ic有源元件與工藝流程介紹(文件)
【正文】 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 29 了解 NMOS工藝的意義 目前 CMOS工藝已在 VLSI設計中占有壓倒一切的優(yōu)勢 . 但了解 NMOS工藝仍具有幾方面的意義 : ? CMOS工藝是在 PMOS和 NMOS工藝的基礎上發(fā)展起來的 . ? 從 NMOS工藝開始討論對于學習 CMOS工藝起到循序漸進的作用 . ? NMOS電路技術和設計方法可以相當方便地移植到CMOS VLSI的設計 . ? GaAs邏輯電路的形式和眾多電路的設計方法與NMOS工藝基本相同 . 東 ?南 ?大 ?學 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 30 增強型和耗盡性 MOSFET (Enhancement mode and depletion mode MOSFET) FET（ Field Effect Transisitor） n 按襯底材料區(qū)分有 Si, GaAs, InP n 按場形成結構區(qū)分有 J/MOS/MES n 按載流子類型區(qū)分有 P/N n 按溝道形成方式區(qū)分有 E/D 東 ?南 ?大 ?學 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 31 E/DNMOS和 EPMOS的電路符號 N M OSE nh an cem en tP M OSE nh an cem en tN M OSDep l e t i o n圖 東 ?南 ?大 ?學 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 32 ENMOS的結構示意圖 (增強型 VD=0V, Vgs=Vsb=0V) 圖 ENMOS的結構示意圖 東 ?南 ?大 ?學 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 33 DNMOS的結構示意圖 (耗盡型 VD=0V, Vgs=Vsb=0V) 圖 DNMOS的結構示意圖 東 ?南 ?大 ?學 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 34 EPMOS的結構示意圖 (增強型 VD=0V, Vgs=Vsb=0V) 圖 EPMOS的結構示意圖 東 ?南 ?大 ?學 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 35 ENMOS工作原理圖 VgsVt， Vds=0V 圖 不同電壓情況下 ENMOS的溝道變化 東 ?南 ?大 ?學 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 36 ENMOS工作原理圖 VgsVt， VdsVgsVt 圖 不同電壓情況下 ENMOS的溝道變化 東 ?南 ?大 ?學 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 37 ENMOS工作原理圖 VgsVt， VdsVgsVt 圖 不同電壓情況下 ENMOS的溝道變化 東 ?南 ?大 ?學 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 38 NMOS 工藝流程 圖 NMOS工藝的基本流程 東 ?南 ?大 ?學 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 39 表 NMOS的掩膜和典型工藝流程 M ask確定對象 工藝流程出發(fā)點 P 型摻雜硅晶圓 ( ? = 7 52 00 m m ) ，生長 1 m m 厚 氧化層 , 涂感光膠 ( Pho t oresist)1 有源區(qū) 紫外曝光使透光處光膠聚合 , 去除未聚合處 ( 有源區(qū) ) 光膠 , 刻蝕 ( eching ) 氧化層 , 薄氧化層 ( thinox) 形成 , 沉淀多晶硅層 , 涂感光膠2 離子注入區(qū) 曝光 , 除未聚合光膠 , 耗盡型 NM OS 有源區(qū)離子注入 ,沉淀多晶硅層 , 涂感光膠3 多晶硅線條圖形曝光 , 除未聚合光膠 , 多晶硅刻蝕 , 去除無多晶硅覆蓋的薄氧化層，以多晶硅為掩膜進行 n 擴散，漏源區(qū)相對于柵結構自對準，再生長 厚 氧化層 , 涂感光膠4 接觸孔窗口(Con tacts c ut )曝光 , 除未聚合光膠 , 接觸孔刻蝕 , 淀積金屬層 , 涂感光膠5 金屬層線條圖形曝光 , 除未聚合光膠 , 金屬層刻蝕 , 鈍化玻璃層形成 ,涂感光膠6 焊盤窗口(Bon din g pad s)曝光 , 除未聚合光膠 , 鈍化玻璃層刻蝕東 ?南 ?大 ?學 射
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