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功率器件封裝工藝流程(文件)

2025-03-16 02:46 上一頁面

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【正文】 — 造成虛焊的因素與對(duì)策措施 因素 技術(shù)要求 對(duì)策措施 引線材料 抗拉強(qiáng)度、延伸性良好,硬度適中。 確保劈刀端面有合適的振幅。 引線強(qiáng)度不夠 不同的線徑,規(guī)定不同的工藝條件,壓力 、功率、時(shí)間。 框架管腳質(zhì)量 管腳牢固、平整。 加強(qiáng)浸錫前,管腳處理。 嚴(yán)格原料檢驗(yàn)。 引線框架和塑料熱膨脹系數(shù)匹配 對(duì)每種封裝形式均需作材料熱匹配的對(duì)比試驗(yàn),通過樣品測(cè)量和批量試用,選擇最佳的材料組合。 , March 23, 2023 ? 雨中黃葉樹,燈下白頭人。 :45:3702:45:37March 23, 2023 ? 1他鄉(xiāng)生白發(fā),舊國(guó)見青山。 2023年 3月 23日星期四 2時(shí) 45分 37秒 02:45:3723 March 2023 ? 1做前,能夠環(huán)視四周;做時(shí),你只能或者最好沿著以腳為起點(diǎn)的射線向前。 :45:3702:45Mar2323Mar23 ? 1世間成事,不求其絕對(duì)圓滿,留一份不足,可得無限完美。 。 , March 23, 2023 ? 閱讀一切好書如同和過去最杰出的人談話。勝人者有力,自勝者強(qiáng)。 2023年 3月 23日星期四 2時(shí) 45分 37秒 02:45:3723 March 2023 ? 1一個(gè)人即使已登上頂峰,也仍要自強(qiáng)不息。 2023年 3月 23日星期四 上午 2時(shí) 45分 37秒 02:45: ? 1最具挑戰(zhàn)性的挑戰(zhàn)莫過于提升自我。 :45:3702:45Mar2323Mar23 ? 1越是無能的人,越喜歡挑剔別人的錯(cuò)兒。 2023年 3月 23日星期四 2時(shí) 45分 37秒 02:45:3723 March 2023 ? 1空山新雨后,天氣晚來秋。 :45:3702:45:37March 23, 2023 ? 1意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 , March 23, 2023 ? 很多事情努力了未必有結(jié)果,但是不努力卻什么改變也沒有。 。 :45:3702:45Mar2323Mar23 ? 1故人江海別,幾度隔山川。 增加保壓時(shí)間,使塑料充分固化后出模,防止出模時(shí)摩擦大,塑料發(fā)生形變而減弱與引線框架之間的粘結(jié)強(qiáng)度。 借助廣州五所的先進(jìn)分析手段,不定期的對(duì)產(chǎn)品密封性能進(jìn)行抽查。 _ X 36 至誠至愛,共創(chuàng)未來 SI SEMI. 控制“虛焊”的措施 壓焊工序?qū)σ€拉力進(jìn)行了嚴(yán)格的控制 37 至誠至愛,共創(chuàng)未來 SI SEMI. 塑封氣密性的工藝控制 相關(guān)因素 工藝措施 檢測(cè)措施 引線框架和塑料粘接表面機(jī)械強(qiáng)度 引線框架的管腳增加兩條密封槽,增加此處引線框架表面的粗糙度,使其與塑封料粘結(jié)更緊密 在塑料型號(hào)上挑選收縮率低、流動(dòng)性好的材料,使其之間的機(jī)械粘結(jié)更加緊密。 高溫老化后錫層不變色。 專職檢驗(yàn)員,每隔 1h巡檢一次。 劈刀安裝位置準(zhǔn)確,高度合適。 不定期上供應(yīng)商生產(chǎn)線考察質(zhì)量體系進(jìn)行情況。 粘片空洞 熱點(diǎn) 框架 焊料 芯片 熱點(diǎn)處溫度高, Vbe將比其他地方的 Vbe變化大。 XR管理圖 熱阻偏大的原因分析與工藝保證 30 至誠至愛,共創(chuàng)未來 SI SEMI. 熱阻的工藝控制 — 測(cè)試篩選 晶體管的熱阻測(cè)試原理: 在一定范圍內(nèi) pn結(jié)的正向壓降 Vbe 的變化與結(jié)溫度的變化△ T有近似線性的關(guān)系: △ Vbe= k△ T 對(duì)于硅 pn結(jié), k約等于 2,熱阻的計(jì)算公式為: Rth=△ T/P 只需加一個(gè)穩(wěn)定的功率,測(cè)量晶體管的△ Vbe即可計(jì)算出晶體管的熱阻 RT。 焊料點(diǎn)上熔化后,焊料與之的浸潤(rùn)好。 每片先試粘一條,試推力,符合工藝規(guī)范才下投。 背面金、銀層 焊料層 銅底座 ( 框架) 芯片 R T1 R
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