【正文】 多次貿(mào)易摩擦，但最後在許多項(xiàng)目美國都妥協(xié)了，但是為了半導(dǎo)體，雙方均不肯輕易讓步，最後兩國政府慎重其事地簽訂了協(xié)議，足證對此事的重視程度，這是因?yàn)榘雽?dǎo)體工業(yè)發(fā)展的成敗，關(guān)係著國家的命脈，不可不慎。 1874年，德國的布勞恩(Ferdinand Braun，1850~1918)，注意到硫化物的電導(dǎo)率與所加電壓的方向有關(guān)，這就是半導(dǎo)體的整流作用。 在半導(dǎo)體領(lǐng)域中，與整流理論同等重要的，就是能帶理論。 二次大戰(zhàn)後，美國的貝爾實(shí)驗(yàn)室(Bell Lab)，決定要進(jìn)行一個半導(dǎo)體方面的計(jì)畫，目標(biāo)自然是想做出固態(tài)放大器，它們在1945年7月，成立了固態(tài)物理的研究部門，經(jīng)理正是蕭克萊(William Shockley， 1910~1989)與摩根(Stanley Morgan)。 電晶體的確是由於科學(xué)發(fā)明而創(chuàng)造出來的一個新元件，但是工業(yè)界在1950年代為了生產(chǎn)電晶體，卻碰到許多困難。1958年，快捷半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)發(fā)展出平面工藝技術(shù)(planar technology)，藉著氧化、黃光微影、蝕刻、金屬蒸鍍等技巧，可以很容易地在矽晶片的同一面製作半導(dǎo)體元件。1958年9月12日，德州儀器公司(Texas Instruments)的基爾比 (Jack Kilby， 1923~ )，細(xì)心地切了一塊鍺作為電阻，再用一塊pn接面做為電容，製造出一個震盪器的電路，並在1964年獲得專利，首度證明了可以在同一塊半導(dǎo)體晶片上能包含不同的元件。 在1970年代，決定半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展方向的，有兩個最重要的因素，那就是半導(dǎo)體記憶體 (semiconductor memory) 與微處理機(jī) (micro processor)。1969年，英代爾公司推出第一個商業(yè)性產(chǎn)品，這是一個使用矽閘極、p型通道的256位元隨機(jī)存取記憶體。大致而言，1970年就有1K的產(chǎn)品；1974年進(jìn)步到4K (閘極線寬十微米)；1976年16K （五微米）；1979年64K (三微米)；1983年256K （一點(diǎn)五微米）；1986年1M （一點(diǎn)二微米）；1989年4M (零點(diǎn)八微米)；1992年16M (零點(diǎn)五微米)；1995年64M (零點(diǎn)三五微米)；1998年到256M (零點(diǎn)二五微米)，大約每三年進(jìn)步一個世代，2001年就邁入十億位元大關(guān)。三十年後的今天，英代爾的Pentium III已經(jīng)包含了一千萬個以上的電晶體。 積體電路的第一個商品是助聽器，發(fā)表於1963年12月，當(dāng)時(shí)用的仍是雙極型電晶體；1970年，通用微電子(General Microelectronics)與通用儀器公司 (General Instruments)，解決了矽與二氧化矽界面間大量表面態(tài)的問題，開發(fā)出金氧半電晶體 (metaloxidesemiconductor， MOS)；因?yàn)榻鹧醢腚娋w比起雙極型電晶體，功率較低、集積度高，製程也比較簡單，因而成為後來大型積體電路的基本元件。至此，半導(dǎo)體工業(yè)獲得了可以批次(batch)生產(chǎn)的能力，終於站穩(wěn)腳步，開始快速成長。