【正文】 普通晶體管無法相比的。 1) 具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)，因而被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，尤其用場效管做整個(gè)電子設(shè)備的輸入級，可以獲得一般晶體管很難達(dá)到的整機(jī)低噪聲性能。 2) 場效應(yīng)管利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件；而晶體管則既利用多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電，被稱為雙極型器件。在使用時(shí)，要根據(jù)電路要求選擇合適的管型。 3) 場效應(yīng)管輸入電阻很高，特別是絕緣柵場效應(yīng)管更是這樣。 6. 使用場效應(yīng)管應(yīng)注意的問題 晶閘管 1）結(jié)構(gòu) 晶閘管具有三個(gè) PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)，其外形、結(jié)構(gòu)和圖形符號如圖 722所示。螺栓式晶閘管是靠陽極（螺栓）擰緊在鋁制散熱器上，可自然冷卻；平板式晶閘管由兩個(gè)相互絕緣的散熱器夾緊晶閘管， 靠冷風(fēng)冷卻， 額定電流大于 200 A的晶閘管都采用平板式外形結(jié)構(gòu)。 2. 晶閘管的工作原理 ＋－Ea＋－EgS＋－Ea＋－EgS＋－Ea＋－EgS圖 7 2 3 晶 閘 管 導(dǎo) 通 實(shí) 驗(yàn) 電 路 圖 當(dāng)晶閘管的陽極 A接電源 Ea的正端，陰極 K經(jīng)白熾燈接電源的負(fù)端時(shí)， 晶閘管承受正向電壓。 當(dāng)晶閘管的陽極和陰極間加反向電壓時(shí)，不管控制極加不加電壓，燈都不亮，晶閘管截止。 KIKV2IC 2P N PV1IC 1N P NIAIGGSECAEAR( b )( a )N2N1P2GP1P2N1KA圖 7 2 4 晶 閘 管 工 作 原 理 等 效 電 路 1) 正向重復(fù)峰值電壓 U DRM 在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下，可重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓。 4. 晶閘管的主要參數(shù) 1）晶閘管的命名方法 1. 晶閘管的命名及測試方法 2) 對于晶閘管的三個(gè)電極，可以用萬用表粗測其好壞。 本章小結(jié) 1．常用電阻器有碳膜、金屬膜和線繞電阻等，主要參數(shù)是標(biāo)稱阻值、允許誤差和額定功率，在電路中起限流、分流、降壓、分壓、負(fù)載及阻抗匹配等作用。 4．開關(guān)和接插件在電路中主要起通斷控制和連接器的作用。按用途二極管可分為整流、檢波以及穩(wěn)壓、發(fā)光、變?nèi)?、光電等特殊二極管。其中放大、飽和和截止為三種工作狀態(tài)。 10．場效應(yīng)晶體管是一種單極型晶體管，可分為結(jié)型（ JFET）和絕緣柵型（ MOS）兩種，每種又可分為 P溝道和 N溝道兩種。 。場效應(yīng)管是一種電壓控制器件。三極管主要參數(shù)有共射電流放大系數(shù) β、反向擊穿電壓值 UCEO、最大集電極電流 ICM和最大管耗 PCM等。整流二極管的主要參數(shù)為最大整流電流和最高反向工作電壓。 6． P型半導(dǎo)體和 N型半導(dǎo)體相結(jié)合可形成 PN結(jié)， PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?，即正向偏置?dǎo)通，反向偏置截止。 3．電感是利用自感原理制成的電子元件，主要用于扼流、濾波和儲能電路。如用萬用表 R 1 KΩ 檔測量陽極 A和陰極 K之間的正、反向電阻都很大，在幾百千歐以上，且正、反向電阻相差很?。挥?R 10或 R 100檔測量控制極 G和陰極 K之間的阻值，其正向電阻應(yīng)小于或接近于反向電阻，這樣的晶閘管是好的。 2) 反向重復(fù)峰值電壓 U RRM 在控制極斷路時(shí)，可以重復(fù)加在晶閘管兩端的反向峰值電壓，此電壓取反向擊穿電壓 U RO的 80%。 為了進(jìn)一步說明晶閘管的工作原理 ， 可把晶閘管看成是由一個(gè) PNP型和一個(gè) NPN型晶體管連接而成的 ， 連接形式如圖 727所示 。 當(dāng)晶閘管的陽極和陰極承受正向電壓，控制電路中開關(guān) S閉合，使控制極也加正向電壓（控制極相對陰極）時(shí)，白熾燈亮，說明晶閘管導(dǎo)通。 