng)的。原因在于追求布線簡(jiǎn)練，這看上去似乎不是什么事，其實(shí)這是模 擬所要解決的電磁兼容問題。這些 都是模擬所要解決的問題。在邏輯關(guān)系上，它通常是定量的；在相互關(guān)系問題上，它通常是與干擾(電干擾、電磁干擾、溫濕度干擾、漂移、絕緣、電泄漏等)做斗爭(zhēng)的、考驗(yàn)人們意志的“戰(zhàn)斗”，這恐怕是真正的難處所在。何況許多人的成就都不一定是在自己原有的專業(yè)上取得而是在知識(shí)重新取向后取得的。至于如何側(cè)重，實(shí)際情況非常復(fù)雜，就不說(shuō)了?，F(xiàn)在的超大規(guī)模集成芯片已經(jīng)向系統(tǒng)級(jí)芯片的方向 發(fā)展，F(xiàn)PGA以經(jīng)可以達(dá)到ASIC的水平（如XILINX的V2 pro），所以工程師們有了更大發(fā)揮空間。眾 所周知，模擬人才要靠實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的積累，而現(xiàn)在的學(xué)生模擬電子線路方面都很差（比于數(shù)字電路），所以這方面的人才很受歡迎，需要提及的在甚高頻，微波更高頻 率方面的人才就更缺乏了，這在全球都是。在學(xué)習(xí)階段，不要隨意偏廢。不過，不會(huì)一點(diǎn)軟件也做不成什么好的 硬件。這就象一家之主，什么都要你管，再煩也沒有辦法！模電大體可以認(rèn)為是去解決信號(hào)與干擾之間矛盾的問題。模擬則遠(yuǎn)不止于此，特別是一個(gè)系統(tǒng)的電磁兼容，是極其重要的。但到PCB設(shè)計(jì)時(shí)，就得看你的模電功夫和耐心了。設(shè)計(jì)過程中免不了通過計(jì)算機(jī)進(jìn)行輔助設(shè)計(jì)，因此不提倡在思維混亂的狀態(tài)下學(xué)習(xí)。其實(shí)只要靜下心來(lái)，同時(shí)保證上課時(shí)精力充沛，嘗試著跟著老師的思路去思考，慢慢就會(huì)發(fā)現(xiàn)聽講的喜悅了。個(gè)人感覺模電應(yīng)在數(shù)電之前學(xué)習(xí)，但當(dāng)時(shí)課程安排恰好相反。運(yùn)放所傳遞和處理的信號(hào)，包括直流信號(hào)、交流信號(hào)，以及交、直流疊加在一起的合成信號(hào)。此外，MOSFET 具有并行工作能力，具有正的電阻溫度系數(shù)。IGFET 又稱金屬氧化物半導(dǎo)體管 MOSFET。然而其中的重點(diǎn)，應(yīng)該是場(chǎng)管和運(yùn)放。對(duì)于高速電路,過大的上拉電阻可能邊沿變平緩。芯片的管腳加上拉電阻來(lái)提高輸出電平,從而提高芯片輸入信號(hào)的噪聲容限增強(qiáng)抗干擾能力。同樣，電容降壓不適合容性和感性負(fù)載。因此，電容降壓實(shí)際上是利用容抗限流。例如，在50Hz的工頻條件下，一個(gè)1uF的電容所產(chǎn)生的容抗約為3180歐姆。此時(shí)，正反饋可以將偶然的噪聲源放大然后輸出。首先，對(duì)于反饋類型的判斷，用到的方法是瞬時(shí)極性法。幾乎所有的方法都是鏡像：利用產(chǎn)生對(duì)稱電路來(lái)抑制溫度或其它噪聲的影響。（二）接著就是場(chǎng)效應(yīng)管了對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管，其種類多，性質(zhì)較三極管也復(fù)雜，但其原理還是一樣的，所以我想如果你的三極管會(huì)分析的話，應(yīng)該不會(huì)成問題。通過這幾個(gè)已知的關(guān)系，我們可以把管子的靜態(tài)工作點(diǎn)算出來(lái)——所謂靜態(tài)工作點(diǎn)就是：ce間電壓，三個(gè)極分別的電流。在以后的學(xué)習(xí)中，你會(huì)慢慢地發(fā)現(xiàn)，理解原來(lái)的知識(shí)的！二極管的特性、晶體管的基本放大電路、集成運(yùn)放的虛斷虛短，穩(wěn)壓電路，電路中電阻電容等器件的作用....筆試通常都考這些~~首先該明白這門課的研究對(duì)象，其實(shí)這門課可以說(shuō)是電路理論的延伸。可以自己慢慢理解透，一點(diǎn)一點(diǎn)積累，要把最基本的電路掌握好，有時(shí)間和精力的最好多做練習(xí)，經(jīng)常動(dòng)手。再次，我們每學(xué)一個(gè)電路，都是一步步遞進(jìn)的，即后面所學(xué)全是在前面基礎(chǔ)上的改善的，我們只需記住它們做這樣改動(dòng)的意義，就可以記住后面更加復(fù)雜的電路的樣子。以上是本人的一些建議和心得，希望對(duì)學(xué)習(xí)者有所幫助。通過實(shí)驗(yàn)，不僅固化和深化書本上學(xué)到的知識(shí)，而且倡導(dǎo)理論聯(lián)系實(shí)際的精神，提高電子技術(shù)方面的動(dòng)手能力，培養(yǎng)嚴(yán)謹(jǐn)踏實(shí)的科學(xué)作風(fēng)。它不僅要為今后學(xué)習(xí)有關(guān)的后續(xù)課程打下基礎(chǔ)，而且模電課程本身涉及的一些基本概念、基本原理和基本分析方法，對(duì)于培養(yǎng)分析問題和解決問題的能力也十分重要。第三本書是《運(yùn)算放大器權(quán)威指南》，提到了運(yùn)算放大器的單電源供電，和其他諸多應(yīng)用方面的知識(shí)。比如，我學(xué)模電，先看了《電子設(shè)計(jì)從零開始》，這是我的電子啟蒙書，書寫得生動(dòng)有趣，覆蓋知識(shí)面廣，對(duì)于培養(yǎng)興趣，增長(zhǎng)見識(shí) 大有裨益。另外還有《2013_德州儀器高性能模擬器件高校應(yīng)用指南》，是德州半導(dǎo)體技術(shù)（上海）有限公司的工程師寫的，針對(duì)TI的大學(xué)計(jì)劃專門寫的競(jìng)賽參考書，實(shí)際例子較多，對(duì)于應(yīng)用的指導(dǎo)性較強(qiáng)，理論分析也有，但是沒有一定基礎(chǔ)就比較難懂，要結(jié)合上一本書來(lái)看，競(jìng)賽中必然會(huì)用到TI的模擬器件，那么這本書也是必要的參考書。首先，作為一門技術(shù)基礎(chǔ)課，模擬電子技