半導(dǎo)體物理學(xué)(劉恩科第七版)習(xí)題答案比較完全(文件)
【正文】 阻率。 14. 、長為1cm的 n型和GaAs樣品，設(shè)un=8000 cm2/( V1015cm3。1016cm3+180。1017cm3。和Si樣品的最小電導(dǎo)率的數(shù)值，并和本征電導(dǎo)率相比較。1016cm3,試分別計(jì)算本征電導(dǎo)率、電阻率和最小電導(dǎo)率、最大電導(dǎo)率。如將S i置于10V/cm的電場中，證明電子的平均漂移速度小于熱運(yùn)動速度，設(shè)電子遷移率為15000cm2/( V 2. 用強(qiáng)光照射n型樣品，假定光被均勻地吸收，產(chǎn)生過剩載流子，產(chǎn)生率為,空穴壽命為t。今用光照射該樣品，光被半導(dǎo)體均勻的吸收，電子空穴對的產(chǎn)生率是1022cm3 7. 摻施主濃度ND=1015cm3的n型硅，由于光的照射產(chǎn)生了非平衡載流子Dn=Dp=1014cm3。 10. 一塊n 型硅內(nèi)摻有1016cm3的金原子 ，試求它在小注入時(shí)的壽命。 13. 室溫下，p型半導(dǎo)體中的電子壽命為t=350us，電子的遷移率un=3600cm2/(Vs)。 16. 一塊電阻率為3Ws1。 18. 一塊摻雜施主濃度為2180。s1，試求表面的空穴濃度以及流向表面的空穴流密度是多少？第六章習(xí)題 1. 若ND=5180。4. 證明方向飽和電流公式（635）可改寫為Js=式中b=un/up,sn和sp分別為n型和p型半導(dǎo)體電導(dǎo)率，si為本征半導(dǎo)體率。 6. 條件與上題相同，計(jì)算下列電壓下的勢壘區(qū)寬度和單位面積上的電容：①10V；②0V；③。 9. 已知突變結(jié)兩邊雜質(zhì)濃度為NA=1016cm3,ND=1020cm3,①求勢壘高度和勢壘寬度；②畫出、V（圖。已知NA=5180。1015cm3,Vd=。第七章習(xí)題 1. 求AlCu、AuCu、 WAl、 CuAg、AlAu 、MoW 、AuPt的接觸器電勢差，并標(biāo)出電勢的正負(fù)。 5. 。求加上5V反向電壓時(shí)的空間電荷厚度。第十二章習(xí)題1. 如圖121所示，設(shè)樣品長為8mm,寬為2mm,，得到10mA沿x方向的電流，在沿樣品垂直方向（+z ），則在樣品長度兩段測的電壓VAC為10mA,設(shè)材料主要是一種流自導(dǎo)電，試求：①材料的導(dǎo)電類型；②霍耳系數(shù)；③載流自濃度；④載流子遷移率。 5. 對長1cm、寬2nm、,；，測的霍耳電壓為30mV,求： ①霍耳系數(shù)； ②載流子濃度； ③零磁場時(shí)的電阻率。s），180。cm，求載流子遷移率。試證明：在+ Bz時(shí)測一次橫向電壓，將磁場改變方向后，即 Bz時(shí)再測一次橫向電壓，便能消除V0的影響。 7. ，沿長度x方向同以5mA的電流，求： ①霍耳系數(shù)； ②載流子濃度； ③180。 6. （V 3. 室溫時(shí)測得Ge和Si的霍耳系數(shù)為零，求電子和空穴濃度。若已知勢壘高度qfns= ，計(jì)算室溫下的反向飽和電流JST.8. 有一塊施主硬度ND=1016cm3的n型鍺材料，在它的（111）面上與金屬接觸制成肖特基勢壘二極管。6. 電阻率為10W如果A是Au,B是Ag, C是Cu或 Al，則Vab是多少伏？ 3. 施主濃度ND=1017cm3的n型硅 ，室溫下的功函數(shù)是是多少？若不考慮表面態(tài)的影響，他分別同Al,Au,Mo接觸時(shí)，形成阻擋層還是反阻擋？。105V/cm,求擊穿電壓。 12. 分別計(jì)算硅n + p結(jié)在平衡和反向電壓45V時(shí)的最大電場強(qiáng)度。③r（x）=qax(x在0~d之間)，分別求電場強(qiáng)度及電位V（，并作圖。 8. 設(shè)硅的性緩變結(jié)的雜質(zhì)濃度梯度為5180。cm，tp=1us；p區(qū)的rp= 2. 試分析小注入時(shí)，電子（空穴）在五個區(qū)域中的運(yùn)動情況（分析漂移與擴(kuò)散的方向及相對應(yīng)的大?。?。①計(jì)算體壽命，擴(kuò)散長度和表面復(fù)合速度。試計(jì)算：①單位時(shí)間單位表面積在表面復(fù)合的空穴數(shù)。計(jì)算從這個表面擴(kuò)散進(jìn)入半導(dǎo)體內(nèi)部的空穴電流密度，以及在離表面多遠(yuǎn)處過?？昭舛鹊扔?012cm3？ 17. 光照1W 15. 在電阻率為1W試求電子的擴(kuò)散長度。②在只有少數(shù)載流子別耗盡（例如，pnpn0，而nn=nn0）的半導(dǎo)體區(qū)域。 8. 在一塊p型半導(dǎo)體中，有一種復(fù)合產(chǎn)生中心，小注入時(shí)，被這些中心俘獲的電子發(fā)射回導(dǎo)帶的過程和它與空穴復(fù)合的過程具有相同的概率。計(jì)算無光照和有光照的電導(dǎo)率。 3. 有一塊n型硅樣品，壽命是1us，無光照時(shí)電阻率是10W這時(shí)電子的實(shí)際平均漂移速度和遷移率應(yīng)為多少？ 20. 試證Ge的電導(dǎo)有效質(zhì)量也為
法律信息相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1