現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝(文件)
【正文】 片，對(duì)均與度 要求較高?？梢杂谩跋鄨D”來描述。高 純度的砷放置在石墨舟中加熱到 601620 ℃ ；而高純度的鎵放置在另一個(gè) 石墨舟中，加熱到稍高于砷化鎵熔點(diǎn)（ 12401260 ℃ ）的溫度。 有兩種技術(shù)可以生長砷化鎵： Cz法和布理吉曼法。 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 26 在生長砷化鎵晶體時(shí)，為了獲得所需的摻雜濃度，鎘和鋅常被用來作為 P型摻雜劑，而硒、硅和銻用來作 n型摻雜劑。 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 28 材料特性－晶片切割 晶體生長后，先區(qū)晶仔和晶錠的尾端。 主標(biāo)志面 －最大的面，用于機(jī)械定向器去固定晶片的位置并確定器件和晶體的相對(duì)方向。 切割后，用氧化鋁和甘油的混合液研磨，一般研磨到 2μm的平坦度。 反映孿晶 旋轉(zhuǎn)孿晶 小角度晶界 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 34 體缺陷－雜質(zhì)或摻雜原子的析出現(xiàn)象。當(dāng)晶片受高溫處理，氧會(huì)從表面揮發(fā)，造成表面附近有較低的氧含量，形成了無缺陷區(qū)，用于制造器件。 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 38 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 39 硅的 CVD 42( ) 2 ( ) ( ) 4 ( )SiC l g H g Si g H C l g??同時(shí)伴隨額外的競(jìng)爭(zhēng)反應(yīng) ( ) ( ) 2 S i ( )SiC l g Si s C l g?在外延生長時(shí)，摻雜劑和四氯化硅是同時(shí)加入的，氣態(tài)的乙硼（ B2H6） 被用作 p型摻雜劑，而磷烷（ PH3）被用作 n型摻雜劑。 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 43 金屬有機(jī)物氣相沉積（ MOCVD），是一種以熱分解反應(yīng)為基礎(chǔ)的氣相外延法，不像傳統(tǒng)的 CVD， MOCVD是以其先驅(qū)物的化學(xué)本質(zhì)來區(qū)分。 MBE能夠非常精確地控制化學(xué)組成和參雜濃度。 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 45 外延層的構(gòu)造和缺陷 －晶格匹配及形變層外延 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 46 外延層缺陷 半導(dǎo)體外延層的缺陷會(huì)降低器件的性能。 （ 2）從界面來的缺陷。其形成是因?yàn)檫^飽和的摻雜劑或其他雜質(zhì)造成的。 （ 5）刃位錯(cuò)。 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 47 Thanks for listening 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 48 演講完畢，謝謝觀看！ 。如果兩者的晶格均很硬，它們將保持原有的晶格間距，界面將會(huì)含有錯(cuò)配或刃位錯(cuò)的錯(cuò)誤鍵結(jié)的原子行。 （ 4）小角晶界和孿晶。為了避免此類缺陷，襯底的表面需徹底的清潔。外延層的缺陷可以歸納為 5種： （ 1）從襯底來的缺陷。因此，MBE法可用來精確制作半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)，其薄膜層可從幾分之一微米到單層原子。 MOCVD已經(jīng)廣泛應(yīng)用在生長 IIIV族和IIVI族化合物異質(zhì)外延上。 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 40 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 41 砷化鎵的 C
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