我們通過圖 723所示的電路來說明晶閘管的工作原理 。 1. 晶閘管的結(jié)構(gòu)和類型 圖 7 2 2 晶 閘 管 的 外 形 、 結(jié) 構(gòu) 和 符 號P2GKAJJJ3AKGAGK AGK( a ) 外 形 ( b ) 結(jié) 構(gòu)( c ) 符 號12N2N1P1 2) 類型 常用的大功率晶閘管有螺栓式和平板式兩種外形，如圖 722(a)所示。在保存、焊接管子時(shí)都要使三個(gè)電極相互短路。 2) 場效應(yīng)管有 P型溝道和 N型溝道之分。 4) 場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。 3) 兩種工作方式：當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱為耗盡型；當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。 此外，場效應(yīng)管和普通晶體三極管一樣，也有它的極限運(yùn)用參數(shù)。 3. 場效應(yīng)管的主要參數(shù) 4) 直流輸入電阻 R GS 柵源極間的直流電阻。 S i O2 N 型 硅 襯 底P 型 區(qū)P 型 區(qū)P 溝 道金 屬 鋁源 極 S 柵 極 G 漏 極 DS i O2 P 型 硅 襯 底N 型 區(qū)N 型 區(qū)N 溝 道金 屬 鋁源 極 S 柵 極 G 漏 極 D GDSGSD 襯 底P 襯 底P圖 7 2 1 耗 盡 型 M O S 場 效 應(yīng) 管 的 結(jié) 構(gòu) 及 電 路 符 號（a）P 溝 道 耗 盡 型 M O S 場 效 應(yīng) 管結(jié) 構(gòu) 符 號（ b ）N 溝 道 耗 盡 型 M O S 場 效 應(yīng) 管結(jié) 構(gòu) 符 號 1) 飽和漏源電流 I DSS 飽和漏源電流是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，柵極電壓 UGS=0，而漏源之間的電壓大于夾斷電壓 U P時(shí)的漏源電流。 S i O2 N 型 硅 襯 底P 型 區(qū)P型 區(qū)金 屬 鋁源 極 S 柵 極 G 漏 極 DS i O2 P 型 硅 襯 底N 型 區(qū)N 型 區(qū)金 屬 鋁源 極 S 柵 極 G 漏 極 D GDSGSD 襯 底P 襯 底P圖 7 1 9 增 強(qiáng) 型 M O S 場 效 應(yīng) 管 的 結(jié) 構(gòu) 及 電 路 符 號結(jié) 構(gòu) 符 號 結(jié) 構(gòu)符 號（a） P 溝 道 增 強(qiáng) 型 M O S 場 效 應(yīng) 管 （b） N 溝 道 增 強(qiáng) 型M O S場 效 應(yīng) 管 圖 720是增強(qiáng)型 MOS場效應(yīng)管的溝道形成示意圖 ， 柵極加有負(fù)電壓 ， 而 N型襯底加有正電壓 。 漏 極源 極柵 極NG S D P P 溝道D G S 漏 極源 極柵 極NG S D P 溝道NG D S （ a ） N 溝 道 結(jié) 型 場 效 應(yīng) 管圖 7 1 8 結(jié) 型 場 效 應(yīng) 管 結(jié) 構(gòu) 及 電 路 符 號（ b ） P 溝 道 結(jié) 型 場 效 應(yīng) 管結(jié) 構(gòu) 符 號結(jié) 構(gòu)符 號耗 盡 層耗 盡 層2. 絕緣柵型場效應(yīng)管（ MOSFET） 又稱為 MOS場效應(yīng)管，意為金屬 氧化物 半導(dǎo)體場效應(yīng)管。場效應(yīng)管也是由 P、 N兩種類型的半導(dǎo)體構(gòu)成。 (5) 功率三極管應(yīng)加裝有足夠大的散熱器。 (3) 三極管在焊入電路時(shí)，應(yīng)先接通基極，再接入發(fā)射極，最后接入集電極。條件允許時(shí)可以使用晶體管圖示儀，亦可以使用普通萬用表對晶體管進(jìn)行粗略測量。 4. 三極管的檢測與使用 1) 半導(dǎo)體三極管的管腳判別 在使用和安裝三極管之前，首先應(yīng)清楚三極管的管腳排列。在此區(qū)域內(nèi)，對應(yīng)不同 IB值的輸出特性曲線簇幾乎重合在一起。 2）輸出特性曲線 輸出特性曲線是指集電極電流 IC隨集電極和發(fā)射極之間的電壓 UCE變化的關(guān)系曲線，如圖 717169。該關(guān)系曲線是非線性的，工作在放大狀態(tài)時(shí)，須使三極管工作在較直的區(qū)段。特點(diǎn)：電壓放大倍