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ic有源元件與工藝流程(文件)

2025-03-05 18:29 上一頁面

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【正文】 ? 通 ?信 ?工 ?程 ?系 ?216。在厚氧化層( FOX)生成后,去掉氮化硅和薄氧化層,再生長一層新的薄氧化層,下一步是在整個硅片上淀積多晶硅。 到此為止,源和漏還未形成,但它們已被定域在沒有被多晶硅和場氧化層覆蓋的區(qū)域。77 ?c?e?c? ? 通 ?信 ?工 ?程 ?系 ??。?f)金屬化和鈍化層216。78 ?c?e?c? ? 通 ?信 ?工 ?程 ?系 ?P阱 CMOS工藝中, PMOS和 NMOS結(jié)構(gòu)79 ?c?e?c? ? 通 ?信 ?工 ?程 ?系 ? 典型 1P2M n阱 CMOS工藝主要步驟圖 80 ?c?e?c? ? 通 ?信 ?工 ?程 ?系 ?N阱 CMOS的工藝流程81 ?c?e?c? ? 通 ?信 ?工 ?程 ?系 ? 82 ?c?e?c? ? 通 ?信 ?工 ?程 ?系 ?83 ?c?e?c? ? 通 ?信 ?工 ?程 ?系 ?84 ?c?e?c? ? 通 ?信 ?工 ?程 ?系 ?85 ?c?e?c? ? 通 ?信 ?工 ?程 ?系 ?86 ?c?e?c? ? 通 ?信 ?工 ?程 ?系 ?87 ?c?e?c? ? 通 ?信 ?工 ?程 ?系 ?88 ?c?e?c? ? 通 ?信 ?工 ?程 ?系 ?CMOS反相器電路圖和芯片剖面示意圖圖 89 ?c?e?c? ? 通 ?信 ?工 ?程 ?系 ?n CMOS的主要優(yōu)點(diǎn)是集成密度高而功耗低,工作頻率隨著工藝技術(shù)的改進(jìn)已接近 TTL電路,但驅(qū)動能力尚不如雙極型器件,所以近來又出現(xiàn)了在 IC內(nèi)部邏輯部分采用 CMOS技術(shù),而 I/O緩沖及驅(qū)動部分使用雙極型技術(shù)的一種稱為 BiCMOS的工藝技術(shù)。 一月 21一月 21Sunday, January 31, 2023n 雨中黃葉樹,燈下白頭人。 一月 21一月 2118:58:1618:58:16January 31, 2023n 1他鄉(xiāng)生白發(fā),舊國見青山。 2023/1/31 18:58:1618:58:1631 January 2023n 1做前,能夠環(huán)視四周;做時(shí),你只能或者最好沿著以腳為起點(diǎn)的射線向前。 一月 2118:58:1618:58Jan2131Jan21n 1世間成事,不求其絕對圓滿,留一份不足,可得無限完美。 。 一月 21一月 21Sunday, January 31, 2023n 閱讀一切好書如同和過去最杰出的人談話。勝人者有力,自勝者強(qiáng)。 2023/1/31 18:58:1618:58:1631 January 2023n 1一個人即使已登上頂峰,也仍要自強(qiáng)不息。 31 一月 20236:58:16 下午 18:58:16一月 21n 1最具挑戰(zhàn)性的挑戰(zhàn)莫過于提升自我。 一月 2118:58:1618:58Jan2131Jan21n 1越是無能的人,越喜歡挑剔別人的錯兒。 2023/1/31 18:58:1618:58:1631 January 2023n 1空山新雨后,天氣晚來秋。 一月 21一月 2118:58:1618:58:16January 31, 2023n 1意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 一月 21一月 21Sunday, January 31, 2023n 很多事情努力了未必有結(jié)果,但是不努力卻什么改變也沒有。 。 一月 2118:58:1618:58Jan2131Jan21n 1故人江海別,幾度隔山川。 P阱 CMOS的工藝流程??坛鰤汉竻^(qū)(這是 IC和其封裝之間的壓焊區(qū)域)。光刻膠在注入時(shí)起阻擋作用,同時(shí),多晶硅也起這種作用。如圖( d)所示。( c)生長厚和薄的氧化層75 ?c?e?c? ? 通 ?信 ?工 ?程 ?系 ?( d)制作多晶硅柵和互連線216。CMOS工藝主要步驟:( a)確定 P阱位置73 ?c?e?c? ? 通 ?信 ?工 ?程 ?系 ?( b)確定有源區(qū)面積216。56 ?c?e?c? ? 通 ?信 ?工 ?程 ?系 ? 增強(qiáng)型和耗盡性 MOSFET (Enhancement mode and depletion mode MOSFET)FET( Field Effect Transisitor)n 按襯底材料區(qū)分有    Si, GaAs, InPn 按場形成結(jié)構(gòu)區(qū)分有 J/MOS/MESn 按載流子類型區(qū)分有 P/Nn 按溝道形成方式區(qū)分有 E/D57 ?c?e?c? ? 通 ?信 ?工 ?程 ?系 ?E/DNMOS和 EPMOS的電路符號圖 58 ?c?e?c? ? 通 ?信 ?工 ?程 ?系 ?59 ?c?e?c? ? 通 ?信 ?工 ?程 ?系 ?60 ?c?e?c? ? 通 ?信 ?工 ?程 ?系 ?ENMOS的結(jié)構(gòu)示意圖(增強(qiáng)型 VD=0V, Vgs=Vsb=0V)圖 ENMOS的結(jié)構(gòu)示意圖61 ?c?e?c? ? 通 ?信 ?工 ?程 ?系 ?DNMOS的結(jié)構(gòu)示意圖(耗盡型 VD=0V, Vgs=Vsb=0V)圖 DNMOS的結(jié)構(gòu)示意圖62 ?c?e?c? ? 通 ?信 ?工 ?程 ?系 ?EPMOS的結(jié)構(gòu)示意圖 (增強(qiáng)型 VD=0V, Vgs=Vsb=0V)圖 EPMOS的結(jié)構(gòu)示意圖 63 ?c?e?c? ? 通 ?信 ?工 ?程 ?系 ? ENMOS工作原理圖VgsVt, Vds=0V圖 不同電壓情況下 ENMOS的溝道變化64 ?c?e?c? ? 通 ?信 ?工 ?程 ?系 ?ENMOS工作原理圖VgsVt, VdsVgsVt圖 不同電壓情況下 ENMOS的溝道變化65 ?c?e?c? ? 通 ?信 ?工 ?程 ?系 ?ENMOS工作原理圖VgsVt, VdsVgsVt圖 不同電壓情況下 EN
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