福州大學微電子卓越班數(shù)字集成電路課程設計報告(文件)
【正文】 知識不夠扎實，缺乏足夠的耐心和一絲不茍的態(tài)度。學會了數(shù)字集成電路中 MOS 管參數(shù)的設計。25 / 36心 得本次課程設計我選擇了 4Bit 超前進位加法器。整個版圖設計的思想是先小后大，即先畫出各級的版圖，并進行 DRC 檢查，檢查無誤后進行保存，最后調(diào)用這些單元進行最后的版圖設計。從 A4 到 Z4 的延時滿足，功耗為 。同時我還掌握了不同管子的尺寸的計算方法，以及電容的計算方法。而 MOS 器件的柵氧化層極薄，這些感應的電荷使得MOS 器件的柵與襯底之間產(chǎn)生非常高的電場。? CMOS 反相器 PM0 管(W/L)的計算這個管的(W/L)可以參考內(nèi)部反相器的計算過程，這里取(W/L)=。L1 / 36 數(shù)字集成電路課程設計題 目：4 bits 超前加法進位器的全定制設計 姓 名： 席高照 學 號： 111000833 學 院： 物理與信息工程學院 專 業(yè)： 微電子（卓越班） 年 級： 2022 級 指導教師： 陳群超 （簽名） 2022 年 6 月 3 日目 錄第 1 章 概 述 .........................................................................1 課程設計目的 ...................................................................1 課程設計的主要內(nèi)容 .............................................................1 設計題目 ...................................................................1 設計內(nèi)容 ...................................................................1 第 2 章 功能分析及邏輯分析 .............................................................2 功能分析 ........................................................................2 推薦工作條件 ....................................................................3 電性能 ..........................................................................3 真值表 ..........................................................................6 表達式 ..........................................................................6 電路圖 ..........................................................................7第 3 章 電路設計與器件參數(shù)設計 .........................................................8 性能指標： ......................................................................8 模塊劃分 ........................................................................8 輸出級電路設計 ..............................................................8 內(nèi)部反相器 ..................................................................9 內(nèi)部電路等效 ................................................................9
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