但直到1954年5月，第一顆以矽做成的電晶體才由美國德州儀器公司(Texas Instruments)開發(fā)成功；約在同時(shí)，利用氣體擴(kuò)散來把雜質(zhì)摻入半導(dǎo)體的技術(shù)也由貝爾實(shí)驗(yàn)室與奇異公司研發(fā)出來；在1957年底，各界已製造出六百種以上不同形式的電晶體，使用於包括無線電、收音機(jī)、電子計(jì)算機(jī)甚至助聽器等等電子產(chǎn)品。12月16日，布萊登用一塊三角形塑膠，在塑膠角上貼上金箔，然後用刀片切開一條細(xì)縫，形成了兩個距離很近的電極，其中，加正電壓的稱為射極 (emitter)，負(fù)電壓的稱為集極 (collector)，塑膠下方接觸的鍺晶體就是基極 (base)，構(gòu)成第一個點(diǎn)接觸電晶體 (point contact transistor)，1947年12月23日，他們更進(jìn)一步使用點(diǎn)接觸電晶體製作出一個語音放大器，該日因而成為電晶體正式發(fā)明的重大日子。另一方面，德國人佩爾斯(Rudolf Peierls， 1907~ ) 於1929年，則指出一個幾乎完全填滿的能帶，其電特性可以用一些帶正電的電荷來解釋，這就是電洞概念的濫觴；他後來提出的微擾理論，解釋了能?Energy gap)存在。在整流理論方面，德國的蕭特基(Walter Schottky，1886~1976)在1939年，於「德國物理學(xué)報(bào)」發(fā)表了一篇有關(guān)整流理論的重要論文，做了許多推論，他認(rèn)為金屬與半導(dǎo)體間有能障(potential barrier)的存在，其主要貢獻(xiàn)就在於精確計(jì)算出這個能障的形狀與寬度。 在二十世紀(jì)的近代科學(xué)，特別是量子力學(xué)發(fā)展知道金屬材料擁有良好的導(dǎo)電與導(dǎo)熱特性，而陶瓷材料則否，性質(zhì)出來之前，人們對於四周物體的認(rèn)識仍然屬於較為巨觀的瞭解，那時(shí)已經(jīng)介於這兩者之間的，就是半導(dǎo)體材料。 矽是地殼中最常見的元素，許多石頭的主要成分都是二氧化矽，然而，經(jīng)過數(shù)百道製程做出的積體電路，其價(jià)值可達(dá)上萬美金；把石頭變成矽晶片的過程是一項(xiàng)點(diǎn)石成金的成就，也是近代科學(xué)的奇蹟！ 在日本，有人把半導(dǎo)體比喻為工業(yè)社會的稻米，是近代社會一日不可或缺的。自從有人類以來，已經(jīng)過了上百萬年的歲月。后來改為由七個單位從國外購買單位臺設(shè)備，期望建成七條工藝線。而中國在初始發(fā)展階段中出僅用７年時(shí)間走完這段路，與國外差距還不是很大。四機(jī)部直屬廠有７４９廠（永紅器材廠）、８７１廠（天光集成電路廠）、８７８廠（東光電工廠）、４４３３廠（風(fēng)光電工廠）和４４３５廠（韶光電工廠）等。之后，又研制成ＣＭＯＳ電路。但這都是小規(guī)模集成電路。最后質(zhì)量改進(jìn)后的電路才使北大在１９７５年研制成中國第一臺真正達(dá)到１００萬次運(yùn)算速度的大型電子計(jì)算機(jī)－１５０機(jī)。七十年代上半期，一個工廠的ＩＣ年產(chǎn)量，只有幾十萬塊，到七十年代末期，上無十九廠年產(chǎn)量才實(shí)破５００萬塊，位居全國第一。在國外實(shí)行對華封鎖的年代里，集成電路屬于高新技術(shù)產(chǎn)品，是禁止向中國出口的。為了加速發(fā)展半導(dǎo)體集成電路，四機(jī)部（后來改名為電子工業(yè)部）決定籌建第一個專門從事半導(dǎo)體集成電路的專業(yè)化工廠，由北京電子管廠抽一部分技術(shù)力量，在１９６８年建立了國營東光電工廠（代號：８７８廠），當(dāng)時(shí)正處于動亂的十年“文革”初期，國家領(lǐng)導(dǎo)號召建設(shè)大三線，四機(jī)部新建工廠，采用“８”字頭的都是在內(nèi)地大三線，唯獨(dú)８７８