第10章工藝集成(文件)
【正文】 械拋光（ CMP）；大馬士革鑲嵌工藝和銅互連技術(shù) ?今后發(fā)展趨勢(shì)： 超薄 SOI CMOS器件，納米硅器件，雙柵器件等 天津工業(yè)大學(xué) CMOS工藝中的基本模塊及對(duì)器件性能的影響 CMOS IC中的 阱 : ?單阱（ Single Well） ?雙阱（ Twin Well ） ?自對(duì)準(zhǔn)雙阱（ Selfaligned Twin Well） ?阱的制備工藝： ? 高能離子注入 ? 高溫退火雜質(zhì)推進(jìn) 天津工業(yè)大學(xué) 單阱 P阱 CMOS （靜態(tài)邏輯電路） N阱 CMOS （動(dòng)態(tài)邏輯電路） 天津工業(yè)大學(xué) 雙阱 ?需要兩塊掩模版 ?更平坦的表面 ?先進(jìn) CMOS IC工藝中最常用的 天津工業(yè)大學(xué) 自對(duì)準(zhǔn)雙阱工藝 優(yōu)點(diǎn)： 只需要一塊掩模版，減少工藝成本 缺點(diǎn)： 硅片表面不平坦，影響后續(xù)的介質(zhì)淀積 一般先離子注入形成 N阱，因?yàn)镻在高溫下的擴(kuò)散比 B慢，避免了氧化時(shí)雜質(zhì)的擴(kuò)散 天津工業(yè)大學(xué) CMOS集成電路中的柵電極（ Gate） ?普通金屬柵（鋁柵） ?多晶硅柵（雙摻雜自對(duì)準(zhǔn)多晶硅工藝） ?高 k柵介質(zhì)及金屬柵（鎢柵及 Ta2O5） 天津工業(yè)大學(xué) 高 k柵介質(zhì)及金屬柵 ?器件尺寸縮小（ ），氧化層厚度越來(lái)越薄，需要采用高 k介質(zhì)代替 SiO2作為柵介質(zhì)層 ?保證儲(chǔ)存足夠的電荷來(lái)開(kāi)啟 MOSFET，并有效防止隧穿及擊穿 ?金屬柵具有更低的電阻率，能有效地提高器件的速度 ?采用高 k柵介質(zhì)和金屬柵是未來(lái)的一個(gè)發(fā)展方向 天津工業(yè)大學(xué)
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