【正文】 切線的斜率的倒數　　三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS　　由于它的存在，就使一個放大器即便在沒有信號輸人時，在輸　　　出端也出現不規(guī)則的電壓或電流變化　　場效應管的噪聲系數約為幾個分貝，它比雙極性三極管的要小第十三節(jié) 單元電路13．1 CMOS反相器　　由本書模擬部分已知，MOSFET有P溝道和N溝道兩種，每種中又有耗盡型和增強型兩類?！　∈紫瓤紤]兩種極限情況：當vI處于邏輯0時 ，相應的電壓近似為0V；而當vI處于邏輯1時，相應的電壓近似為VDD。在TN的輸出特性iD—vDS（vGSN＝VDD）(注意vDSN=vO)上 ，疊加一條負載線，它是負載管TP在 vSGP=0V時的輸出特性iD－vSD。這就是說，電路的功耗很?。ㄎ⑼吡考墸　∠聢D分析了另一種極限情況，此時對應于vI＝0V。 　　由此可知，基本CMOS反相器近似于一理想的邏輯單元，其輸出電壓接近于零或+VDD，而功耗幾乎為零?？紤]到電路是互補對稱的，一器件可將另一器件視為它的漏極負載。　　CMOS反相器在電容負載情況下，它的開通時間與關閉時間是相等的，這是因為電路具有互補對稱的性質。CMOS反相器的平均傳輸延遲時間約為10ns?！　∫虼耍@種電路具有與非的邏輯功能，即　　n個輸入端的與非門必須有n個NMOS管串聯和n個PMOS管并聯?！　∫虼?，這種電路具有或非的邏輯功能，其邏輯表達式為顯然，n個輸入端的或非門必須有n個NMOS管并聯和n個PMOS管并聯。它由一級或非門和一級與或非門組成。13．4 BiCMOS門電路　　雙極型CMOS或BiCMOS的特點在于，利用了雙極型器件的速度快和MOSFET的功耗低兩方面的優(yōu)勢，因而這種邏輯門電路受到用戶的重視 上圖表示基本的BiCMOS反相器電路，為了清楚起見，MOSFET用符號M表示BJT用T表示。當vI為高電壓時MN導通而MP截止；而當vI為低電壓時,情況則相反，Mp導通，MN截止。當vI為高電壓時M1導通，T1基區(qū)的存儲電荷迅速消散。根據前述的CMOS門電路的結構和工作原理，同樣可以用BiCMOS技術實現或非門和與非門。與此同時，M1通過MPA和MpB被VDD所激勵，從而為T2的基區(qū)存儲電荷提供一條釋放通路。13．CMOS傳輸門MOSFET的輸出特性在原點附近呈線性對稱關系，因而它們常用作模擬開關。CMOS傳輸門由一個P溝道和一個N溝道增強型MOSFET并聯而成，如上圖所示。兩管的柵極由互補的信號電壓（+5V和5V）來控制，分別用Ｃ和表示?！　槭归_關接通，可將C端接高電壓+5V。進一步分析還可看到，一管導通的程度愈深，另一管的導通程度則相應地減小?！　≡谡９ぷ鲿r，模擬開關的導通電阻值約為數百歐，當它與輸入阻抗為兆歐級的運放串接時，可以忽略不計。我們在放大器輸入端的基極施加一個信號電壓VI，設某一瞬時該信號的極性為正信號，用(+)表示，經三極管V的集電極倒相后變?yōu)樨撔盘?，?一)來表示。注意：若反饋信號取自輸出電壓信號，則稱為電壓反饋；若反饋信號取自輸出電流信號，則稱為電流反饋。13．10．振蕩電路電感三點式振蕩器考慮LL2間的互感，電路的振蕩頻率可近似表示為　　　　電容三點式振蕩器振蕩頻率：41 / 41。具體方法是：若將負載電阻 R L 短路，如果反饋作用消失，則為電壓反饋；如果反饋作用存在，則為電流反饋。4． 負反饋放大電路的四種類型：A電壓串聯負反饋 B 電壓并聯負反饋C電流串聯負反饋 D電流并聯負反饋13．9 放大電路三種基本組態(tài)的放大電路圖： 　共發(fā)射極放大電路 共基極放大電路 共集電極放大電路注意：放大電路共發(fā)射極時，Ai和Au都比較大，但是輸出電壓和輸入電壓的相位相反；共基極時，Ai比較大，但是Au較小，輸出電壓與輸入電壓同相，并且具有跟隨關系，它可作為輸入級，輸出級或起隔離作用的中間級；共集電極時，Ai較小，Au較大，輸出電壓與輸入電壓同相，多用于寬頻帶放大等。13．6 整流電路橋式整流電路13．7濾波電路(a) C型濾波電路 (b) 倒L型濾波電路 (c) Ⅱ型濾波電路 圖1 （3）幾種常見的橋式整流濾波電路： A 電容濾波電路： B電感濾波電路 13．8．反饋電路1．正反饋：是指反饋回來的信號增強輸入信號（常用與振蕩電路）； 負反饋：是指反饋回來的信號削弱原輸入信號（用與放大電路）。由于兩管系并聯運行，可近似地認為開關的導通電阻近似為一常數。同時TP的棚壓為5V ，vI在3V到+5V的范圍內TP將導通。同時,TP的柵壓為+5V，TP亦不導通。設它們的開啟電壓|VT|=2V且輸入模擬信號的變化范圍為5V到+5V 。下面著重介紹CMOS傳輸門。同時，M1A或M1B為T1的基極存儲電荷提供一條釋放道路。正如下圖所示的2輸入端或非門。同理 ，當vI為低電壓時，電源電壓VDD通過MP以激勵M2使M2導通，顯然T2基區(qū)的存儲電荷通過M2而消散。同理，已充電的電容負載也能迅速地通過T2放電。而Mp、MN、MM2所組成的輸入級與基本的CMOS反相器很相似。而與或非門的輸出L即為輸入A、B的異或 如在異或門的后面增加一級反相器就構成異或非門，由于具有的功能，因而稱為同或門。因而或非門用得較多。其中包括兩個并聯的N溝道增強型MOS管和兩個串聯的P溝道增強型MOS管。每個輸入端連到一個N溝道和一個P溝道MOS管的柵極。由于CMOS反相器中，兩管的gm值均設計得較大，其導通電阻較小，充電回路的時間常數較小。因此，在過渡區(qū)域，傳輸特性變化比較急劇。圖中VDD=10V，VTN=|VTP|=VT=2V。由圖可知，工作點決定了VO＝VOH≈VDD；通過兩器件的電流接近零值 。兩條曲線的交點即工作點。但是，由于電路是互補對稱的，這種假設可以是任意的，相反的情況亦將導致相同的結果?！　∠聢D表示CMOS反相器電路，由兩只增強型MOSFET組成，其中一個為N溝道結構，另一個為P溝道結構。這個數值越小，代表管子所產生的噪聲越小　　～1pF之間8. 低頻噪聲系數NF　　由于在數字電路中 ，MOS管導通時經常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時的導通電阻RON可用原點的RON來近似　　是表征MOS管放大能力的一個重要參數　　在增加柵源電壓過程中，使柵極電流IG由零開始劇增時的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。3. 漏源擊穿電壓BVDS　　2. 直流輸入電阻RGS　　MOS管結構圖MOS管主要參數：　　此外，幾乎所有的超大規(guī)模存儲器件 ，以及PLD器件都采用CMOS藝制造，且費用較低。最早的TTL門電路是74系列，后來出現了74H系列，74L系列，74LS,74AS,74ALS等系列。 ，輸出即刻就會發(fā)生相應的變化，即抗干擾性能較差。從另外一個角度來說，正因為R端和S端完成置0、置1都是低電平有效，所以二者不能同時為0。由于置0或置1都是觸發(fā)信號低電平有效，因此，S端和R端都畫有小圓圈。這里所加的輸入信號（低電平）稱為觸發(fā)信號，由它們導致的轉換過程稱為翻轉。因置位的決定條件是S=0,故稱S 端為置1端。一般規(guī)定觸發(fā)器Q端的狀態(tài)作為觸發(fā)器的狀態(tài)。它有兩個輸入端R、S和兩個輸出端Q、Q。 Slot是一種插槽封裝形式,是一種長方形的插槽(圖七). 圖六 圖七第九節(jié) PCB的簡介 PCB的英文縮寫PCB(Printed Circuit Board) PCB的作用:PCB作為一塊基板,他是裝載其它電子元器件的載體,所以一塊PCB設計的好壞將直接影響到產品質量的好壞. PCB的分類和常見的規(guī)格:根據層數可分為單面板,而顯示卡用的是8層板. 而主機板的尺寸為:AT規(guī)格的主機板尺寸一般為13X12(單位為英寸)。 1．非在線測量 非在線測量潮在集成電路未焊入電路時，通過測量其各引腳之間的直流電阻值與已知正常同型號集成電路各引腳之間的直流電阻值進行對比，以確定其是否正常。 （3）有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。 （1）場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。測量PNP型半導體三極管的發(fā)射極和集電極的正向電阻值:紅表筆接基極,黑表筆接發(fā)射極,所測得阻值為發(fā)射極正向電阻值,若將黑表筆接集電極(紅表筆不動),所測得阻值便是集電極的正向電阻值,正向電阻值愈小愈好.c。按功能分：開關管和放大 半導體三極管特性：三極管具有放大功能（三極管是電流控制型器件－通過基極電流或是發(fā)射極電流去控制集電極電流；又由于其多子和少子都可導電稱為雙極型元件） NPN型三極管共發(fā)射極的特性曲線。按頻率分：高頻管和低頻管 b。中、小功率管有的b極可能在中間。第三種方法：先判定管子的NPN或PNP類型及其b極后，將表置于R10kΩ檔，對NPN管，黑表筆接e極，紅表筆接c極時，表針可能會有一定偏轉，對PNP管，黑表筆接c極，紅表筆接e極時，表針可能會有一定的偏轉，反過來都不會有偏轉。當然測量時表筆要交換一下測兩次，比較讀數后才能最后判定。然后再將管子倒過來再測一遍，測得hFE值比較大的一次，各管腳插入的位置是正確的。.判別半導體三極管的c極和e極：確定基極后，對于NPN管，用萬用表兩表筆接三極管另外兩極，交替測量兩次，若兩次測量的結果不相等，則其中測得阻值較小得一次黑筆接的是e極，紅筆接得是c極（若是PNP型管則黑紅表筆所接得電極相反）。 用萬用表判斷半導體三極管的極性和類型(用指針式萬用表). a。三極管三種放大電路的區(qū)別及判斷可以從放大電路中通過交流信號的傳輸路徑來判斷，沒有交流信號通過的極，就叫此極為公共極。 a。c。 電流放大系數：對于三極管的電流分配規(guī)律Ie=Ib+Ic,由于基極電流Ib的變化，使集電極電流Ic發(fā)生更大的變化，即基極電流Ib的微小變化控制了集電極電流較大，這就是三極管的電流放大原理。它分NPN型和PNP型兩種類型，這兩種類型的三極管從工作特性上可互相彌補，所謂OTL電路中的對管就是由PNP型和NPN型配對使用。 c、 常用穩(wěn)壓二極管的型號及穩(wěn)壓值如下表：型 號 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4